公开(公告)号：CN100524022C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610073937.7

申请日：2006-02-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 松泽伸行 ,  渡辺阳子 ,  布恩塔里卡·桑纳卡特 ,  小泽谦 ,  山口优子

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/70341

Abstract: 一种抗反射膜，其中，在浸液式平版印刷技术中，即使在曝光光线倾斜进入的地方，也能够在抗蚀剂层和硅衬底之间的界面处获得充分降低的反射率。两层抗反射膜用在通过波长为190-195nm并且数值孔径为1.0或更小的曝光系统的曝光中，并且形成于抗蚀剂层与硅衬底之间。抗反射膜的上层和下层的复折射率N1和N2以及膜厚度分别是由n1-k1i，n2-k2i和d1，d2表示的，并且选择值[n10，k10，d10，n20，k20，d20]的预定组合，n1，k1，d1，n2，k2和d2满足{(n1-n10)/(n1m-n10)}2+{(k1-k10)/(k1m-k10)}2+{(d1-d10)/(d1m-d10)}2+{(n2-n20)/(n2m-n20)}2+{(k2-k20)/(k2m-k20)}2+{(d2-d20)/(d2m-d20)}2≤1。