公开(公告)号：CN100521018C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200410095284.3

申请日：2004-11-22

Applicant: 达方电子股份有限公司

Inventor： 吴旻修

IPC: H01G13/00 ,  H01G4/00

Abstract: 本发明公开一种晶片入料装置及晶片入料方法，适用于长边长L、短边长W、且L＞W的晶片，可顺利地将晶片导正为短边向下，上述晶片入料装置包含：一下模具，具有多个间隔排列的漏斗型的第一模孔，上述各第一模孔分别具有宽度R11的一上开口与宽度R12的一下开口，且R11＞L＞R12＞W；以及一上模具于上述下模具上，具有对应于上述第一模孔的多个第二模孔，上述各第二模孔分别具有宽度R2的一第二开口，且R2＞L。

公开(公告)号：CN101656152B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200810131008.6

申请日：2008-08-19

Applicant: 达方电子股份有限公司

Inventor： 裴修祥 ,  吴旻修

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/228 ,  H01G4/252 ,  H01B1/16 ,  H01B1/00

Abstract: 本发明提供一种多层陶瓷电容器及其形成方法。该多层陶瓷电容器包含电容陶瓷体、中介连接层以及导电层，电容陶瓷体包含多层介电陶瓷层以及沿着介电陶瓷层的表面形成的多层内部电极，中介连接层形成于电容陶瓷体外，并与部分的内部电极电性连接，导电层覆盖中介连接层，其中，中介连接层的材料包括金属及玻璃助烧剂，导电层的导电材料为聚合物型银胶。