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公开(公告)号：CN103539698A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310497401.8
申请日：2013-10-21
Applicant: 苏州大学
IPC: C07C245/10 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
Abstract: 本发明提供了一种电存储材料与数据存储器件，该电存储材料如式（I）所示，其中，R1与R2各自独立地为碳原子数大于或等于2的烷基。与现有电存储材料相比，式（I）所示的电存储材料的中心基团醌基团与两侧偶氮基团是两个吸电子能力大小不同的基团，两个基团会形成两个不同大小的电荷陷阱，在电场下分子被注入电荷时，小的电荷陷阱先被填满，表现出OFF到ON1的状态，并且随着电场增加电荷持续注入，大的电荷陷阱也被填满，表现出ON1到ON2的状态，因此，该电存储材料表现出对应于OFF-ON1-ON2三个导电态的0，1，2三个信号存储状态，从而具有三进制存储态。
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公开(公告)号：CN101417996B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200810243143.X
申请日：2008-12-09
Applicant: 苏州大学
IPC: C07D401/14 , H01L51/00 , H01L51/40 , H01L51/30
CPC classification number: C09B26/02 , H01L51/0053 , H01L51/0072 , H01L51/0575
Abstract: 本发明公开了一种通式(1)的具有对称结构的含咔唑和萘酰亚胺基团的化合物及制备方法。本发明的化合物可应用于制备电存储器件，为微电子学的进一步发展奠定了基础。
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公开(公告)号：CN114907550B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210403842.6
申请日：2022-04-18
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种集快速吸附与高效降解于一体的双功能纯有机光催化材料的合成方法，通过在两亲性嵌段共聚物中合理引入苝酰亚胺基团，自组装形成胶束用于处理水中污染物。本发明的优点是：苝基两亲性嵌段聚合物自组形成的胶束尺寸均匀，胶束对双酚A表现出超强的吸附能力，在不同的浓度或温度条件下迅速达到稳定的吸附平衡。同时在混合酚类溶液中对双酚A表现出明显的识别选择性和良好的亲和力。此外，胶束对双酚A的有着快速的降解效率。本发明为无金属有机材料用于废水的深度处理制定了新的设计思路。
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公开(公告)号：CN114913884A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210403832.2
申请日：2022-04-18
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明的提供了一种用于超高密度数据存储的纳米存储器及其制备方法，在两亲性嵌段共聚物中合理引入给受体基团，自组装形成胶束作为存储单元，通过纳米阵列基底的诱导实现胶束的阵列化来实现纳米存储器的制备。本发明的优点是：两亲性嵌段聚合物自组装形成的胶束尺寸均匀，所得的胶束能够规则地在基底的诱导下实现阵列化排布，同时基底中的胶束具有良好的半导体特性，可作为纳米存储单元应用到存储器件的开发。与传统的存储设备相比，这种创新的方法大大缩小了存储单元的尺寸，并为未来进一步发展超高密度数据存储器开辟了新的思路。
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公开(公告)号：CN106344588A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610892864.8
申请日：2016-10-13
Applicant: 苏州大学
IPC: A61K31/585 , A61P9/00 , A61P9/10
CPC classification number: A61K31/585
Abstract: 本发明公开了一种蟾酥成分蟾毒灵(bufalin)在制备L-型钙通道Cav1.2亚型阻断剂方面的应用。该化合物通过非G-蛋白偶联受体及非酪氨酸受体依赖途径对Cav1.2型钙通道产生阻断作用，可以构建包含蟾毒灵的Cav1.2通道阻断剂用于临床治疗心脑血管疾病。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102856486B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110177355.4
申请日：2011-06-28
Applicant: 苏州大学
Inventor： 李华
Abstract: 本发明公开了一种纳米复合热电材料的制备方法，包括以下步骤：将氢氧化钠、硼氢化钠在溶剂中混合，得到还原性溶液；将锑源化合物、钴源化合物、络合剂和介孔碳在挥发性极性有机溶剂中混合，干燥后得到第一混合物；将所述还原性溶液与所述第一混合物混合、反应，干燥后得到第二混合物；在氮氢混合气氛下将所述第二混合物置于380～550℃下热处理，反应后得到纳米复合热电材料。与现有技术相比，本发明将制备的纳米量级的锑化钴填充于介孔碳的孔道中，利用介孔碳的孔道限制作用，避免了热处理过程中纳米量级的锑化钴的团聚和长大。实验结果表明，本发明制备的锑化钴纳米复合热电材料中锑化钴纳米颗粒单分散性良好。
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公开(公告)号：CN102437284A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110444853.0
申请日：2011-12-27
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L51/00 , C07C317/32 , C07C315/02
CPC classification number: C07C317/34 , C07C315/04 , C09B35/037 , G11C11/5664 , G11C13/0014 , H01G4/018 , H01G4/18 , H01G4/33 , H01L51/0595
Abstract: 本发明涉及一种电存储材料，具体公开了一种四进制电存储材料及其制备和应用，所述四进制电存储材料的化学结构式如下所示：式中，所述R和R*选自：卤素、硝基或甲氧基中的一种；其中，R1选自：C1～C6的烷基或苯基中的一种。由于本发明所述四进制电存储材料的应用，本发明成功制得四进制数据存储器件，同时，本发明中所涉及的有机材料合成简单，器件制作工艺成熟，器件性能稳定，在单位密度内的数据存储量将比基于“0”，“1”和“2”三进制数据存储呈指数级增长，因此在下一代的超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。
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公开(公告)号：CN107311464A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710556203.2
申请日：2017-07-10
Applicant: 苏州新吴光电科技有限公司 , 苏州大学
CPC classification number: C03C17/007 , C01B33/325
Abstract: 本发明提供一种防眩多孔复合膜的制备方法，包括以下步骤，(1)制备硅酸盐溶胶，硅酸盐溶胶包含以下摩尔份配比的组成成分：Na2O：Al2O3：SiO2为(0～0.03)：(0～0.03)：1；(2)向硅酸盐溶胶中加入造孔剂，造孔剂漂浮在硅酸盐溶胶表面，通过自组装反应得到复合有造孔剂的大孔阵列硅酸盐膜，成膜后陈化获得硅酸盐-微球复合膜；(3)取硅酸盐-微球复合膜负载到玻片上，依次经过干燥、煅烧处理，除去微球模板获得防眩多孔复合膜；防眩多孔复合膜上形成有孔径为150nm～300nm的阵列孔。制备的复合膜复合在玻璃基板上使用过程中在不降低透光率的前提下能够最大程度的提高雾度，起到有效防眩作用。
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公开(公告)号：CN102936208B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210469630.4
申请日：2012-11-19
Applicant: 苏州大学
IPC: C07C245/08 , C07C245/10 , H01L51/40 , H01L27/28
Abstract: 本发明公开了一种以二芳基酮为中心基团的偶氮分子三进制电存储材料及其制备和应用，所述偶氮分子的结构式如下：式中，DAK为3,3’-二苯甲酰基；R为N,N-二C1～C6直链烷基氨基、N,N-二苯基氨基或羟基；本发明所公开的该偶氮分子的合成工艺简单；采用该偶氮分子制成“底电极/有机薄膜/上电极”的三明治结构的三进制数据存储器件，制作工艺成熟，器件性能稳定，在单位密度内的数据存储量比基于“0”和“1”二进制数据存储呈指数级增长，在未来超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。
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公开(公告)号：CN102924461A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210469628.7
申请日：2012-11-19
Applicant: 苏州大学
IPC: C07D487/04 , C07D487/10 , C07D209/48 , H01L51/00
Abstract: 本发明公开了一种基于酰亚胺骨架的偶氮分子三进制电存储材料及其制备和应用，所述偶氮分子的结构式如下：式中，Ar为R为N,N-二C1～C6烷基苯基、N,N-二苯基氨基苯基或对羟基苯基；本发明所公开的该偶氮分子的合成工艺简单；采用该偶氮分子制成“底电极/有机薄膜/上电极”的三明治结构的三进制数据存储器件，制作工艺成熟，器件性能稳定，在单位密度内的数据存储量比基于“0”和“1”二进制数据存储呈指数级增长，在未来超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。
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