公开(公告)号：CN100539201C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510087971.5

申请日：2005-07-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J·Y·桂 ,  J·L·斯皮瓦克 ,  A·R·杜加尔 ,  J·A·塞拉 ,  A·阿利扎德 ,  A·亚基莫夫

IPC: H01L31/04 ,  H01G9/20 ,  H01M14/00

CPC classification number: H01L51/4253 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0595 ,  H01L51/4206 ,  H01L51/426 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了光电池，所述光电池包括：能够吸收电磁辐射的吸收剂；包括第一导电表面的第一基底；包括第二导电表面的第二基底，第二导电表面和第一导电表面相对，并且面对着第一基底的第一导电表面；电子传送剂，它和第二基底的第二导电表面进行电传递，但是和第一基底是电绝缘的；空穴传送剂，它和第一基底的第一导电表面进行电传递，但是和第二基底是电绝缘的；其中空穴传送剂和/或电子传送剂化学键合到电绝缘壳层上，并且空穴传送剂和/或电子传送剂化学键合到吸收剂上。

公开(公告)号：CN1886196A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480035451.3

申请日：2004-07-29

Applicant: 通用电气公司

Inventor： G·基尚 ,  R·维特里维尔 ,  N·P·库卡利卡 ,  A·M·达拉 ,  J·L·马尔 ,  J·L·斯皮瓦克 ,  A·V·拉马斯瓦米 ,  A·P·辛

IPC: B01J29/00 ,  C01B37/02 ,  C07C37/20

CPC classification number: C01B39/026 ,  B01J27/188 ,  B01J29/0308 ,  B01J29/06 ,  B01J29/70 ,  B01J2229/186 ,  B01J2229/32 ,  C01B37/02

Abstract: 本文公开了包括式(I)、(II)、(III)的结构单元的沸石组合物，其中“B”和“C”为包括C2－C20烃基的间隔基，和R1和R2彼此独立地包括碱金属、氢或C1－C20烷基。沸石组合物还包括由式：(M3)3(M4)(M5)12O40的杂多酸化合物得到的结构单元；其中M3包括氢或碱金属；M4包括磷或硅，和M5包括钨或钼。还公开了制备这些沸石组合物的方法。沸石组合物用作生产双酚的催化剂。

公开(公告)号：CN1734792A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510087971.5

申请日：2005-07-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J·Y·桂 ,  J·L·斯皮瓦克 ,  A·R·杜加尔 ,  J·A·塞拉 ,  A·阿利扎德 ,  A·亚基莫夫

IPC: H01L31/04 ,  H01G9/20 ,  H01M14/00

CPC classification number: H01L51/4253 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0595 ,  H01L51/4206 ,  H01L51/426 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了光电池，所述光电池包括：能够吸收电磁辐射的吸收剂；包括第一导电表面的第一基底；包括第二导电表面的第二基底，第二导电表面和第一导电表面相对，并且面对着第一基底的第一导电表面；电子传送剂，它和第二基底的第二导电表面进行电传递，但是和第一基底是电绝缘的；空穴传送剂，它和第一基底的第一导电表面进行电传递，但是和第二基底是电绝缘的；其中空穴传送剂和/或电子传送剂化学键合到电绝缘壳层上，并且空穴传送剂和/或电子传送剂化学键合到吸收剂上。

公开(公告)号：CN1719618A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200510082507.7

申请日：2005-07-06

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J·L·斯皮瓦克 ,  S·V·加萨维 ,  O·P·西克洛万

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/04 ,  H01G9/20 ,  H01M14/00 ,  C07F7/18

CPC classification number: H01G9/2031 ,  H01G9/2004 ,  H01G9/2059 ,  H01L51/0086 ,  Y02E10/542

Abstract: 披露一种染料敏化的氧化物半导体电极，其包括导电底层、在所述的导电底层表面上配备的氧化物半导体薄膜、以及吸附于所述薄膜上的敏化染料，其中氧化物半导体薄膜用至少一种包含部分结构R1－Si－R2，其中R1和R2各自独立为烷基、或者R1为烷基且R2为氢或芳基的硅烷化剂，进一步处理过。也披露包含所述电极的太阳能电池和一种提高太阳能电池效率的方法。与没有钝化电极的类似电池相比较，本发明的太阳能电池显示出提高的效率和其他的优越性能。

公开(公告)号：CN1349492A

公开(公告)日：2002-05-15

申请号：CN00806910.7

申请日：2000-04-11

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J·L·斯皮瓦克 ,  小D·W·怀森亨特 ,  J·N·考斯 ,  G·L·索洛维奇

IPC: C07C68/00 ,  B01J31/26

CPC classification number: B01J31/0231 ,  B01J31/0239 ,  B01J31/0251 ,  B01J31/0271 ,  B01J31/2234 ,  B01J2231/34 ,  B01J2531/16 ,  B01J2531/38 ,  B01J2531/46 ,  B01J2531/54 ,  B01J2531/62 ,  B01J2531/72 ,  B01J2531/824 ,  B01J2531/842 ,  B01J2531/847 ,  C07C68/005 ,  C07C69/96

Abstract: 一种由芳族羟基化合物经济地生产芳族碳酸酯的方法及催化剂体系。在一个实施方案中,本发明提供了一种芳族羟基化合物羰基化的方法,其方法是在羰基化催化剂体系的存在下,使至少一种芳族羟基化合物与氧和一氧化碳接触,该催化剂体系中包含一种催化量的含镱无机助催化剂。在各种可供选择的实施方案中,该羰基化催化剂体系可以包含一种有效量的钯源和一种有效量的卤化物组合物。另外一些可供选择的实施方案可以包含催化量的各种无机助催化剂混合物。