钒基固溶体贮氢合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN1417363A

    公开(公告)日:2003-05-14

    申请号:CN02128016.9

    申请日:2002-12-10

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 一种钒基固溶体贮氢合金及其制备方法,涉及金属功能材料及其制备方法,主要解决钒基固溶体贮氢合金制备的低成本化问题。适用于钒基固溶体贮氢合金和钛基贮氢合金的制备。本发明制备包括:原料的选择与处理,配料与混料,制作反应器,加料与点燃点火剂进行反应,冷却合金与熔渣,破渣取合金。本发明的优点在于原料价格低廉、所用设备结构简单、方法易操作,制备过程全可在大气下进行,制备能耗低,适于工业规模化生产。

    X射线残余应力测定装置和方法

    公开(公告)号:CN1049496C

    公开(公告)日:2000-02-16

    申请号:CN97101150.8

    申请日:1997-02-03

    Applicant: 重庆大学

    Inventor: 周上祺 任勤 郑林

    Abstract: 一种X射线残余应力测定装置和方法,其装置是在现有X射线残余应力测定装置的基础上改X射线管为短波长X射线管,且管电压高,所用接收狭缝为限位接收狭缝,其方法是在现有装置的测定方法中采用短波长标识X射线,使被测点位于测角仪圆圆心,且通过限位接收狭缝,只允许被测点的衍射线进入辐射探测器。本发明能自动、无损、真实地测定X射线穿透范围内的残余应变和残余应力在工件中的三维分布,具有高效、无损、操作简便等优点。

    快速深层氮化处理工艺
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1069076A

    公开(公告)日:1993-02-17

    申请号:CN91107261.6

    申请日:1991-07-27

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 快速深层氮化处理工艺,由工件在通氨的氮化炉内从室温开始升温,周期性的氮化-时效和随炉冷却至某一温度停止供氨后出炉空冷组成。这种处理工艺能耗低,工件变形小,工艺简单,操作方便,采用本发明进行工件深层氮化处理时,平均氮化速度较现有工艺提高一倍以上,它既节约能源,又节约工时。本发明适用离子氮化,气体氮化,盐浴氮化和软氮化。

    钢的空气/汽油离子多元共渗工艺

    公开(公告)号:CN1718837A

    公开(公告)日:2006-01-11

    申请号:CN200510057118.9

    申请日:2005-06-14

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 一种钢的空气/汽油离子多元共渗工艺涉及钢表面强化工艺,它是利用以空气为主的气体为气源,由汽油挥发提供碳源,以实现氮、碳、氧多元共渗。本发明包括将调质后的工件清洗、干燥、入炉,将离子渗氮炉内抽成真空,输入直流电压,按比例输入空气和汽油同时加热,保温,炉冷,出炉。本发明因不用氨气或氮氢气,降低了成本,减少了环境污染和高压气瓶带来的安全隐患,能提高渗氮工件的耐磨性能和硬度。适用于碳钢、合金结构钢和工模具钢的表面强化。

    钒基固溶体贮氢合金VaTibNicCrdAle的制备方法

    公开(公告)号:CN1189580C

    公开(公告)日:2005-02-16

    申请号:CN02128016.9

    申请日:2002-12-10

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 一种钒基固溶体贮氢合金VaTibNicCrdAle的制备方法,涉及金属功能材料的制备方法,主要解决钒基固溶体贮氢合金制备的低成本化问题。适用于钒基固溶体贮氢合金和钛基贮氢合金的制备。本发明制备包括原料的选择与处理,制作反应器,配料与混料,加料与点燃点火剂进行反应,冷却合金与熔渣,破渣取合金。本发明的优点在于原料价格低廉、所用设备结构简单、方法易操作,制备过程全可在大气下进行,制备能耗低,适于工业规模化生产。

    锥度限位接收狭缝
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1264831A

    公开(公告)日:2000-08-30

    申请号:CN00112750.0

    申请日:2000-03-08

    Applicant: 重庆大学

    Inventor: 周上祺 任勤

    Abstract: 一种锥度限位接收狭缝,属于X射线分析装置中的部件。本发明在锥度限位接收狭缝的内套上套有外形与该狭缝相同且端口有连接限位片的活动外套,由狭缝相对外套的滑动来改变狭缝的有效长度。在狭缝外套的连接限位片上加工有与狭缝端口匹配的通孔,在空心锥形内套内沿锥度方向嵌入多层单晶片,在狭缝上装有复位机构。本发明狭缝长度可调,能消除干扰谱线,从而提高测量精度。

    强化氮化处理工艺
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1069075A

    公开(公告)日:1993-02-17

    申请号:CN91107260.8

    申请日:1991-07-27

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 强化氮化处理工艺,由工件在通氮的氮化炉中的升温(从室温开始),氮化,降温至某一温度时效和随炉冷却至一定温度出炉空冷组成。这种处理工艺能耗低,工件变形小,工艺简单,操作方便,和处理时间相同的常规氮化工艺相比,能大大提高氮化件的耐磨性,硬度峰值增加30~70%,硬化层深增加20~50%。本发明适用于离子氮化,气体氮化,盐浴氮化和软氮化。

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