公开(公告)号：CN101038867B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200710103567.1

申请日：2007-03-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 藤野敏夫 ,  町田晓夫 ,  河野正洋

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种通过在半导体薄膜上连续辐射能量束的同时以给定速度扫描而结晶半导体薄膜的方法，其中所述能量束以平行线扫描，同时保持节距不大于所述能量束的辐射直径，以在不同于所述能量束的扫描方向的方向上生长带状晶粒。

公开(公告)号：CN101038937A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710086328.X

申请日：2007-03-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  藤野敏夫 ,  河野正洋

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及一种薄膜半导体器件及其制造方法。所述薄膜半导体器件包括：半导体薄膜，设置以具有通过用能量束辐射而被转变为多晶区的有源区；和栅电极，设置以横过有源区。在为与栅电极重叠的有源区的沟道部分中，在沟道长度方向周期地改变晶态，且每个具有基本相同晶态的区域横过沟道部分。因为沟道部分的多晶化，以高精度控制了载流子迁移率而且确保了元件特性随时间小的变化和高的载流子迁移率。在该薄膜半导体器件中，元件特性好且元件之间的特性变化小。