公开(公告)号：CN114447172A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111261063.9

申请日：2021-10-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 次六宽明

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62

Abstract: 发光装置及投影仪。发光装置具有基板和由多个柱状结构体构成的柱状结构体组，多个柱状结构体包含设于发光部的多个第1柱状结构体和设于发光部外的区域的多个第2柱状结构体，柱状结构体组包含第1柱状结构体组和第2柱状结构体组，第1柱状结构体组包含多个第1柱状结构体和光传输层，第2柱状结构体组包含多个第2柱状结构体和绝缘层，基板设有覆盖各柱状结构体组的层间绝缘层，层间绝缘层设有与第1柱状结构体组电连接的导电层，在层间绝缘层上设有与导电层电连接的第1电极端子，第1柱状结构体由第1半导体层、第2半导体层和发光层构成，导电层与第2半导体层电连接，从基板法线方向观察时，导电层及第1电极端子与第2柱状结构体组重叠。

公开(公告)号：CN104934455B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201510108890.2

申请日：2015-03-12

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 次六宽明

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L31/105 ,  G06K9/00013 ,  G06K2009/0006 ,  G06K2009/00932 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14692

Abstract: 本发明提供一种电流不易泄漏的结构的光电转换装置及电子设备。该光电转换装置具备基板(13)和光电二极管(9)，在光电二极管(9)中，第一半导体层(25)、第二半导体层(26)和第三半导体层(27)依次层叠于基板(13)上，第二半导体层(26)为i型半导体层，第一半导体层(25)和第三半导体层(27)中一方为n型半导体层，另一方为p型半导体层，第一半导体层(25)被第二半导体层(26)覆盖。

公开(公告)号：CN100355026C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN00816776.1

申请日：2000-10-06

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 小川哲也 ,  时冈秀忠 ,  西前顺一 ,  冈本达树 ,  佐藤行雄 ,  井上满夫 ,  宫坂光敏 ,  次六宽明

IPC: H01L21/20 ,  C23C16/24

Abstract: 一种多晶态硅膜的制造方法，包括下列步骤：在玻璃衬底(31)上形成具有第一区(33a)和与该第一区(33a)相接的第二区(33b)的非晶态硅膜(33)的步骤；在上述非晶态硅膜(33)的第一区(33a)上照射波长为390nm以上、640nm以下的激光(35)，形成第一多晶态部分(34a)的步骤；以及在非晶态硅膜(33)的第二区(33b)和与该第二区(33b)相接的上述第一多晶态部分(34a)的一部分区域上照射设置为390nm以上、640nm以下的激光(35)，与第一多晶态部分(34a)相接地形成第二多晶态部分(34b)的步骤。