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    发光装置及电子设备
    12.
    发明公开
    发光装置及电子设备 有权

    公开(公告)号：CN1975841A

    公开(公告)日：2007-06-06

    申请号：CN200610160487.5

    申请日：2006-11-28

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 洼田岳彦 ,  神田荣二 ,  野泽陵一

    IPC: G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/20 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 ,  H05B37/02 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32

    CPC classification number: H05B33/08 ,  H01L27/12 ,  H01L27/326 ,  H01L27/3279

    Abstract: 一种发光装置，在基板(10)的面上配置有驱动晶体管Tdr、元件导通部(71)、初始化晶体管Tint和连接部(61)。驱动晶体管Tdr控制从电源线(15)提供给发光元件E的电流量。元件导通部(71)将驱动晶体管Tdr和发光元件E电连接。初始化晶体管Tint通过变化为导通状态，使驱动晶体管Tdr成二极管连接。连接部(61)将驱动晶体管Tdr和初始化晶体管Tint电连接。电源线(15)在X方向上延伸。元件导通部(71)以及连接部(61)与电源线从同一层形成，从垂直于基板(10)的方向观察，隔着驱动晶体管Tdr位于电源线的宽度方向(Y方向)的一侧。这样，抑制了电源线电阻并与电源线从同一层形成各要素。

    发光装置和电子仪器
    13.
    发明公开
    发光装置和电子仪器 有权 转让

    公开(公告)号：CN1967863A

    公开(公告)日：2007-05-23

    申请号：CN200610144612.3

    申请日：2006-11-09

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 洼田岳彦

    IPC: H01L27/32 ,  H01L23/522 ,  H05B33/12

    Abstract: 在覆盖驱动晶体管Tdr的第二绝缘层(42)的表面形成第一电极(61)。第一电极(61)经由第二绝缘层(42)的接触孔CH与驱动晶体管Tdr的漏极电极(34)接触。在第一电极(61)和与它相对的第二电极(62)之间形成发光层(66)。在来自发光层(66)的放射光的出射一侧形成辅助布线(70)。辅助布线(70)由电阻率比第二电极(62)还低的导电材料形成，是与第二电极(62)电连接的布线，包含与第二绝缘层(42)的接触孔CH重叠的部分。抑制绝缘层的接触孔引起的光量的不均匀。

    电光学装置、电光学装置的驱动电路和电子仪器
    14.
    发明公开
    电光学装置、电光学装置的驱动电路和电子仪器 失效

    公开(公告)号：CN1808550A

    公开(公告)日：2006-07-26

    申请号：CN200610005956.6

    申请日：2006-01-17

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 洼田岳彦 ,  藤川绅介

    IPC: G09G3/32 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

    CPC classification number: G09G3/3291 ,  G09G3/3258 ,  G09G2320/0257

    Abstract: 脉冲输出电路(20)输出按顺序成为有效电平的多个采样脉冲SMP。从脉冲输出电路(20)对各单位电路U供给采样脉冲SMP。对信号线(40)供给依次指定各OLED元件(15)的灰度的灰度信号Dg。各单位电路U具有按照来自脉冲输出电路(20)的采样脉冲SMP对灰度信号Dg采样的传输门G1、插在传输门G1和数据线(45)之间的传输门G2、保持传输门G2的输出端子的电压的电容C。传输门G2在基于传输门G1的采样开始到经过所定的周期之前，成为断开状态。不缩短灰度信号在各数据线中采样的期间，防止重影的发生。

    发光装置和电子设备
    18.
    发明授权
    发光装置和电子设备 有权

    公开(公告)号：CN101160001B

    公开(公告)日：2011-08-31

    申请号：CN200710162268.5

    申请日：2007-09-30

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 洼田岳彦

    IPC: G09F9/30 ,  H05B33/04

    CPC classification number: H05B33/04 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253

    Abstract: 本发明的发光装置具有：基板(10)；形成在基板(10)上并具有夹着发光层的阳极(81)和阴极的多个OLED(50)；形成在基板(10)上并把多个OLED(Organic Light Emitting Diode)(50)的阳极和阴极彼此绝缘的绝缘膜(18)；形成在基板(10)上并位于绝缘膜(18)的外侧的周边壁(20)；形成在基板(10)上并覆盖多个OLED(50)和绝缘膜(18)的密封层。密封层由1层或多层的薄膜构成，构成密封层的薄膜中最大膜厚最厚的薄膜(有机缓冲膜(22)或气体阻挡膜(24))的边缘位于绝缘膜(18)和周边壁(20)之间。因此，在发光装置中，即使用位置精度低的形成方法形成构成密封层的1层或多层的薄膜，也能实现窄框化。

    发光装置
    19.
    发明授权
    发光装置 有权 转让

    公开(公告)号：CN101242691B

    公开(公告)日：2011-06-15

    申请号：CN200810005808.3

    申请日：2008-02-05

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 洼田岳彦

    IPC: H05B33/26 ,  H05B33/22 ,  H05B33/14

    CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5228 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253

    Abstract: 本发明的目的在于，缩小发光装置的额缘区域，并抑制发光元件的亮度不均。发光装置(1)中，在元件层(30)上顺次层叠有第二层间绝缘膜(35)、辅助电极(150)和公共电极(72)。辅助电极(150)的端(E4)按照在基板(10)的面内位于相对公共电极(72)的端(E2)更外侧的位置的方式形成，公共电极(72)的端(E2)位于相对第二层间绝缘膜(35)的端(E1)更靠向外侧的位置。辅助电极(150)在不与公共电极(72)重合的部分具有与向公共电极(72)供给电位的第二电极用电源线相接的部分。

    发光装置、图象形成装置及电子机器
    20.
    发明授权
    发光装置、图象形成装置及电子机器 有权 转让

    公开(公告)号：CN100470609C

    公开(公告)日：2009-03-18

    申请号：CN200610067837.3

    申请日：2006-03-14

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 洼田岳彦 ,  藤川绅介

    IPC: G09F9/30

    CPC classification number: H05B33/0896 ,  B41J2/45 ,  G03G15/5016 ,  Y02B20/36

    Abstract: 一种发光装置，头部(10)具备具有排列多个OLED元件(4)的发光区域(40)的基板(1)，和集成电路芯片(2A)及(2B)。从基板(1)的另一面看，集成电路芯片(2A)及(2B)和发光区域(40)的部分或全部重叠地将集成电路芯片(2A)及(2B)与基板(1)连接。所以能够缩小基板(1)的面积(即两者重叠的那部分面积)。OLED元件(4)在集成电路芯片(2A)及(2B)供给的驱动电流的作用下发光。减小边框尺寸，缩小基板的面积。

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