公开(公告)号：CN107887394A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710885377.3

申请日：2017-09-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 佃荣次 ,  园田贤一郎

IPC: H01L27/11568

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/785 ,  H01L29/792

Abstract: 本公开涉及半导体装置。通过在包括鳍式晶体管的分离栅极MONOS存储器中防止由于鳍的形状而使到电荷累积膜中的电子的不平衡注入分布，从而提供了一种具有改善的可靠性的半导体装置。构造存储器单元的存储器栅极电极形成在鳍上方。与覆盖鳍的上表面的ONO膜邻接的该存储器栅极电极的一部分的杂质浓度低于与覆盖鳍的侧表面的ONO膜邻接的存储器栅极电极的一部分的杂质浓度。