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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117792319A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311270753.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 振动元件的制造方法。能够容易地形成深度不同的第1槽和第2槽。振动元件的制造方法包含：准备工序，准备具有处于正反关系的第1面和第2面的石英基板；第1保护膜形成工序，在设石英基板的形成振动元件的区域为元件形成区域、形成第1槽的区域为第1槽形成区域、形成第2槽的区域为第2槽形成区域时，在第1面的元件形成区域上形成第1保护膜，所述第1保护膜具有与第1槽形成区域重叠的第1开口和与第2槽形成区域重叠的第2开口；以及第1干蚀刻工序，隔着第1保护膜从第1面侧对石英基板进行干蚀刻，在设第1开口的宽度为Wa、第2开口的宽度为Wb时，Wa＜Wb。
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公开(公告)号：CN117595814A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310986867.8
申请日：2023-08-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 振动元件的制造方法。能够一并形成外形和槽。振动元件的制造方法包括：准备工序，准备具有第1基板面和第2基板面的石英基板；第1保护膜形成工序，在第1基板面中的第1槽形成区域形成第1保护膜；第2保护膜形成工序，在第1基板面中的第1振动臂形成区域以及第2振动臂形成区域的除了第1槽形成区域之外的区域形成第2保护膜；以及第1干蚀刻工序，隔着第1保护膜和第2保护膜从第1基板面侧对石英基板进行干蚀刻，形成第1面、第1槽以及第1振动臂和第2振动臂的外形，在设第1保护膜的蚀刻速率为r1、第2保护膜的蚀刻速率为r2时，满足r1>r2的关系。
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公开(公告)号：CN116131789A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211418004.2
申请日：2022-11-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H03H3/02
Abstract: 振动元件的制造方法。能够抑制无用振动的产生和振动元件的破损。振动元件的制造方法包括：第1干蚀刻工序，从第1面侧对石英基板进行干蚀刻，形成第1槽和第1振动臂以及第2振动臂的外形；第2干蚀刻工序，从第2面侧对石英基板进行干蚀刻，形成第2槽和上述外形；湿蚀刻工序，形成连接底面和槽内侧面的倾斜面，在设第1槽和第2槽的深度为D、深度减去倾斜面的Z方向的长度后的值为D1时，满足D1/D≥0.80。
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公开(公告)号：CN115622521A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210798312.6
申请日：2022-07-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明提供一种振动元件的制造方法，能够抑制无用振动的产生、振动元件的破损。振动元件的制造方法包括：第一干蚀刻工序，从第一面侧对具有第一面以及第二面的石英基板进行干蚀刻，形成第一槽和第一振动臂及第二振动臂的外形；第二干蚀刻工序，从第二面侧对石英基板进行干蚀刻，形成第二槽和第一振动臂及第二振动臂的外形；以及之后对第一振动臂以及第二振动臂的侧面进行湿蚀刻的湿蚀刻工序。
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公开(公告)号：CN114978079A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210161338.X
申请日：2022-02-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H03H3/02
Abstract: 振动元件的制造方法。提供能够抑制槽深度的偏差的振动元件的制造方法。振动元件的制造方法包括：第1保护膜形成工序，在石英基板的第1面形成第1保护膜；第1干蚀刻工序，隔着第1保护膜从第1面侧对石英基板进行干蚀刻并在第1面形成第1槽和第1振动臂以及第2振动臂的外形；第2保护膜形成工序，在石英基板的第2面形成第2保护膜；以及第2干蚀刻工序，隔着第2保护膜从第2面侧对石英基板进行干蚀刻，在第2面形成第2槽和第1振动臂以及第2振动臂的外形，在设第1、第2干蚀刻工序中形成的第1、第2槽的深度为Wa、第1、第2干蚀刻工序中形成的外形的深度为Aa时，在第1、第2干蚀刻工序中的至少一个工序中满足Wa/Aa
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