有机电致发光器件
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108933197B

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN201810495632.8

    申请日:2018-05-22

    Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光器件,所述有机电致发光器件包含第一电极、至少一个第二电极、至少一个发光层和至少一个电子传输区域,其中所述发光层和所述电子传输区域布置在所述至少一个第二电极和所述第一电极之间,并且所述电子传输区域布置在所述发光层和所述至少一个第二电极之间,其中所述至少一个电子传输区域包含:第一电子传输层,所述第一电子传输层优选不包含n型掺杂剂;和性能增强层,所述性能增强层在1200nm的波长处具有≤1.6的折射率;其中所述第一电子传输层布置在所述发光层和所述性能增强层之间;并且所述性能增强层布置在所述第一电子传输层和所述至少一个第二电极之间。

    电子半导体器件和制备电子半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN110521014A

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201880012813.9

    申请日:2018-02-20

    Abstract: 本发明涉及一种电子器件和制备所述电子器件的方法,所述电子器件在第一电极与第二电极之间包含至少一个第一空穴传输层,其中所述第一空穴传输层包含:(i)至少一种由共价键合的原子构成的第一空穴传输基质化合物和(ii)至少一种p型电掺杂剂,所述p型电掺杂剂选自金属盐和选自电中性金属络合物,所述电中性金属络合物包含金属阳离子和由至少4个共价键合的原子构成的至少一种阴离子配体和/或至少一种阴离子,其中所述p型电掺杂剂的金属阳离子选自:碱金属;碱土金属、Pb、Me、Fe、Co、Ni、Zn、Cd;处于氧化态(II)或(III)的稀土金属;Al、Ga、In;以及选自处于氧化态(TV)或更低氧化态的Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo和W;条件是排除:a)包含具有通式(Ia)或(Ib)的阴离子或阴离子配体的p型掺杂剂,其中A1、A2、A3和A4独立地选自CO、SO2或POR1;R1=吸电子基团,其选自:卤素、腈、卤代或全卤代的C1~C20烷基、卤代或全卤代的C6~C20芳基、或具有5~20个成环原子的卤代或全卤代的杂芳基;B1、B2、B3和B4相同或独立地选自:取代或未取代的C1~C20烷基、取代或未取代的C1~C20杂烷基、取代或未取代的C6~C20芳基、取代或未取代的C5~C20杂芳基,或B1和B2形成环;以及b)由Li阳离子和选自高氯酸根和四氟硼酸根的阴离子构成的p型掺杂剂,并且所述第一空穴传输层包含子层,其中按重量和/或体积计以超过可以另外包含在所述子层中的其它组分的总量的量包含所述电掺杂剂。

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