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公开(公告)号:CN100463092C
公开(公告)日:2009-02-18
申请号:CN200610104904.4
申请日:2006-11-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01H33/66 , H01H33/664
Abstract: 本发明涉及一种高额定电流值的高压真空断路器,真空灭弧室极柱的结构包括有作为绝缘支柱的陶瓷套管,在陶瓷套管内装有真空灭弧室,真空灭弧室的两端分别有静导电杆和动导电杆,静导电杆周围有上导电环和上法兰,并在陶瓷套管外面设有和上导电环连接的上接线端子;动导电杆周围有下导电环和导电支撑,导电支撑的下方有下法兰,并通过下导电环连接陶瓷套管外面的下接线端子;在上法兰的上方还有第一散热器,在下法兰周围设有第二散热器,在陶瓷套管与真空灭弧室以及陶瓷套管与导电支撑之间的空隙中有绝缘油;静导电杆上设有套有不锈钢支撑的蒸发孔,蒸发孔的周围有多个回流孔,蒸发孔的底部装有液态工质。能够显著提高高压真空断路器的额定电流。
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公开(公告)号:CN1963971A
公开(公告)日:2007-05-16
申请号:CN200610104904.4
申请日:2006-11-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01H33/66 , H01H33/664
Abstract: 本发明涉及一种高额定电流值的高压真空断路器,真空灭弧室极柱的结构包括有作为绝缘支柱的陶瓷套管,在陶瓷套管内装有真空灭弧室,真空灭弧室的两端分别有静导电杆和动导电杆,静导电杆周围有上导电环和上法兰,并在陶瓷套管外面设有和上导电环连接的上接线端子;动导电杆周围有下导电环和导电支撑,导电支撑的下方有下法兰,并通过下导电环连接陶瓷套管外面的下接线端子;在上法兰的上方还有第一散热器,在下法兰周围设有第二散热器,在陶瓷套管与真空灭弧室以及陶瓷套管与导电支撑之间的空隙中有绝缘油;静导电杆上设有套有不锈钢支撑的蒸发孔,蒸发孔的周围有多个回流孔,蒸发孔的底部装有液态工质。能够显著提高高压真空断路器的额定电流。
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公开(公告)号:CN1298004C
公开(公告)日:2007-01-31
申请号:CN200410025999.1
申请日:2004-03-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01H85/041 , H01H85/05 , H01H85/06 , H01H85/47
Abstract: 大容量短路电流开断器,包括相互串联的真空熔断器和限流熔断器,限流熔断器包括设置在绝缘套内的串联联接的导电块,在相邻的两导电块之间分别设置有条状的环形熔体。由于本发明将真空熔断器和限流熔断器串联联接,用真空熔断器完成低过载电流的开断,用限流熔断器完成大过载电流和短路电流的开断,利用限流熔断器固有的限流特性来完成短路电流的限流开断,由真空熔断器来控制被迫开断后的短路电流的重燃。另外本发明在限流熔断器的相邻两导电块之间分别设置有条状的环形熔体,使其在正常工作条件下的功耗大幅度地降低和不需要任何控制元件来判断短路电流的性质,即能迅速可靠开断短路电流。
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公开(公告)号:CN114883143B
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202210706775.5
申请日:2022-06-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01H33/666
Abstract: 本发明公开了一种用于高压真空断路器分闸过程的缓冲装置及方法,包括固定套设在高压真空断路器的操动杆上的圆盘式承力结构件,以及正对布置在高压真空断路器的操动杆两侧的Y形缓冲结构件;圆盘式承力结构件的两侧分别位于对应的Y形缓冲结构件的第一杆件和第二杆件之间,每个Y形缓冲结构件的第三杆件的端部连接有弹性出力装置;在高压真空断路器分闸中期,弹性出力装置通过Y形缓冲结构件能够向圆盘式承力结构件施加弹性阻力;在高压真空断路器分闸后期,弹性出力装置通过Y形缓冲结构件能够向圆盘式承力结构件施加弹性动力。本发明可实现对动触头进行分闸中期缓冲与分闸后期加速的目的,从而提高真空断路器对长间隙下大电流电弧的开断能力。
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公开(公告)号:CN117039441A
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202310899878.2
申请日:2023-07-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及一种类电磁诱导透明超材料单元、制备方法及阵列,包括:衬底、第一谐振器和第二谐振器,第一谐振器和第二谐振器设置于衬底上表面,第一谐振器为环状,第二谐振器为与第一谐振器形状相同的有开口的环状,第二谐振器设置于第一谐振器环状容置腔内,其中,第一谐振器的中心点与第二谐振器的中心点重合,第一谐振器与第二谐振器之间有均匀的间隙,第二谐振器的高度大于第一谐振器的高度。本发明两个谐振器的高度不同,使其在超材料的表面具有电场跌落效应,增强了超材料表面的谐振电场,加强了谐振结构之间的耦合,并增强电磁诱导透明效应。
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公开(公告)号:CN112630640B
公开(公告)日:2022-02-22
申请号:CN202011435858.2
申请日:2020-12-09
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R31/327 , G01R1/28 , G01R1/02
Abstract: 本发明提供的一种两电平电压源的直流断路器合成试验回路及方法,包括电流源和两电平电压源,其中,电流源和两电平电压源均并接于试品直流断路器两端;本发明由两电平电压源等效瞬态开断电压,既可以保障试验时有足够的瞬态开断电压及持续时间,也可以提供直流断路器开断后需承受的直流系统电压,试验回路简单且等价性高;电流源与两电平电压源相互配合能等效出与直流断路器实际开断时更加相符的电流和电压应力,使直流断路器的开断性能得到可靠验证,试验回路的容量小、结构简单、经济性高。
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公开(公告)号:CN112630640A
公开(公告)日:2021-04-09
申请号:CN202011435858.2
申请日:2020-12-09
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R31/327 , G01R1/28 , G01R1/02
Abstract: 本发明提供的一种两电平电压源的直流断路器合成试验回路及方法,包括电流源和两电平电压源,其中,电流源和两电平电压源均并接于试品直流断路器两端;本发明由两电平电压源等效瞬态开断电压,既可以保障试验时有足够的瞬态开断电压及持续时间,也可以提供直流断路器开断后需承受的直流系统电压,试验回路简单且等价性高;电流源与两电平电压源相互配合能等效出与直流断路器实际开断时更加相符的电流和电压应力,使直流断路器的开断性能得到可靠验证,试验回路的容量小、结构简单、经济性高。
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公开(公告)号:CN106653466A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201610901065.2
申请日:2016-10-17
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01H33/664
CPC classification number: H01H33/6642
Abstract: 本发明公开了一种杯状横向磁场与纵向磁场结合真空灭弧室触头,属于电器技术领域,包括一对导电杆、一对触头杯和一对触头片。其中触头杯杯口相对放置,一对触头片分别连接于两个触头杯的杯口,一对导电杆分别连接于两个触头杯杯底外侧并向相反方向延伸。触头杯的杯底开特定形状和分布的槽,使之能控制杯底的电流螺旋分布,杯壁上开斜槽控制杯壁上的电流密度具有环向分量;触头片为片状,作为起弧与燃弧承载部件。该真空灭弧室触头在分断电流时,通过两触头杯杯底开槽控制的螺旋状电流分布可以产生一定的纵向磁场,并在触头片间相互叠加增强;通过两触头杯杯壁上的斜槽控制的电流分布可以产生横向磁场,并在触头片间相互叠加增强。
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公开(公告)号:CN104505300A
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:CN201410842430.8
申请日:2014-12-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01H33/664
Abstract: 本发明公开了一种真空灭弧室横向磁场触头,属于电器技术领域,包括两个导电杆和两个触头片;其中,第一导电杆设置在第一触头片一个端面的中心上,第二导电杆设置在第二触头片一个端面的中心上,第一触头片和第二触头片均在周向均匀开设有若干对开槽,每对开槽均包括两端面开口的第一开槽以及两端面开口且周向开口的第二开槽;使用时,第一触头片和第二触头片上的若干对开槽呈镜像对称设置。本发明触头开槽结构的特殊之处在于它有四对开槽,每对开槽包括第一开槽和第二开槽,并且第一开槽和相邻一对开槽中的第二开槽相互配合使电弧在触头片四分之一的面积内形成了分别适用于不同起弧点的两条电弧运动通路。
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公开(公告)号:CN1236464C
公开(公告)日:2006-01-11
申请号:CN200310105867.5
申请日:2003-10-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01H33/66 , H01H33/664 , H01H33/666
Abstract: 本发明公开了一种超高压真空断路器。它由多个真空灭弧室极柱串联组成,整个超高压真空断路器由陶瓷或其它绝缘材料制成的绝缘子作为绝缘支柱。在每个真空灭弧室极柱的套管内安装有高压真空灭弧室,与真空灭弧室动导电杆通过触头施压弹簧组件相连的永磁操动机构和光电自动控制装置。本发明将超高压断路器的操动机构上移,省去了绝缘拉杆组件和变直机构,简化了布置和传动方式,其零件数减小到相应等级超高压断路器的1/3以下,结构紧凑,提高了断路器的可靠性,还可实现远距离控制。起支撑作用的空心套管变为机械性能更好的实心绝缘子,极大地降低了加工难度和加工成本。其制造工艺简单,造价低,使用寿命长,同步操作可达到微秒级,稳定性高。
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