公开(公告)号：CN115882838A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210999766.X

申请日：2022-08-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 吉村直弘 ,  田中诚

IPC: H03K17/082 ,  H03K17/687

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。当负载端子PNl中生成的输出电压Vo比接地电压GND低时，检测晶体管MNd使检测电流IdN流向电流路径CP1n。电流镜电路CMp1将在电流路径CP1n中流动的检测电流IdN传送到电流路径CP2a。检测电阻元件Rd1将在电流路径CP2a中流动的镜像电流I2a转换为检测电压Vd1。当转换后的检测电压Vd1高于预定值时，控制晶体管MNc1被导通。然后，在控制晶体管MNc1导通的同时，输出晶体管QO被控制为截止。

公开(公告)号：CN103904629A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310741392.2

申请日：2013-12-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 田中诚 ,  中原明宏

IPC: H02H9/02

CPC classification number: H02H9/025 ,  H03K17/0822

Abstract: 本发明涉及半导体器件和电子控制装置。半导体器件包括：输出晶体管；和电流检测部。输出晶体管控制从电源到负载的电力供应。电流检测部检测流过输出晶体管的电流。电流检测部具有这样的电流检测特性，其中电流检测值对于输出晶体管的漏极-源极电压具有近似线性的负依赖性。