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公开(公告)号：CN118263303A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410359892.8
申请日：2024-03-27
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 本申请提供一种双栅场截止型绝缘栅双极型晶体管，该双极型晶体管通过栅极金属层、副栅极金属层、发射极沟槽重掺杂第一导电类型多晶硅层、发射极沟槽绝缘介质层形成正极发射极导电类型沟槽结构、负极发射极导电类型沟槽结构；双极型晶体管正向导通和关断时，通过正极发射极导电类型沟槽结构和负极发射极导电类型沟槽结构处理轻掺杂第二导电类型耗尽区的空穴。本申请提供的双极型晶体管在正向导通时提高轻掺杂导电类型耗尽区的空穴势垒，增强漂移区的空穴，增加对应的载流子存储效应，降低导通压降，在关断时，通过恢复轻掺杂导电耗尽区的空穴，提高了空穴的抽取速度，降低关断产生的损耗。
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公开(公告)号：CN118198133A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410329605.9
申请日：2024-03-21
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本申请提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管，该半导体场效应晶体管通过第一导电类型硅材料异质结区域、重掺杂第二导类型硅材料屏蔽区域、重掺杂第一导电类型虚拟栅极多晶硅区域和虚拟栅极氧化层与第一导电类型电流传导区域之间形成异质结导电结构，因碳化硅/硅的异质结结构的电子势垒低于体二极管，因此电流优先从异质结导电结构流过。本申请提供的金属氧化物半导体场效应晶体管还存在虚拟栅极，进一步降低了异质结的电子势垒，优先通过异质结沟道导电结构进行反向导通，当半导体场效应晶体管反向导电时，异质结的电子势垒低，从而降低反向导通电压，改善反向导通性能。
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公开(公告)号：CN118136670A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410329606.3
申请日：2024-03-21
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术领域，特别是涉及一种包含肖特基接触超级势垒整流器的功率半导体器件。包括漏极金属层以及依次堆叠在所述漏极金属层上的重掺杂第一导电类型衬底层和轻掺杂第一导电类型漂移区，所述轻掺杂第一导电类型漂移区上设置有第一导电类型传导区域，所述第一导电类型传导区域上设置有第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域，所述第一导电类型传导区域位于所述第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域之间。相比于现有肖特基源极垂直金属氧化物半导体场效应晶体管，在抗单粒子烧毁性能不恶化的条件下，本发明具有低的第三象限二极管开启电压，改善了反向恢复性能。
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公开(公告)号：CN116995103A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310826379.0
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/417
Abstract: 本申请提供一种抗单粒子加固功率器件包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；第一阳极区设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述第一阳极区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；第二阳极区设置于所述第一阳极区背离所述第一导电类型衬底层的一侧。本申请在正向导通时，第一阳极区、第二阳极区以及阳极结构之间形成空穴导通通道，在反向工作状态时，该区域可以为空穴提供通道，使得空穴流出器件，从而降低单粒子栅穿的风险，提升器件的抗单粒子辐射性能。
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公开(公告)号：CN119050145A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411166938.0
申请日：2024-08-23
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管，包括包括漏极金属层、锗硅异质结结构、传导区域、体区域、重掺杂接触区域、氧化层(8)、重掺杂栅极多晶硅层、源极金属层；本发明改善了器件的反向回复特性，相较于现有的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，本发明的反向恢复时间更小、反向恢复时间更短、反向恢复电荷更低。当晶体管承受反向电压的时候，即金属氧化物半导体场效应晶体管工作在逆向导通状态下时，从源极注入的空穴将流向漏极；然而器件源极侧的异质结结构将会导致能带上的差异变化，使得空穴更容易从漂移区内部进入到锗硅区域中，实现减少漂移区内部空穴浓度的效果，实现改善反向恢复性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118969843A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411031978.4
申请日：2024-07-30
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该半导体场效应晶体管通过辅助栅阳极氧化层、第一导电类型屏蔽栅极多晶硅区域、第一导电类型辅助栅阳极多晶硅区域共同构成辅助栅结构，辅助栅作为反向导通二极管，当器件反向导通的时候，辅助栅由于更低的导通电压而优先导通，且为单极导通二极管，减少了器件内部空穴浓度，因此很大程度上改善了传统的屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的反向恢复性能。此外，由于源极金属层与第二导电类型体区域形成肖特基接触，减小了原本传统结构中寄生三极管结构的影响，从而改善了器件的工作可靠性。
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公开(公告)号：CN118610259A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410754616.1
申请日：2024-06-12
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种超低导通电阻鳍型异质结场效应晶体管，包括：第一导电类型衬底；漏极金属层；第一导电类型漂移层；第一导电类型第一导电层；所述第一导电类型第一导电层背离所述第一导电类型漂移层的一侧包括至少一个凸出部；第二导电类型第一半导体层；第二导电类型第二半导体层；栅极金属层；第一导电类型第二导电层；钝化层；以及源极金属层。本申请利用异质结界面电子积累效应，在已采用超结结构基础上，使器件导通电阻进一步降低，功率优值明显提高。
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公开(公告)号：CN118281068A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410359897.0
申请日：2024-03-27
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/78
Abstract: 本申请提供一种载流子存储增强型横向绝缘栅双极型晶体管，该横向绝缘栅双极型晶体管在横向绝缘栅双极型晶体管正向导通时，通过增加轻掺杂第一导电类型载流子存储区的空穴，使得轻掺杂第一导电类型漂移区的载流子存储效应增强；当横向绝缘栅双极型晶体管关断时，轻掺杂第一导电类型漂移区中的空穴经过轻掺杂第一导电类型载流子存储区抽取至重掺杂第二导电类型发射区。本申请不仅优化了横向绝缘栅双极型晶体管导通压降和关断损耗之间的关系，还增加了横向绝缘栅双极型晶体管的击穿电压。
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公开(公告)号：CN118016705A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410329602.5
申请日：2024-03-21
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种逆导型绝缘栅双极晶体管，该绝缘栅双极晶体管通过重掺杂第一导电类型逆导区域、重掺杂第二导电类型集电极区域和轻掺杂第二导电类型底部区域形成集电极侧注入结构，当绝缘栅双极晶体管逆向导通时，从发射极注入的空穴不仅直接流到重掺杂第二导电类型集电极区域，且在高电阻的轻掺杂第二导电类型底部区域上大量横向流动，在轻掺杂第二导电类型底部区域产生横向压降，使得重掺杂第一导电类型逆导区域注入的电子随横向流动的空穴而增强，从而实现集电极侧注入的增强效果，降低逆导型绝缘栅双极晶体管的反向导通电压。
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公开(公告)号：CN117995907A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410329604.4
申请日：2024-03-21
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L23/552
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术领域，特别是涉及一种增强抗单粒子栅穿性能的功率半导体器件，包括漏极金属层以及堆叠在所述漏极金属层上的重掺杂第一导电类型衬底层和轻掺杂第一导电类型漂移区，所述轻掺杂第一导电类型漂移区上设置有第一导电类型传导区域，所述第一导电类型传导区域上设置有逆行第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域，所述第一导电类型传导区域位于所述逆行第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域之间。本发明通过引入厚氧化层结构和第二导电类型阳极区域改善抗单粒子栅穿性能。相比于现有技术，本发明具有低的氧化层峰值电场，改善了抗单粒子栅穿性能。
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