公开(公告)号：CN109658990A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811368585.7

申请日：2018-11-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 吕锐婵 ,  肖历杨 ,  蒋雪 ,  王燕兴 ,  刘军 ,  田捷

IPC: G16C20/70

Abstract: 本发明涉及一种发光粉合成比例的优化方法，包括以下步骤：S01：建立算法库，所述算法库包括遗传算法、粒子群算法和模拟退火算法；S02：从所述算法库选择目标算法，并根据所述目标算法设置参数；S03：依次获取n个初代发光粉数据，每一个所述初代发光粉数据为一个发光粉粒子中的每一种元素的组成比例及所述发光粉粒子的量子产率，其中n为正整数；S04：根据所述初代发光粉数据，利用所述目标算法，计算得到发光粉合成比例。本发明提出的发光粉合成比例的优化方法提供多种优化算法来指导发光粉合成工作，通过提前设置程序并完成代码编写，既解决了传统指导发光粉合成工作中算法单一的问题，又解决了传统算法中需要自行设计程序及代码编写的问题。

公开(公告)号：CN114425092B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202111595342.9

申请日：2021-12-23

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 吕锐婵 ,  林碧 ,  王展 ,  刘凯凯 ,  王燕兴 ,  蔡伶伶 ,  袁瑛 ,  陶晓峰

IPC: A61K49/00 ,  A61K49/08 ,  A61K41/00 ,  A61K47/22 ,  A61K31/53 ,  A61P35/00 ,  B82Y5/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种MRI/NIR II双模成像的喷洒造影剂及其制备法方法和应用。MRI/NIR II双模成像的稀土探针包括：具有近红外二区荧光成像元素以及磁共振成像元素的镧系氟氧化物纳米材料REOF:Ln，以及负载在纳米材料REOF:Ln表面的双氢青蒿素和卡马替尼，其结构通式为：REOF:Ln‑DHA‑Cap，其中，RE和Ln均为镧系元素，RE包括磁共振成像元素，Ln包括敏化剂元素、上转化发光元素和近红外二区荧光元素，DHA为双氢青蒿素，Cap为卡马替尼。本发明的MRI/NIR II双模成像的稀土探针中的纳米材料REOF:Ln具有较好的磁共振成像(MRI)和近红外二区荧光性能，其穿透深度深，荧光强度强，能够实现喷洒后的舌癌NIRII成像效果。

公开(公告)号：CN114425092A

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN202111595342.9

申请日：2021-12-23

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 吕锐婵 ,  林碧 ,  王展 ,  刘凯凯 ,  王燕兴 ,  蔡伶伶 ,  袁瑛 ,  陶晓峰

IPC: A61K49/00 ,  A61K49/08 ,  A61K41/00 ,  A61K47/22 ,  A61K31/53 ,  A61P35/00 ,  B82Y5/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种MRI/NIR II双模成像的喷洒造影剂及其制备法方法和应用。MRI/NIR II双模成像的稀土探针包括：具有近红外二区荧光成像元素以及磁共振成像元素的镧系氟氧化物纳米材料REOF:Ln，以及负载在纳米材料REOF:Ln表面的双氢青蒿素和卡马替尼，其结构通式为：REOF:Ln‑DHA‑Cap，其中，RE和Ln均为镧系元素，RE包括磁共振成像元素，Ln包括敏化剂元素、上转化发光元素和近红外二区荧光元素，DHA为双氢青蒿素，Cap为卡马替尼。本发明的MRI/NIR II双模成像的稀土探针中的纳米材料REOF:Ln具有较好的磁共振成像(MRI)和近红外二区荧光性能，其穿透深度深，荧光强度强，能够实现喷洒后的舌癌NIRII成像效果。