公开(公告)号：CN118969843A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411031978.4

申请日：2024-07-30

Applicant: 重庆大学 ,  重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈文锁 ,  俞齐声 ,  徐向涛 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该半导体场效应晶体管通过辅助栅阳极氧化层、第一导电类型屏蔽栅极多晶硅区域、第一导电类型辅助栅阳极多晶硅区域共同构成辅助栅结构，辅助栅作为反向导通二极管，当器件反向导通的时候，辅助栅由于更低的导通电压而优先导通，且为单极导通二极管，减少了器件内部空穴浓度，因此很大程度上改善了传统的屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的反向恢复性能。此外，由于源极金属层与第二导电类型体区域形成肖特基接触，减小了原本传统结构中寄生三极管结构的影响，从而改善了器件的工作可靠性。

公开(公告)号：CN118016705A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410329602.5

申请日：2024-03-21

Applicant: 重庆大学 ,  重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈文锁 ,  俞齐声 ,  徐向涛 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供一种逆导型绝缘栅双极晶体管，该绝缘栅双极晶体管通过重掺杂第一导电类型逆导区域、重掺杂第二导电类型集电极区域和轻掺杂第二导电类型底部区域形成集电极侧注入结构，当绝缘栅双极晶体管逆向导通时，从发射极注入的空穴不仅直接流到重掺杂第二导电类型集电极区域，且在高电阻的轻掺杂第二导电类型底部区域上大量横向流动，在轻掺杂第二导电类型底部区域产生横向压降，使得重掺杂第一导电类型逆导区域注入的电子随横向流动的空穴而增强，从而实现集电极侧注入的增强效果，降低逆导型绝缘栅双极晶体管的反向导通电压。

公开(公告)号：CN117995907A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410329604.4

申请日：2024-03-21

Applicant: 重庆大学 ,  重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈文锁 ,  俞齐声 ,  徐向涛 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明涉及功率半导体技术领域，特别是涉及一种增强抗单粒子栅穿性能的功率半导体器件，包括漏极金属层以及堆叠在所述漏极金属层上的重掺杂第一导电类型衬底层和轻掺杂第一导电类型漂移区，所述轻掺杂第一导电类型漂移区上设置有第一导电类型传导区域，所述第一导电类型传导区域上设置有逆行第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域，所述第一导电类型传导区域位于所述逆行第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域之间。本发明通过引入厚氧化层结构和第二导电类型阳极区域改善抗单粒子栅穿性能。相比于现有技术，本发明具有低的氧化层峰值电场，改善了抗单粒子栅穿性能。