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公开(公告)号：CN103681714A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310404801.X
申请日：2013-09-04
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14612 , H01L27/14629 , H01L27/14643 , H01L27/14685
Abstract: 本发明公开了一种摄像装置及其制造方法。一种可防止因波导与光电二极管的距离偏差、以及因射入光的反射抑制引起的光衰减而造成像素部的感光度劣化的摄像装置和制造方法。在像素区域PE中，形成有贯穿第四层间绝缘膜IF4等并到达侧壁绝缘膜SWI的波导WG。侧壁绝缘膜SWI为氧化硅膜与氮化硅膜的层叠结构。波导WG以贯穿侧壁绝缘膜的氮化硅膜并到达侧壁绝缘膜的氧化硅膜SWO的方式形成，或者以到达侧壁绝缘膜的氮化硅膜的方式形成。
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