公开(公告)号：CN101120427A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200680004939.9

申请日：2006-02-16

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 安东尼·雷诺 ,  艾立克·赫尔曼森 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  葛登·恩吉尔

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/244

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/31703 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明提供一种静电抑制型的法拉第筒与能量污染监测器的混合装置及使用所述装置的相关方法。本发明的装置可选择性地测量离子束的两种特性，例如测量减速离子束的电流及能量污染程度。根据本发明一方面，本发明提供的离子束测量装置包括：用来接收离子束的光圈；配置在光圈旁的负偏压电极；配置在负电压电极旁的正偏压电极；配置在正偏压电极旁的选择偏压电极；以及收集器。其中，选择偏压电极可选择性地选定为负偏压或正偏压。

公开(公告)号：CN208111395U

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201820390446.3

申请日：2018-03-21

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 艾立克·赫尔曼森 ,  菲力浦·莱恩 ,  詹姆斯·皮克斯利

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/30

Abstract: 本实用新型提供一种离子植入系统和静电过滤器的导电束光学器件。离子植入系统包括静电过滤器和电源供应器。静电过滤器位于离子植入系统的腔室内，且静电过滤器包括导电束光学器件，其中导电束光学器件具有形成在外表面中的多个沟槽。电源供应器与静电过滤器连通，且电源供应器被配置成向导电束光学器件供应电压及电流。本实用新型通过在导电束光学器件上提供沟槽或表面特征来增大导电束光学器件的表面积。