公开(公告)号：CN102933683B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201180027981.3

申请日：2011-07-04

Applicant: 电气化学工业株式会社

Inventor： 竹田豪 ,  桥本久之 ,  江本秀幸 ,  山田铃弥

IPC: C09K11/08 ,  C09K11/64 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7734

Abstract: 本发明是一种β型赛隆的制备方法，其具有对原料粉末进行烧成的烧成工序，所述β型赛隆用通式：Si6-zAlzOzN8-z：Eu表示，在所述原料粉末中，Al含量为0.3~1.2质量％，O含量为0.15~1质量％，O/Al摩尔比为0.9~1.3，Si含量为58~60质量％，N含量为37~40质量%，N/Si摩尔比为1.25~1.45，以及Eu含量为0.3~0.7质量%，所述烧成工序是在氮化气氛中，于1850~2050℃的温度范围对所述原料粉末进行烧成的烧成工序，制备出的β型赛隆在CIExy色度坐标中显示为0.280≤x≤0.340、0.630≤y≤0.675。

公开(公告)号：CN103242843A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210488685.X

申请日：2012-11-26

Applicant: 电气化学工业株式会社

Inventor： 小林庆太 ,  伏井康人 ,  市川恒希 ,  山田铃弥 ,  江本秀幸

IPC: C09K11/80 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/646 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/59 ,  C09K11/7734 ,  H01L33/504 ,  H01L33/58 ,  Y02B20/181

Abstract: 本发明提供一种荧光体及发光装置，所述荧光体具有高温特性和长期可靠性且为高亮度，所述发光装置是使用了该荧光体的白色发光装置。本发明的荧光体具有：峰值波长为525nm以上至535nm以下、荧光强度为250%以上至270%以下的硅酸盐荧光体（A）；峰值波长为540nm以上至545nm以下、荧光强度为260%以上至280%以下的氧氮化物荧光体（B）；峰值波长为645nm以上至655nm以下的氧氮化物荧光体（C）。荧光体（A）的配比为20质量%以上至35质量%以下，荧光体（B）的配比为50质量%以上至70质量%以下，荧光体（C）的配比为10质量%以上至20质量%以下。

公开(公告)号：CN102618276A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210020012.1

申请日：2012-01-21

Applicant: 电气化学工业株式会社

Inventor： 野野垣良三 ,  野见山智宏 ,  川越美满 ,  山田铃弥

IPC: C09K11/80 ,  C09K11/64 ,  H01L33/50

CPC classification number: H05B33/14 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H05B33/12 ,  Y10T428/2982 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供α型赛隆、发光装置及其用途，其能实现白色LED等发光装置的高亮度化并使Eu活化。α型赛隆是用通式：(M)x(Eu)y(Si)12-(m+n)(Al)m+n(O)n(N)16-n(M是从Li、Mg、Ca、Y和除La和Ce之外的镧系元素中选出的至少包含Ca的一种以上元素)表示并使Eu固溶，α型赛隆的一次粒子的50％面积平均粒径为5μm以上，优选α型赛隆的一次粒子的50％面积平均粒径与二次粒子的50％面积平均粒径之比为0.56以上。发光装置(10)包括发光光源(12)和波长转换部件(15)，波长转换部件(15)包括：吸收由发光光源(12)产生的近紫外至蓝色光并发出黄～橙色光的α型赛隆(18)。

公开(公告)号：CN1582264A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN02822179.6

申请日：2002-11-06

Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所 ,  电气化学工业株式会社

Inventor： 平尾喜代司 ,  阪口修司 ,  山内幸彦 ,  神崎修三 ,  山田铃弥

IPC: C04B35/56 ,  B23B27/14

CPC classification number: C04B35/645 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/563 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/528 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/96

Abstract: 碳化硼质烧结体为四点抗弯强度在400MPa以上且断裂韧度在2.8MPam1/2以上的碳化硼质烧结体，具有以下2种最佳方式：(1)在加压条件下使B4C粉末、TiO2粉末和C粉末的混合粉末反应，同时进行焙烧而制得的，由碳化硼95－70mol％和二硼化钛5－30mol％构成的、碳化硼的最大粒径在5μm以下的碳化硼－二硼化钛烧结体；(2)在B4C中含有10－25mol％的CrB2，烧结体的相对密度在90％以上，烧结体中的碳化硼粒子的最大粒径在100μm以下，10－100μm粒径的碳化硼粒子对粒径在5μm以下的碳化硼粒子的存在比(面积比)在0.02－0.6的碳化硼－二硼化铬烧结体。