公开(公告)号：CN100411182C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200410055218.3

申请日：2004-06-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 高桥新吾 ,  榎本容幸 ,  阿部秀司

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14629 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14656

Abstract: 本发明公开一种固态摄像器件(100)，其中一波导(15)形成于光接收传感器部分(2)上的一绝缘层中，由通过CVD法沉积的Al膜制成的反射膜(17)覆盖波导(15)的侧壁(161)，一衬层膜(19)形成于反射膜(17)和波导(15)的侧壁(161)之间，而衬层膜(19)由VIB族元素制成。从而能获得一种包括波导的固态摄像器件，它能抑制衬层膜(19)吸收提供给光接收传感器部分(2)的氢，并且其包含具有良好的表面状况、良好的覆盖度和优良的吸附力的高反射率的反射膜(17)。