公开(公告)号：CN117828888A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410030200.5

申请日：2024-01-09

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 毛书漫 ,  黄磊 ,  徐跃杭

IPC: G06F30/20 ,  G16C60/00 ,  G06F111/10 ,  G06F113/26

Abstract: 本发明属于半导体器件仿真技术领域，公开了一种基于物理参数降维的高效率半导体器件仿真方法及系统，TCAD仿真数据获取，对MOSFET进行电流‑电压特性仿真；数据归一化处理，对工艺参数进行归一化处理，优化输入数据；关键物理参数提取，从仿真数据中提取关键参数；工艺参数‑关键物理参数ANN模型构建，利用归一化参数和偏置电压训练人工神经网络(ANN)，输出关键物理参数；关键物理参数‑电流ANN模型构建，构建基于关键物理参数的ANN模型，预测MOSFET的漏源电流。本发明提供了一种基于物理参数的非线性降维方法，大幅降低训练时间，加速工艺参数优化效率。

公开(公告)号：CN117592427A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311617706.8

申请日：2023-11-29

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 毛书漫 ,  苏祥 ,  徐跃杭

IPC: G06F30/398 ,  G06F30/392 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明属于射频功放芯片热电仿真技术领域，公开了一种考虑封装效应的射频功放芯片热电联合仿真方法及系统，对外延层结构、材料及热参数进行定义；建立晶体管热电模型；进行芯片级热电仿真；对芯片外围封装层进行定义；进行考虑外围封装影响的芯片热电仿真。本发明基于芯片级的有限元热仿真及晶体管模型，建立了考虑外围封装影响的射频功放芯片热电效应的动态仿真方法，实现了射频时变信号激励下，带封装结构功放芯片热分布的动态仿真计算。本发明可以仿真动态热电效应，同时可以考虑晶体管间互热效应和芯片封装结构的影响，为射频功放芯片以及封装结构优化及其热管理提供重要指导。

公开(公告)号：CN117579088A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311669098.5

申请日：2023-12-07

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 李草禹 ,  王欢鹏 ,  徐跃杭

IPC: H04B1/04

Abstract: 本发明公开了一种应用于高效率无线输能发射机的射频信号发生模块，用于产生特定频率功率下的过零保持信号。该模块包含压控震荡器、前级可变增益放大器、反向并联二极管、后级可变增益放大器。其中压控震荡器用于产生无线发射需要的射频信号，可以通过偏置电压调节所产生信号的频率。前级可变增益放大器用于调节压控震荡器所产生信号的幅度，使反向并联二极管工作在不同的激励功率下。反向并联二极管用于产生高效率无线发射机所需要的过零保持信号，由于二极管的开启电压不变，所以不同的输入功率会使得反向并联二极管的输出的过零保持信号的零幅度持续时间不同。后级可变增益放大器用于调节过零保持信号的功率，用于匹配无线发射机中的高效率功率放大器的高效率工作区间。该模块适用于特定的无线输能系统发射机，用于产生过零保持信号，此类发射机中使用针对过零保持信号优化的谐波控制类放大器，利用该过零保持信号的特性，通过减少功率放大器漏极的电压电流重叠来进一步提高无线输能发射机的工作效率。

公开(公告)号：CN115728615A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211399445.2

申请日：2022-11-09

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 毛书漫 ,  徐跃杭

IPC: G01R31/26 ,  G06F30/36

Abstract: 本发明提供了一种晶体管物理基陷阱效应模型参数提取方法。针对需要提取参数的晶体管，采用脉冲IV测试模式执行常温状态下脉冲电流特性曲线测试；针对待提取参数的晶体管，执行不同温度下的瞬态电流特性曲线测试；执行晶体管电流模型的参数提取；根据不同温度下的瞬态电流提取发射时间常数，绘制Arrhenius曲线，并提取陷阱激活能和陷阱俘获截面；建立陷阱模型等效电路，根据提取的陷阱激活能和陷阱俘获截面，以及晶体管电流模型，基于静态偏置点下的脉冲IV实测数据，提取陷阱控制电势模型参数和稳态时的陷阱背景电势。相比于现有技术，提升了晶体管陷阱效应模型的建模效率，且能针对不同晶体管提取其对应的物理参数。

公开(公告)号：CN119849210A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510322512.8

申请日：2025-03-19

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 毛书漫 ,  罗奕 ,  马淑佼 ,  苏祥 ,  徐跃杭

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/10

Abstract: 本发明公开了一种微波化合物晶体管通用多偏置噪声模型参数提取方法，涉及半导体器件建模技术领域，对晶体管进行测试，获取不同偏置下静态直流IV、S参数和噪声参数实测数据；建立大信号模型，结合多偏置静态直流IV和S参数进行非线性模型参数提取，获取非线性模型参数；进行不同偏置下的噪声特性建模，结合实测数据与非线性模型参数，提取不同偏置下的噪声模型参数；通过分段函数拟合噪声模型参数，获取其偏置相关函数；根据器件非线性模型参数、噪声模型参数和偏置相关函数建立多偏置噪声模型并结合静态直流IV、S参数与噪声参数实测数据进行验证。本发明能够基于通用的噪声模型参数偏置相关函数方程进行多偏置噪声建模。