公开(公告)号：CN109690727A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780055593.3

申请日：2017-08-10

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 葛兰·FR·吉尔克里斯特 ,  梁树荣

IPC: H01J37/305 ,  H01J37/304

Abstract: 本发明公开一种能够对带电离子的提取角度及反应性中性粒子的提取角度进行独立控制的工件加工设备。所述设备包括具有提取开孔的提取板，带电离子通过所述提取开孔。可使用等离子体鞘调制及电场来确定带电离子的提取角度。提取板还包括与提取开孔分开的一个或多个中性物质通道，反应性中性粒子是以所选择提取角度通过所述一个或多个中性物质通道。所述中性物质通道的几何构造决定反应性中性粒子的提取角度。中性物质通道还可包括用于减少通过中性物质通道的带电离子的数目的抑制器。所述设备可用于各种应用，例如定向反应性离子蚀刻。

公开(公告)号：CN107851576A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042951.2

申请日：2016-07-14

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 梁树荣 ,  科斯特尔·拜洛 ,  葛兰·吉尔克里斯特 ,  维克拉姆·辛 ,  克里斯多夫·坎贝尔 ,  理查德·赫尔特 ,  艾立克斯恩德·C·刚特司

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01J37/3053 ,  C23F4/00 ,  H01J37/08 ,  H01J37/1471

Abstract: 在一个实施例中，一种处理衬底的设备可包括：提取板，自等离子体室提取等离子体束并将所述等离子体束引导至所述衬底，所述等离子体束可包含相对于所述衬底的平面的垂线而形成非零入射角的离子；以及气体出口系统，安置于所述等离子体室外部，所述气体出口系统耦合至气体源且被配置成将自所述气体源接收的反应气体递送至所述衬底，其中所述反应气体不通过所述等离子体室。