无源B1场匀场
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103261906A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201180060494.7

    申请日:2011-12-05

    Abstract: 线圈元件(18)在检查区(14)中产生B1激励场,该B1激励场被患者负载扭曲(例如,波长效应)。无源匀场元件(22、24)布置在线圈元件和受检者之间,以便提高B1场均匀性。在一个实施例中,无源匀场元件包括布置在受检者之下的一个或多个介电棒(55),该介电棒(55)不产生实质上的MR质子信息且具有至少100和优选地大于500的介电常数。在另一实施例中,向相邻于每个线圈元件的管(24)供应介电流体,在线圈元件和受检者之间的介电流体的厚度调节线圈元件所产生的B1场的相位。有源B1场可与无源匀场元件(22、24)组合以实现提高的RF场均质性结果。

    用于超高场MRI的发射/接收线圈

    公开(公告)号:CN101896831A

    公开(公告)日:2010-11-24

    申请号:CN200880120250.1

    申请日:2008-12-12

    CPC classification number: G01R33/3415 G01R33/5659

    Abstract: 一种磁共振线圈包括:第一组线圈元件(54,56,80),其可操作性地与发射通道(66,74)连接,以与大于3特斯拉的磁场强度下用于选定负载的发射敏感区域耦合;以及第二组线圈元件(52,54,82),其可操作性地与接收通道(66,74)连接,以与大于3特斯拉的磁场强度下用于所述选定负载的接收敏感区域耦合。第一组线圈元件靠近发射敏感区域布置但不包围发射敏感区域,第二组线圈元件靠近接收敏感区域布置但不包围接收敏感区域。所述第一组线圈元件和所述第二组线圈元件有至少一个线圈元件(52,56)不是公共的。所述第一和第二组线圈元件在所述大于3特斯拉的磁场强度下为所述选定负载限定基本类似的发射和接收敏感区域。

    用于高场MRI线圈的电磁屏蔽

    公开(公告)号:CN101171526A

    公开(公告)日:2008-04-30

    申请号:CN200680015497.8

    申请日:2006-04-19

    CPC classification number: G01R33/422 G01R33/3628

    Abstract: 一种用于磁共振成像的射频线圈包括限定成像体积的有效线圈元件(70,701,170,270)。该有效线圈元件包括具有第一截面维度(dactive)的第一开口端。屏蔽线圈元件(72,721,722,723,724,725,172,1722,272)基本上环绕在该有效线圈元件周围。该屏蔽线圈元件具有收缩开口端(88),其被设置成与该有效线圈元件的第一开口端相邻近,并且具有比该屏蔽线圈元件的截面维度(dShield)小的收缩截面维度(dconst)。在一些实施例中,该射频线圈还包括显著大于该屏蔽线圈元件(72,721,722,723,724,725,172,1722,272)并且包围该有效线圈元件和屏蔽线圈元件的外部屏蔽线圈元件(100)。

    用于高场MRI线圈的电磁屏蔽

    公开(公告)号:CN101171526B

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN200680015497.8

    申请日:2006-04-19

    CPC classification number: G01R33/422 G01R33/3628

    Abstract: 一种用于磁共振成像的射频线圈包括限定成像体积的有源线圈元件(70,701,170,270)。该有源线圈元件包括具有第一截面维度(dactive)的第一开口端。屏蔽线圈元件(72,721,722,723,724,725,172,1722,272)基本上环绕在该有源线圈元件周围。该屏蔽线圈元件具有收缩开口端(88),其被设置成与该有源线圈元件的第一开口端相邻近,并且具有比该屏蔽线圈元件的截面维度(dShield)小的收缩截面维度(dconst)。在一些实施例中,该射频线圈还包括显著大于该屏蔽线圈元件(72,721,722,723,724,725,172,1722,272)并且包围该有源线圈元件和屏蔽线圈元件的外部屏蔽线圈元件(100)。

    用于高场磁共振应用的正弦谐振射频体积线圈

    公开(公告)号:CN101622549A

    公开(公告)日:2010-01-06

    申请号:CN200880006089.5

    申请日:2008-01-30

    CPC classification number: G01R33/34046 G01R33/3635 G01R33/422

    Abstract: 一种射频线圈组件包括:环形导体(20,22),其被配置为支持在磁共振频率下的正弦电流分布;和射频屏蔽(30,32,34),其在至少一个方向上屏蔽所述环形导体,所述射频屏蔽包括以下两者中的至少一个:(i)围绕所述环形导体的周界的圆柱形屏蔽部分(30)和(ii)布置为大体上与所述环形导体平行的平面屏蔽部分(32,34)。在磁共振扫描器实施例中,磁体产生静态磁场(B 0 ),磁场梯度系统被配置为在所述静态磁场上叠加所选择的磁场梯度,并且所述射频线圈组件被布置为使得所述环形导体大体上横切所述静态磁场(B 0 )。

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