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公开(公告)号：CN105489460B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201510943407.2
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所 , 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种K波段同轴相对论返波振荡器，包括：阳极，其为包含有慢波结构的圆柱波导腔；阴极，其设置在所述圆柱波导腔内并通过绝缘子连接在所述阳极的一个端面上；电子束引导栅网，其设置在所述圆柱波导腔内并位于所述阴极的电子发射端的下游；同轴内导体，其为圆柱体结构；所述同轴内导体的一端设置在所述圆柱波导腔内，另一端通过金属支架连接在所述阳极的另一个端面上；且所述同轴内导体与所述阴极、所述圆柱波导腔形成同轴结构。本发明采用电子束透过率大于90％的电子束引导栅网引导电子束进入束波互作用区，降低了所需的外部磁场强度，使得器件需要的引导磁场降低至0.5T，减小了器件外部庞大的引导磁场系统的尺寸以及对能源提供的需求。
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公开(公告)号：CN104409302A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410414826.2
申请日：2014-08-21
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01J25/22
CPC classification number: H01J25/22
Abstract: 本发明公开一种X波段过模相对论速调管放大器包括：环形阴极、谐振反射器、输入腔、第一段漂移管、吸波材料、群聚腔、第二段漂移管、输出腔和磁场线圈；所述环形阴极位于结构最前端，在高压脉冲作用下向外发射环形相对论电子束；所述谐振反射器、输入腔、第一段漂移管、吸波材料、群聚腔、第二段漂移管和输出腔依次置于环形阴极后侧；所述磁场线圈安装在整个结构的外围；所述谐振反射器、输入腔、群聚腔和输出腔工作模式为TM02模，所述第一段漂移管和第二段漂移管可传输TM01模。采用本发明的技术方案，可产生高功率X波段微波。
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公开(公告)号：CN109872933B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201910080324.3
申请日：2019-01-28
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01J23/087 , H01J23/10 , H01J61/02
Abstract: 本发明属于高功率微波技术领域，公开了一种减小电子束径向振荡相位差的方法，该方法立足于提高冷阴极爆炸发射电子初始相位的一致性，部分解决低引导磁场条件下爆炸发射电子速度离散引起的径向振荡问题。所述减小电子束径向振荡相位差的方法可以通过在冷阴极爆炸发射表面附近区域加载非均匀磁场加以实现。非均匀磁场的加载可以调整冷阴极表面附近的引导磁场位形，提高发射电子出射方向和运动路径的一致性，进而抑制电子之间由于速度离散引起的径向剧烈振荡。将该技术应用于低引导磁场高功率微波产生器件研制中，能够改进爆炸发射电子束的束流品质，提高高功率微波产生器的工作效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN105277816B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201410339635.4
申请日：2014-07-16
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开一种高功率微波耦合测量装置包括：法兰、主波导、耦合波导、电探针、绝缘支撑结构、同轴外导体以及射频同轴连接器；电探针、同轴外导体与绝缘支撑结构组成同轴结构的波导，通过绝缘支撑结构将电探针紧固于同轴外导体内；其中，主波导通过法兰直接与高功率微波源微波输出通路或者高功率微波接收天线相连；耦合波导，与主波导和同轴外导体连接，用于对主波导中的高功率微波信号进行少量耦合取样，并进一步馈入到由电探针和同轴外导体共同组成的同轴结构中；射频同轴连接器分别与同轴外导体和外部同轴电缆连接。采用本发明的技术方案，提高测量装置的功率容量和可靠性。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN106879153B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710038695.6
申请日：2017-01-18
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明公开一种高功率微波介质窗击穿真空侧等离子体诊断装置及方法，装置主要包括馈源喇叭、位于馈源喇叭底部的介质窗、长度不同的光纤束、光谱仪和相机，所述馈源喇叭靠近介质窗的侧壁上分别在沿着三个方向开有矩阵阵列光纤孔；所述三个方向包括与电场极化方向平行的Y方向，与电场极化方向垂直的X方向，以及与微波传输方向平行或有一定夹角的Z方向；光纤束的输入端分别插入所述光纤孔中；光纤束的输出端的光纤以单排方式依次与光谱仪输入端连接，光谱仪的输出端与相机连接；该装置能够在单次微波脉冲内诊断等离子体的时间和空间分布。
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公开(公告)号：CN206937060U
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201720722689.8
申请日：2017-06-20
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本实用新型属于表面处理领域，公开了一种研磨抛光设备。该设备的床身位于设备最下层，主轴部件位于床身上最左端；金刚石磨笔位于主轴部件右侧，且靠近床身的内侧边缘；Z轴方向进给部件固定于床身最右端；X轴方向进给部件垂直安装于Z轴方向进给部件之上；电主轴安装于X轴方向进给部件上方，并与主轴部件轴线平行；抛光磨头通过磨头延长杆连接于电主轴上；表面粗糙度测量仪固定于电主轴外侧；冷却喷水管位于磨头延长杆内侧面。本实用新型实现了复杂结构表面的均匀抛光，一次抛光工序完成整个轮廓的完整抛光，抛光精度达到Ra0.05，并且不用拆卸待抛光零件即可进行表面粗糙度的即时测量。
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公开(公告)号：CN205177767U
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201521052870.X
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所 , 西北核技术研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种21GHz同轴相对论返波振荡器，包括：阳极，其为包含有慢波结构的圆柱波导腔；阴极，其设置在所述圆柱波导腔内并通过绝缘子连接在所述阳极的一个端面上；电子束引导栅网，其设置在所述圆柱波导腔内并位于所述阴极的电子发射端的下游；同轴内导体，其为圆柱体结构；所述同轴内导体的一端设置在所述圆柱波导腔内，另一端通过金属支架连接在所述阳极的另一个端面上；且所述同轴内导体与所述阴极、所述圆柱波导腔形成同轴结构。本实用新型采用电子束透过率大于90％的电子束引导栅网引导电子束进入束波互作用区，降低了所需的外部磁场强度，使得器件需要的引导磁场降低至0.5T，减小了器件外部庞大的引导磁场系统的尺寸以及对能源提供的需求。
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公开(公告)号：CN204104064U
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201420432420.2
申请日：2014-07-31
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本实用新型公开一种强电磁环境下高功率微波信号采集系统，包括：本地采集部分和远程部分。本地采集部分与远程部分通过光纤连接，远程部分包括：微波暗室，在微波暗室内设有远程光纤交换机、远程计算机，本地采集部分包括：电磁屏蔽箱，在电磁屏蔽箱设有数字示波器、视频编码器、本地光纤交换机和滤波电源。采用本实用新型的技术方案，具有简化系统，使系统一体化集成的特点。
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