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公开(公告)号：CN1643686A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03806248.8
申请日：2003-02-21
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L27/00
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/3246 , H01L27/3276 , H01L27/3279
Abstract: 在主动矩阵电致发光显示装置，尤其具有有机半导体材料的LED(25)的主动矩阵电致发光显示装置的电路基板(100)上，在相邻像素(200)之间存在物理阻隔(210)。为了减小电路基板中的寄生电容，本发明形成具有金属或其他导电性材料(240)的这些阻隔(210)，其在比所述电路基板(100)更高的水平处提供至少部分的信号线(160)。所述导电阻隔材料(240)与所述基板(100)内的矩阵电路相连，但至少在与LED(25)邻近的侧面处是绝缘的(40)。优选地，电容间防护线(9)包含在所述信号线(160)与基板(100)中的电路之间的所述电路基板(100)中。
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公开(公告)号：CN100385329C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN03819988.2
申请日：2003-08-06
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： N·D·杨
IPC: G02F1/1362 , H01L27/00
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/3269 , H01L2227/323
Abstract: 在诸如有源矩阵显示器的电子器件的制造中，将垂直非晶PIN光电二极管或类似的薄膜二极管(D)有利地与多晶硅TFT(TFT1、TFT2)以如此方式集成，以便于允许各个TFT和二极管特性的最优化程度，同时与显示器的复杂像素环境相兼容。在沉积二极管的有源半导体膜(40)之前，执行使TFT的有源半导体膜(10)比二极管的有源半导体膜(40)更多结晶、且用于形成TFT的源极和漏极掺杂区(s1、s2、d1、d2)的高温工艺。其后，通过蚀刻来限定二极管的横向宽度，同时用蚀刻停止膜(30)保护互连膜(20)，其可以提供二极管的掺杂底部电极区(41)以及TFT的其中一个掺杂区(s2、g1)。
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公开(公告)号：CN1299360C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN03806421.9
申请日：2003-02-21
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L27/00 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/3246
Abstract: 物理阻隔(210)存在于有源矩阵显示装置的电路基板(100)上的相邻的像素(200)之间，例如以有机半导体材料的LED(25)形成的电致发光显示装置。本发明形成至少部分的阻隔(210)，具有与LED绝缘(40)、但与该基板(100)内的电路(4，5，6，9，140，150，160，T1，T2，Tm，Tg，Ch等)相连接的金属或其它导电材料(240)。所述导电阻隔材料(240)可以备用或替换例如矩阵寻址线(150)，和/或在像素阵列内或外部形成附加部件。包括导电阻隔材料(240)的附加部件是有利的电容器(Ch)，或电感(L)或变压器(W)或甚至是天线。
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公开(公告)号：CN1711640A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200380103035.8
申请日：2003-10-30
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： N·D·杨
IPC: H01L27/00
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/3204
Abstract: 一种EL器件，包括基板(11)，在该基板上包括三个串联的LED(LED1，2，3)的发光结构。考虑到二极管LED1，其包括设置在下面的ITO阳极(12－1)与上面的阴极(17－1)之间的有机发光材料(16－1)，所述下面的阴极通过所述有机发光材料(16－1)的厚度与二极管LED2的下面的阳极(12－2)导电性串联。通过使用润湿剂获得所述连接，以阻止设置的有机发光材料(16－1)覆盖阳极(12－2)上的接触区域(19－1)，从而上面的阴极(17－1)可以与下面的阳极(12－2)串联。
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公开(公告)号：CN1666347A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN03815752.7
申请日：2003-06-25
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L29/78609 , H01L29/78678
Abstract: 一种电子器件(70)，包括一个薄膜晶体管(TFT)(9，59)，此薄膜晶体管包含一个沟槽，它形成在一层多晶半导体材料(10，48)内。此多晶半导体材料是采用金属原子(6)加快结晶过程使非晶体半导体材料(2)结晶而产生的。多晶半导体材料(10)所含金属原子的平均浓度在1.3×1018至7.5×1018原子/cm3的范围内。这使得制成的多晶半导体薄膜晶体管的漏电流特性可适用于有源矩阵显示器中，这时采用金属诱发结晶过程所花的时间比以前认为需要的时间短得多。另外，这种过程时间的缩短有助于可靠地制造具有金属底栅极的多晶硅薄膜晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1643693A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03806420.0
申请日：2003-03-19
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/3204 , H01L27/3225 , H01L27/3244 , H01L27/3246
Abstract: 在主动矩阵电致发光显示装置，尤其具有有机半导体材料LED(25)的主动矩阵电致发光显示装置的电路基板(100)上的相邻像素(200)之间存在物理阻隔(210)。本发明形成具有金属或其他导电性材料(240)的这些物理阻隔(210)，其用于电路基板的第一电路元件(21，4，5，6，140，150，160，T1，T2，Tm，Tg，Ch)与第二电路元件(400，400s，23)，例如在像素阵列上方支撑的传感器阵列的传感器(400s)之间的互连。导电阻隔材料(240)在与LED临近的阻隔的侧面处是绝缘的(40)，并且在第二电路元件与导电阻隔材料(240)相连的地方具有非绝缘的顶部连接区域(240t)。
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公开(公告)号：CN1643688A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03806421.9
申请日：2003-02-21
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L27/00 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/3246
Abstract: 物理阻隔(210)存在于主动矩阵显示装置的电路基板(100)上的相邻的像素(200)之间，例如以有机半导体材料的LED(25)形成的电致发光显示装置。本发明形成至少部分的阻隔(210)，具有与LED绝缘(40)、但与该基板(100)内的电路(4，5，6，9，140，150，160，T1，T2，Tm，Tg，Ch等)相连接的金属或其它导电材料(240)。所述导电阻隔材料(240)可以备用或替换例如矩阵寻址线(150)，和/或在像素阵列内或外部形成附加部件。包括导电阻隔材料(240)的附加部件是有利的电容器(Ch)，或电感(L)或变压器(W)或甚至是天线。
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公开(公告)号：CN100557846C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200380103035.8
申请日：2003-10-30
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： N·D·杨
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/3204
Abstract: 一种EL器件，包括基板(11)，在该基板上包括三个串联的LED(LED1，2，3)的发光结构。考虑到二极管LED1，其包括设置在下面的ITO阳极(12-1)与上面的阴极(17-1)之间的有机发光材料(16-1)，所述下面的阴极通过所述有机发光材料(16-1)的厚度与二极管LED2的下面的阳极(12-2)导电性串联。通过使用润湿剂获得所述连接，以阻止设置的有机发光材料(16-1)覆盖阳极(12-2)上的接触区域(19-1)，从而上面的阴极(17-1)可以与下面的阳极(12-2)串联。
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公开(公告)号：CN100539787C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200580043340.1
申请日：2005-12-12
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: H01L51/5228 , H01L27/3246 , H01L27/3279 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明涉及一种显示板(2)，其包括多个显示象素(3)，显示象素具有至少一个光发射层(10)和至少一个沉积在所述光发射层上的电极层(7)。第一显示象素(3A)被第一阻挡结构(20)确定，以及邻近所述第一显示象素的第二显示象素(3B)被第二阻挡结构(21)确定。第一阻挡结构和所述第二阻挡结构被与所述电极层电接触的导电结构(22)隔开。由此，在阻挡层(20，21)之间的空间可用于电极层(7)的电分流。本发明进一步涉及包括这种显示板的电子器件和制造显示板的方法。
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公开(公告)号：CN100521223C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200580009340.X
申请日：2005-03-22
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： M·W·G·庞杰 , W·奥普特斯 , J·J·W·M·罗辛克 , H·-H·贝奇特尔 , N·D·杨
IPC: H01L27/15
CPC classification number: H01L27/3269 , H01L27/3272 , H01L2251/5315
Abstract: 有源矩阵显示器件包括设置在公共基板(60)上方的显示像素阵列。每个像素具有包括下电极(74)和上基本透明的电极(80a)的向上发射电流驱动型发光显示元件(2)。用于感测显示元件(2)光输出的光敏器件(27)位于基板(60)和显示元件(2)之间，并且响应于光敏器件(27)输出来控制驱动晶体管(22)。显示元件的下电极(74)是部分透射的，以透射入射到下电极上的光的至多20%，被透射的光的至少一部分被引导到下面的光敏器件(27)。
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