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    电路基板、电路基板的制造方法、电光学装置和电子设备
    13.
    发明公开
    电路基板、电路基板的制造方法、电光学装置和电子设备 失效 转让

    公开(公告)号：CN101043068A

    公开(公告)日：2007-09-26

    申请号：CN200710088787.1

    申请日：2007-03-22

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 青木敬

    IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

    CPC classification number: H01L51/0096 ,  H01L51/0541 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

    Abstract: 本发明提供一种带有基板、栅电极、栅绝缘层、源电极、漏电极和有机半导体层的电路基板，减小了其反向电流。本发明的电路基板(1)的特征在于其具备：基板(7)、安装在基板(7)的一面侧的源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(2)、使该源电极(5)和漏电极(6)与该栅电极(2)绝缘的栅绝缘层(3)和与该栅绝缘层(3)相接设置的有机半导体层(4)，在形成有所述有机半导体层(4)的所述源电极(5)和漏电极(6)之间的区域中具有底面位于所述基板(7)的内部或基板(7)侧的凹部(8)，所述有机半导体层(4)的所述源电极(5)和漏电极(6)之间的区域中与所述栅绝缘层(3)的界面设定在比该区域以外的区域中与所述栅绝缘层(3)的界面更靠向所述基板(7)的一侧。

    电泳显示装置、其驱动方法、其控制电路以及电子设备
    15.
    发明公开
    电泳显示装置、其驱动方法、其控制电路以及电子设备 无效

    公开(公告)号：CN103996381A

    公开(公告)日：2014-08-20

    申请号：CN201410052698.1

    申请日：2014-02-17

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 青木敬 ,  宫坂光敏

    IPC: G09G3/34 ,  G02F1/167

    CPC classification number: G09G3/344 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0245 ,  G09G2310/06

    Abstract: 本发明提供能够进行高品位的显示的电泳显示装置、其驱动方法、控制电路和电子设备。电泳显示装置（150）具备像素电极（22）、共用电极(23)、电泳材料（24)和存储电容元件（25）。EPD电容与存储电容相比足够小。电泳材料（24）具有第一微粒和第二微粒。在使第一微粒分布在共用电极附近时将在像素电极（22）与共用电极（23）之间产生的电场设为：朝向第一方向的强第一强电场（FSF）与比第一强电场（FSF）弱的第二弱电场（SWF）按共用电位周期Tc交替地反复的交变电场。这样一来，第一微粒与第二微粒有效地分离开，所以实现了对比度比高、显示高图像品位的电泳显示装置（150）。

    电路基板、电光装置及电子设备
    16.
    发明授权
    电路基板、电光装置及电子设备 有权 转让

    公开(公告)号：CN101644869B

    公开(公告)日：2014-08-13

    申请号：CN200910160313.2

    申请日：2009-08-05

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 青木敬

    IPC: G02F1/167 ,  H01L27/28

    CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/167

    Abstract: 本发明涉及电路基板、电光装置及电子设备。其具有可以使成品率提高的结构。电路基板具备：在基板上沿第1方向所形成的多条扫描线(14)；在基板上沿与第1方向交叉的第2方向所形成的多条信号线(15)；分别与多条扫描线之中某1条电连接且与多条信号线之中某1条电连接的多个晶体管(11)；覆盖多条扫描线、多条信号线及多个晶体管所形成的绝缘层；和分别与多个晶体管之中某1个晶体管电连接的多个电极(34)。而且，在绝缘层中，以多个电极之中至少2个相邻的电极为1组而按该每1组电极形成1个开口部(35)，多个电极的各自通过开口部与1个晶体管电连接。

    电路基板、电光学装置和电子设备
    18.
    发明授权
    电路基板、电光学装置和电子设备 有权 转让

    公开(公告)号：CN101038952B

    公开(公告)日：2013-07-17

    申请号：CN200710085759.4

    申请日：2007-03-14

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 青木敬

    IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/00

    CPC classification number: H01L51/0529 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H05K1/16

    Abstract: 本发明提供一种电路基板，是一种不必考虑绝缘层与半导体层之间的电阻关系等而提高半导体层中的迁移率的电路基板，本发明的电路基板的特征在于，包括：设置在基板(2)的一面侧的源电极、漏电极(5)和栅电极(6)；使该源电极(5)和漏电极(6)与该栅电极(2)绝缘的第一绝缘层(3)；与该第一绝缘层(3)接触设置的有机半导体层(4)；与该有机半导体层(4)接触设置的第二绝缘层(7)，其中所述第二绝缘层(7)含有由下述通式(1)表示的化合物，【化1】式中，R1和R2分别独立表示可具有取代基的亚烷基，X1、X2、X3和X4表示氢或吸电子型基团，n表示100～100000，其中，X1、X2、X3和X4全部为氢的情况除外。

    薄膜晶体管、电光装置及电子设备
    19.
    发明授权
    薄膜晶体管、电光装置及电子设备 有权 转让

    公开(公告)号：CN101459221B

    公开(公告)日：2012-12-26

    申请号：CN200810186918.4

    申请日：2008-12-10

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 青木敬

    IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30

    CPC classification number: H01L51/0512 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0558

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种薄膜晶体管，其具有有机半导体层，所述有机半导体层含有具有p型半导体特性的有机半导体材料，该薄膜晶体管能够抑制断态电流的增大，且晶体管特性优异；还提供具有该晶体管的可靠性优异的电光装置以及电子设备。本发明的薄膜晶体管具有源电极5与漏电极6、有机半导体层4、第1绝缘层3、栅电极2、第2绝缘层7，有机半导体层4包含具有p型半导体特性的有机半导体材料，且第2绝缘层7包含下述通式(1)所示的化合物，从而形成从第2绝缘层7向有机半导体层4施加电子的构成，式中、R1及R2各自独立地表示取代或未取代的亚烷基，X1、X2、X3及X4表示氢原子或给电子性基团，n表示100～100000，其中，X1、X2、X3及X4中的至少1个为给电子性基团。

    有机晶体管及有源矩阵基板
    20.
    发明授权
    有机晶体管及有源矩阵基板 有权 转让

    公开(公告)号：CN101359720B

    公开(公告)日：2012-01-04

    申请号：CN200810128074.8

    申请日：2008-07-29

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 青木敬

    IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L27/28

    CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

    Abstract: 本发明涉及有机晶体管及有源矩阵基板。使寄生电容均匀。有机晶体管(100)具备：具有预定长度(L)的栅电极(50)，源电极(30)及漏电极(60)，设置于源电极与漏电极间的有机半导体部(40)，和有机半导体部内的沟道区域(45)。漏电极在俯视状态下整体重叠于栅电极，相对于漏电极，带状的连接布线部(61)沿一侧(La)延伸地连接，并且宽度不足连接布线部2倍的带状的虚设连接布线部(62)沿栅电极的长度方向的另一侧(Lb)延伸地连接。连接布线部延伸于栅电极的一侧的端缘或端缘的一侧(La)，且虚设连接布线部延伸于栅电极的另一侧的端缘或端缘的另一侧(Lb)。

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