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公开(公告)号:CN116282156B
公开(公告)日:2024-09-17
申请号:CN202310393945.3
申请日:2023-04-13
Applicant: 重庆大学
IPC: H01M4/485 , C01G31/00 , H01M4/62 , H01M10/36 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种镁离子预插层水合氧化钒正极材料、制备方法和应用,所述正极材料为MgxV10O24·nH2O,其中,x为嵌入该正极材料中镁离子的摩尔数,x和n均为有理数,且x和n均大于0。本发明采用简单的高温沉淀法,可一步合成尺寸和形貌均一的Mg2+预插层水合氧化钒纳米花镁离子电池正极材料,解决了现有储镁技术上存在的扩散动力学缓慢的难题的同时,还解决了插入扩散型镁离子电池循环稳定性差的技术瓶颈。
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公开(公告)号:CN116835646A
公开(公告)日:2023-10-03
申请号:CN202310824757.1
申请日:2023-07-06
Applicant: 重庆大学
IPC: C01G31/02 , H01M4/48 , H01M10/054 , H01M10/0525 , H01M10/36
Abstract: 本发明公开了一种镁离子电池水合氧化钒正极材料的制备方法及其应用,具体包括如下步骤:步骤1:将五氧化二钒加入水中,强力搅拌混合均匀后,得到溶液A;步骤2:向溶液A中加入过氧化氢,得到溶液B,持续搅拌溶液B反应至五氧化二钒完全热解;步骤3:待溶液B中的五氧化二钒完全热解后,加入无水乙醇并搅拌混合均匀,得到溶液C;步骤4:将溶液C转移至反应釜中进行水热反应,自然冷却至室温后得到反应产物;步骤5:对反应产物进行过滤、多次清洗和干燥处理,得到V3O7·nH2O粉末产物。本发明采用简单的一锅水热法,可一步合成尺寸和形貌均一的水合氧化钒纳米带,具有优异的容量和倍率性能,材料制备工艺简单,原料来源丰富且价格低廉。
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公开(公告)号:CN116314738A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310298952.5
申请日:2023-03-24
Applicant: 重庆大学
IPC: H01M4/48 , H01M4/62 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种五氧化二钒/石墨烯复合材料及其制备方法和应用,制备步骤包括:将五氧化二钒溶于去离子水与过氧化氢混合溶液中,依次加入镁源、石墨烯后超声,使石墨烯分散均匀;随后放置烘箱中进行水热反应,自然冷却,过滤、洗涤、干燥收集得到金属镁离子插层的五氧化二钒/石墨烯复合材料。本发明采用简单一步水热法向层状V2O5中插入金属镁离子,拓宽了V2O5的层间距,为镁离子提供了丰富的活性位点。且金属镁离子作为层间支柱增强了V2O5基体结构稳定性以支撑充放电过程中镁离子的可逆嵌入/脱出。与此同时,高导电性石墨烯纳米片与V2O5复合提高了电极材料的离子电导率和电子电导率,为镁离子在正极材料中的快速脱嵌提供了有利的动力学条件。
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公开(公告)号:CN116282156A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310393945.3
申请日:2023-04-13
Applicant: 重庆大学
IPC: C01G31/00 , H01M4/485 , H01M4/62 , H01M10/36 , H01M10/0525 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种镁离子预插层水合氧化钒正极材料、制备方法和应用,所述正极材料为MgxV10O24·nH2O,其中,x为嵌入该正极材料中镁离子的摩尔数,x和n均为有理数,且x和n均大于0。本发明采用简单的高温沉淀法,可一步合成尺寸和形貌均一的Mg2+预插层水合氧化钒纳米花镁离子电池正极材料,解决了现有储镁技术上存在的扩散动力学缓慢的难题的同时,还解决了插入扩散型镁离子电池循环稳定性差的技术瓶颈。
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公开(公告)号:CN116282155A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310393940.0
申请日:2023-04-13
Applicant: 重庆大学
IPC: C01G31/00 , H01M4/485 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种镁钒氧化物正极材料及其制备方法和应用,所述正极材料为MgxV2O5·nH2O,其中,x和n均为有理数,且x>0,n>0。本发明所述正极材料,不仅可以提高电极材料的导电率,还可以增强电极材料结构稳定性,在用于镁离子电池时可表现出优异的倍率性能和循环稳定性。
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