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公开(公告)号：CN106683895A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710040337.9
申请日：2017-01-19
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明提供了蒽醌基修饰复合电极材料及其制备方法和应用，以及包含该材料的电子元器件。本发明方法中，通过将聚蒽醌前驱体加入到氧化石墨烯凝胶中并超声分散，获得蒽醌修饰的氧化石墨烯分散液。并以氧化石墨烯为氧化剂，采用水热法在高温高压条件下制备得到目标复合电极材料，具有制备方法简易、产量高，易于批量化生产等优点；同时，所制得的复合电极材料也具有良好的机械性能和电化学活性，并能够用于制备例如超级电容器等的电子元器件中。进一步的，所制得的电子元器件同样也具有优异的电学性能，并能够应用于各种环境中。
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公开(公告)号：CN113192765A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110479706.0
申请日：2021-04-30
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明涉及电极材料技术领域，具体涉及一种多孔TiO2/PEDOT电极的制备方法及超级电容器，其中方法包括：旋涂聚苯乙烯微球水溶液，获得薄膜；采用喷涂法将1～2ml溶液1喷涂到薄膜A，获得薄膜B；将薄膜B放置在抽风橱内进行加热；撤除掩膜板，获得聚苯乙烯微球/四氯化钛电极；将聚苯乙烯微球/四氯化钛电极放置在二氯甲烷溶液中，去除PE基底，获得多孔均匀致密的四氯化钛电极；将四氯化钛电极放置在200℃的高温空气中进行反应，获得TiO2电极；将TiO2电极放置到石英玻璃上喷涂0.5～1ml聚苯乙烯磺酸铁，获得TiO2/聚苯乙烯磺酸铁电极；去除掩膜板，加入3，4乙烯二氧噻吩单体，得到TiO2/PEDOT电极。本发明解决了现有技术反应复杂同时不易控制的技术问题。
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公开(公告)号：CN113178342A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110479700.3
申请日：2021-04-30
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明涉及电极制备技术领域，具体涉及一种紧致有序自支撑MOFs电极的制备方法及微型超级电容器，其中方法包括：在柔性PE膜上压紧聚四氟乙烯掩膜板，获得薄膜A；采用喷涂法将1～2ml溶液A喷涂到薄膜A，获得薄膜B；采用喷涂法将1～2ml溶液B喷涂到薄膜B，获得薄膜C；将薄膜C放置在抽风橱内进行加热；将薄膜C放置在真空中在60℃的温度下保持24h，获得叉指电极A；用去离子水以及乙醇浸泡叉指电极A，清洗2～3次，并去除乙醇；将叉指电极A放置在二氯甲烷溶液中，溶解聚苯乙烯微球与PE膜，获得自支撑MOFs电极。本发明不会增大电极的电阻，也不会对电子的传递造成阻碍，提高了MOFs电极的性能，解决了现有技术制备的MOFs电极性能低、制备方法复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN106683895B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201710040337.9
申请日：2017-01-19
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明提供了蒽醌基修饰复合电极材料及其制备方法和应用，以及包含该材料的电子元器件。本发明方法中，通过将聚蒽醌前驱体加入到氧化石墨烯凝胶中并超声分散，获得蒽醌修饰的氧化石墨烯分散液。并以氧化石墨烯为氧化剂，采用水热法在高温高压条件下制备得到目标复合电极材料，具有制备方法简易、产量高，易于批量化生产等优点；同时，所制得的复合电极材料也具有良好的机械性能和电化学活性，并能够用于制备例如超级电容器等的电子元器件中。进一步的，所制得的电子元器件同样也具有优异的电学性能，并能够应用于各种环境中。
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公开(公告)号：CN106299016B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201610976991.6
申请日：2016-11-07
Applicant: 重庆文理学院
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 公开了一种雪崩光电二极管及其制备方法，雪崩光电二极管包括覆盖层(26)，所述的覆盖层(26)包括P型中心有源区(27)和补偿掺杂区(28)，所述的P型中心有源区(27)是向所述的覆盖层(26)中心区域掺入P型杂质而形成；所述的补偿掺杂区(28)是向所述的P型中心有源区(27)的外围环形区域内掺入N型杂质而形成，所述的补偿掺杂区(28)为掺入一定量的N型杂质的P型材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106299016A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610976991.6
申请日：2016-11-07
Applicant: 重庆文理学院
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L31/1844
Abstract: 公开了一种雪崩光电二极管及其制备方法，雪崩光电二极管包括覆盖层(26)，所述的覆盖层(28)，所述的P型中心有源区(27)是向所述的覆盖层(26)中心区域掺入P型杂质而形成；所述的补偿掺杂区(28)是向所述的P型中心有源区(27)的外围环形区域内掺入N型杂质而形成，所述的补偿掺杂区(28)为掺入一定量的N型杂质的P型材料。(26)包括P型中心有源区(27)和补偿掺杂区
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公开(公告)号：CN111909697B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202010921313.6
申请日：2020-09-04
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C09K11/80
Abstract: 一种白色长余辉发光材料，其特征在于：其分子式为Ca5‑xGa6O14:Pr3+x，其中，Pr3+为激活剂，Ca5‑xGa6O14为基质，0.005≤x≤0.09。本发明白色长余辉发光材料的纯度高、形貌均匀，尺寸分布均匀，在10μm左右，多种激发源激发后发白色余辉，光色纯度高，经254 nm波长的紫外光激发5分钟后，白色的余辉初始亮度达到0.7766cd/m2，最长能达到13小时以上，余辉时间达10h时余辉亮度依然保持在10mcd/m2以上。
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公开(公告)号：CN113087958B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110479052.1
申请日：2021-04-30
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明涉及传感器材料制备技术领域，具体涉及一种紧致有序MOFs材料的制备方法及湿度传感设备，其中方法包括：叉指电极作为基底，旋涂聚苯乙烯微球水溶液，获得薄膜A；采用喷涂法将1～2ml溶液A喷涂到薄膜A，获得薄膜B；采用喷涂法将1～2ml溶液B喷涂到薄膜B，获得薄膜C；将薄膜C放置在抽风橱内，先在25℃的温度下放置1～2h，后在40℃的温度下放置0.5～1h；再将薄膜C放置在真空中，从40℃升温至60℃，并在60℃的温度下恒温保持0.5～1h；S5、重复S2～S4的步骤3～5次；S6、将薄膜C放置在真空中，并在60℃的温度下保持24h，获得薄膜D；S7、清洗2～3次，去除乙醇；超声2～10min，溶解聚苯乙烯微球，获得紧致有序MOFs薄膜。本发明制备的薄膜形式的MOFs材料能够应用于湿度传感设备。
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公开(公告)号：CN113178342B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110479700.3
申请日：2021-04-30
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明涉及电极制备技术领域，具体涉及一种紧致有序自支撑MOFs电极的制备方法，其中方法包括：在柔性PE膜上压紧聚四氟乙烯掩膜板，获得薄膜A；采用喷涂法将1~2ml溶液A喷涂到薄膜A，获得薄膜B；采用喷涂法将1~2ml溶液B喷涂到薄膜B，获得薄膜C；将薄膜C放置在抽风橱内进行加热；将薄膜C放置在真空中在60℃的温度下保持24h，获得叉指电极A；用去离子水以及乙醇浸泡叉指电极A，清洗2~3次，并去除乙醇；将叉指电极A放置在二氯甲烷溶液中，溶解聚苯乙烯微球与PE膜，获得自支撑MOFs电极。本发明不会增大电极的电阻，也不会对电子的传递造成阻碍，提高了MOFs电极的性能，解决了现有技术制备的MOFs电极性能低、制备方法复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN112342019A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011270134.7
申请日：2020-11-13
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明属于含无机发光材料的发光材料及其制备方法技术领域，公开了一种非稀土掺杂高温长余辉发光材料及其制备方法。非稀土掺杂高温长余辉发光材料的分子式为Hf1‑x‑yO2:Alx+y；其中0.005≤x≤0.05，0.005≤y≤0.05；其制备方法为，按比例称取原料，并将原料进行混合研磨，得到原料混合粉末备用；将原料混合粉末置于1300℃～1600℃的环境中，煅烧3小时～8小时后冷却至室温，得到煅烧物备用；再将煅烧物进行研磨，制得高温长余辉发光材料。本发明制备的高温长余辉发光材料在100～150℃的温度下也具备较长的发光时间，使用范围更广。
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