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公开(公告)号:CN100517441C
公开(公告)日:2009-07-22
申请号:CN03814148.5
申请日:2003-06-17
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3283 , G09G3/3241 , G09G2300/0417 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/027 , G09G2310/0297 , G09G2320/0242
Abstract: 配置对具有发光元件的各像素电路(32~34)供给信号电流IL_R(m)、IL_G(m)、IL_B(m)用的信号线(28~30)。信号线驱动电路通过利用根据对应的比特被导通、截止的开关电路(18~20,21~23,24~26)切换从与图像数据(R[2..0],G[2..0],B[2..0])的每一个比特对应地设置的比特加权电流源电路(9~11,12~14,15~17)输出的比特加权电流,在信号线上产生与图像数据对应的信号电流。由于各电流源电路具有根据从基准电流线(5~7)供给的比特加权电流的基准电流校正从自身输出的比特加权电流的电平的功能,故即使是构成各电流源电路的TFT的特性离散大的情况,也能抑制每条信号线的信号电流的离散,可抑制发光亮度的不匀。
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公开(公告)号:CN1196016C
公开(公告)日:2005-04-06
申请号:CN00137377.3
申请日:2000-10-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1335
Abstract: 根据本发明的背光能够得到合适的配光分布和均匀的射出光,具有提供为了液晶板的显示而用于照射的光的棒状光源(1)和平板状的导光板(3),该导光板具有平行于棒状光源的位于侧面的入射端面(20),平行于液晶板地配置的出光面(21)以及平行地面对出光面的底面(22),其特征在于在导光板的底面(22)上设置了反射棱镜,该反射棱镜具有在沿入射端面(20)的方向上延伸的楔状反射槽(4)和为了不形成楔状反射槽,沿着与该楔状反射槽(4)延伸的方向交叉的方向分断该楔状反射槽的带状分断平坦部(5),其中,上述楔状反射槽(4)的深度随着距入射端面(20)的距离增加而加深,上述带状分断平坦部(5)的宽度随着距入射端面(20)的距离增加而渐减。
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公开(公告)号:CN1602442A
公开(公告)日:2005-03-30
申请号:CN02824641.1
申请日:2002-12-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/13357
CPC classification number: G02F1/1336 , G02F1/13454 , G02F2001/133616 , G02F2001/133618 , G02F2001/133626 , G02F2201/58 , G02F2203/02 , G09G3/3406 , G09G3/3648 , G09G2300/0408 , G09G2320/0626 , G09G2320/0633 , G09G2320/064 , G09G2360/144 , G09G2360/145 , H01L27/1251
Abstract: 提供一种反射型液晶显示装置,该装置与液晶显示屏(1)形成为一体,通过设置在显示面附近的多个光传感器(10)来检测显示面照度,基于该检测结果,通过照明控制电路(22)对前光源(照明单元)(19)的发光强度进行控制,以使显示面照度成为规定的大小。即使反射型液晶显示装置的使用环境变了,即,即使从装置外部入射到显示面的外光强度变化,利用该结构也能自动地对前光源的发光量进行调光,能够自动地保持最佳的显示亮度,且可以抑制电力消耗。
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公开(公告)号:CN1460240A
公开(公告)日:2003-12-03
申请号:CN02800787.5
申请日:2002-03-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0819 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2310/06 , G09G2320/0233 , G09G2320/043
Abstract: 本发明的自发光型显示装置,在利用有源矩阵方式的驱动电路之中,补偿控制发光元件电流的晶体管的门限电压的波动时,防止噪声电流流入发光元件,从而使亮度精度提高。其结构是:设置可将自发光之件的电极短路的开关元件,在噪声电流流入发光元件的时间内,导通该开关元件,使噪声电流通过修路该开关元件流走。
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公开(公告)号:CN100397576C
公开(公告)日:2008-06-25
申请号:CN200480001234.2
申请日:2004-08-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L29/78675
Abstract: 一种薄膜半导体的制造方法,包括:将可见光脉冲激光在被照射物的表面上聚光成细线形状,并且移动位置以使得在上述细线形状的照射区域的宽度方向上与下一个定时的照射区域重合,同时进行反复照射,在上述被照射物的表面上形成多晶硅膜的多晶化工序;上述多晶化工序在上述可见光脉冲激光对第1照射区域照射的期间或照射之前,对与上述第1照射区域部分重合的第2照射区域照射紫外光脉冲激光。
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公开(公告)号:CN1284128C
公开(公告)日:2006-11-08
申请号:CN02800797.2
申请日:2002-03-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0417 , G09G2300/0426 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/088 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , G09G2320/045 , G09G2330/021 , G09G2360/145 , G09G2360/148 , H01L27/3269
Abstract: 提供一种自发光型显示装置,可以抑制发光象素的驱动用元件的特性波动,没有发光元件的发光亮度的波动,且耗电少。其中,在以矩阵状配置的多个发光象素的每一个上设置接收发光象素的发光的光电变换部,用从光电变换部得到的电压控制流过发光象素的电流。而且,还具备即使光电变换部的变换增益有变化,也能抑制发光象素的亮度变化的单元。
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公开(公告)号:CN1162829C
公开(公告)日:2004-08-18
申请号:CN00137093.6
申请日:2000-12-29
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3659 , G09G3/2074 , G09G2300/0828 , G09G2300/0842 , G09G2330/021
Abstract: 一种液晶显示装置,配置成矩阵状的各个像素20分割为多个副像素。由于对应于副像素的各行以及各列配置水平扫描线60以及垂直扫描线70,因此能够独立地进行各个副像素的导通/断开控制。各个像素20包括设置在副像素之间的副像素连接电路25。副像素连接电路25与垂直扫描线70的激活相同步,响应从数据线65输入的副像素连接信号,把对应的副像素的像素电极之间进行连接。
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公开(公告)号:CN1469337A
公开(公告)日:2004-01-21
申请号:CN03148706.8
申请日:2003-06-24
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3283 , G09G3/325 , G09G2300/0814 , G09G2300/0842 , G09G2320/0233 , G09G2320/0295 , G09G2320/043
Abstract: 向电流驱动型发光元件提供对应于显示亮度的数据电流的电流供给电路(10a)在于供给模式之前执行的补偿模式下,使基准电流(Iref)通过在供给模式下用于向数据线(DL)供给数据电流(Idat)的驱动晶体管(T11a)。与此时的驱动晶体管(T11a)的栅极连接的节点(N2(a))的电压由电压保持电容器(C2a)保持。在供给模式下,该节点(N2(a))的电压依据数据电压(Vdat)而变化。数据电压(Vdat)依据应供给的数据电流(Idat)和基准电流(Iref)之差而设定。
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公开(公告)号:CN1408122A
公开(公告)日:2003-04-02
申请号:CN00816776.1
申请日:2000-10-06
Applicant: 三菱电机株式会社 , 精工爱普生股份有限公司
Abstract: 一种多晶态硅膜的制造方法,包括下列步骤:在衬底(31)上形成具有第一区(33a)和与该第一区(33a)相接的第二区(33b)的非晶态硅膜(33)的步骤;在上述非晶态硅膜(33)的第一区(33a)上照射波长390nm以上、640nm以下的激光(35),形成第一多晶态部分(34a)的步骤;以及在上述非晶态硅膜(33)的第二区(33b)和与上述第二区(33b)相接的上述第一多晶态部分(34a)的一部分区域上照射390nm以上、640nm以下的激光(35),与上述第一多晶态部分(34a)相接地形成第二多晶态部分(34b)的步骤。
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