公开(公告)号：CN119085885A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411014861.5

申请日：2024-07-26

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 ,  杭州市第一人民医院

Inventor： 保宏 ,  范恒祯 ,  赵振义 ,  陈康宇 ,  周赟磊 ,  江山 ,  王利民 ,  方震宇

IPC: G01K11/3206 ,  A61B18/02 ,  G01B11/16

Abstract: 本申请公开了一种实时测量冷冻消融区域温度分布的方法，涉及及温度测量技术领域，其包括通过大量仿真数据分析针轴上的应变敏感点，采用粒子群优化算法分析传感器的最优布设点，建立起手柄处输入应变与切割端输出应变的关系，得到离散应变数据，根据温度‑应变解耦方程解算出离散点温度影响的波长变化量并解算出离散温度场，采用平滑单元算法将冷冻消融针针轴划分为若干个单元，通过对每个单元平滑温度场与温度梯度的最小二乘误差泛函求最小值，得到冷冻消融针针轴上连续的温度场，实现对冷冻消融针的实时温度测量。本申请具有减少冷冻消融针置入靶向组织区域时因应变与温度的双重作用而影响切割针尖处光纤光栅传感器测量精度的情况发生的效果。

公开(公告)号：CN119001929A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411326557.4

申请日：2024-09-23

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 江山 ,  冯兴东 ,  杨家朋 ,  保宏 ,  牛胜涛

IPC: G02B1/00

Abstract: 本发明实施例公开了一种单层超表面结构，用于同时实现近红外与远红外激光低反射、红外低辐射以及热管理，所述单层超表面结构包括底层连续金属膜、中间介质膜层、顶层离散金属层；所述底层连续金属膜层，用于实现对电磁波的全反射使得透射率为零；所述中间介质膜层，用于在10.6μm波长处引入谐振吸收，并且通过调节其厚度控制入射电磁波经底层连续金属膜反射后的相位；所述顶层离散金属层设置在中间介质膜层上，用于使入射电磁波在金属区域和非金属区域形成反射相位差实现对近红外电磁波散射场波前的调控，还用于引入局域表面等离子体共振实现红外选择吸收。

公开(公告)号：CN118046643A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410118019.X

申请日：2024-01-29

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 周赟磊 ,  齐浩宇 ,  保宏 ,  王亚楠

IPC: B32B27/02 ,  B32B27/30 ,  B32B27/40 ,  B32B27/12 ,  B32B33/00 ,  B32B27/06 ,  B32B27/28 ,  B32B27/08 ,  B32B25/08

Abstract: 本申请涉及柔性电子技术领域，具体公开了一种超稳的高灵敏负介电柔性传感器介电层制备的方法，首先配制基底材料溶液。然后通过纺丝工艺制备纳米纤维多孔膜，最后将制备的纳米纤维多孔膜到的切成纳米纤维多孔膜基底，取Ag纳米颗粒放入分散液中，在冰浴的状态下预先超声分散，使Ag纳米颗粒成为微小颗粒并均匀的分散在分散液中，将切好的纳米纤维多孔膜基底放入预先分散好的分散液中冰浴超声，之后将纳米纤维多孔膜基底捞出，使用与分散液相同的物质冲洗，然后放入烘箱烘干，烘干后得到制备的具有负相对介电常数的传感器介电层。上述制备方法制得的电极，避免了因Ag纳米颗粒分散不均或者团聚而降低介电层的电学性能和力学性能。

公开(公告)号：CN117470085A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311131837.5

申请日：2023-09-04

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 周赟磊 ,  保宏 ,  江山 ,  钟申洁 ,  曹晨 ,  胡瑞贤

IPC: G01B7/16

Abstract: 本发明公开一种了超灵敏应变传感器及其制备方法，所述超灵敏应变传感器包括上电极、介电层和下电极，所述下电极、介电层和上电极依次层叠设置，所述介电层由柔性基底及填充于所述柔性基底中的离子液体组成，所述柔性基底相对于所述离子液体的质量分数为10～75wt％。本发明所述介电层由柔性基底及填充于所述柔性基底中的离子液体组成，所述柔性基底相对于所述离子液体的质量分数为10～75wt％，经过拉伸后，厚度不仅改变了电容，也改变了离子液体的排布方式，进而改变了离子谐振，实现了应变超灵敏感知，因此该种超灵敏应变传感器灵敏度可突破理论上线，超过100，是当前超灵敏应变传感器灵敏度的100倍以上，同时该种传感器具备超过200％的大量程。

公开(公告)号：CN117213705A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311131886.9

申请日：2023-09-04

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 周赟磊 ,  江山 ,  钟申洁 ,  保宏 ,  张昭 ,  吴锟

IPC: G01L19/06 ,  G01L19/00

Abstract: 本发明公开一种近零电容传感器及其制备方法，所述近零电容传感器包括上电极、介电层和下电极，所述下电极、介电层和上电极依次层叠设置，所述介电层由柔性基底及填充于所述柔性基底中的导电材料组成，所述导电材料相对于所述柔性基底的质量分数为5～50wt％。本发明所述介电层由柔性基底及填充于所述柔性基底中的导电材料组成，所述导电材料相对于所述柔性基底的质量分数为5～50wt％，在施加应变或者压力时，导电填料排布方式发生改变，近零电容值处于临界态不稳定，近零电容值很快跃迁到1nf左右，实现了1000以上灵敏度的超灵敏感知，进而突破了原有灵敏度的限制，对应变和压力的响应都极其敏感，灵敏度极高。