透明导电膜层叠用薄膜及其制造方法、以及透明导电性薄膜

    公开(公告)号:CN105976895B

    公开(公告)日:2019-08-06

    申请号:CN201610115875.5

    申请日:2016-03-01

    Abstract: 本发明提供一种能够不易辨识透明导电膜的图案,且能够将透明导电膜的电阻值设定为所期望的值,并且在低折射率层的表面设置线路等时的加工性优异的透明导电膜层叠用薄膜、及使用该透明导电膜层叠用薄膜来制造的透明导电性薄膜。本发明的透明导电膜层叠用薄膜(1)具备透明塑料基材(2)及低折射率层(4),该低折射率层(4)设置在所述透明塑料基材(2)的至少一面侧,所述透明导电膜层叠用薄膜(1)的特征在于,所述低折射率层(4)的折射率为1.30~1.50,所述低折射率层(4)的表面积增加率为5%以下,所述低折射率层(4)的表面自由能为25.0~100mJ/m2,所述低折射率层(4)的厚度为2~70nm。

    防眩性硬涂膜以及防眩性硬涂膜的制造方法

    公开(公告)号:CN109085666A

    公开(公告)日:2018-12-25

    申请号:CN201810203948.5

    申请日:2018-03-13

    CPC classification number: G02B1/14 G02B5/0226 G02B5/0242

    Abstract: 本发明提供一种能够防止褪色性等的防眩性硬涂膜等。本发明提供的防眩性硬涂膜等的特征在于,包括来自防眩性硬涂层形成材料的、厚度为8μm以下的防眩性硬涂层,该防眩性硬涂层形成材料含有相对于100质量份的作为(A)成分的活性能量射线固化性树脂,为5~25质量份的作为(B1)成分的二氧化硅颗粒、为3~30质量份的作为(B2)成分的高折射率颗粒、以及为4~25质量份的作为(B3)成分的树脂颗粒,并且,二氧化硅颗粒从膜表面突出。

    透明导电膜层叠用薄膜及其制造方法、以及透明导电性薄膜

    公开(公告)号:CN105976895A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201610115875.5

    申请日:2016-03-01

    CPC classification number: B32B7/02 H01B5/14 H01B13/00

    Abstract: 本发明提供一种能够不易辨识透明导电膜的图案,且能够将透明导电膜的电阻值设定为所期望的值,并且在低折射率层的表面设置线路等时的加工性优异的透明导电膜层叠用薄膜、及使用该透明导电膜层叠用薄膜来制造的透明导电性薄膜。本发明的透明导电膜层叠用薄膜(1)具备透明塑料基材(2)及低折射率层(4),该低折射率层(4)设置在所述透明塑料基材(2)的至少一面侧,所述透明导电膜层叠用薄膜(1)的特征在于,所述低折射率层(4)的折射率为1.30~1.50,所述低折射率层(4)的表面积增加率为5%以下,所述低折射率层(4)的表面自由能为25.0~100mJ/m2,所述低折射率层(4)的厚度为2~70nm。

    热电转换材料的芯片的制造方法、以及使用了通过该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法

    公开(公告)号:CN112602202A

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN201980055211.6

    申请日:2019-08-27

    Abstract: 本发明提供能够以不具有与电极的接合部的形态进行热电转换材料的退火处理、从而能够以最佳的退火温度实现热电半导体材料的退火的热电转换材料的芯片(3a,3b)的制造方法、以及使用了通过该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法。该热电转换材料的芯片(3a,3b)的制造方法是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法,该方法包括:(A)在基板(1)上形成牺牲层(21)的工序;(B)在所述牺牲层上形成由所述热电半导体组合物形成的热电转换材料层(3)的工序;(C)对所述热电转换材料层进行退火处理的工序;(D)将退火处理后的热电转换材料层转印至粘合剂层(11b)的工序;(E)将热电转换材料层单片化为热电转换材料的芯片的工序;以及(F)将单片化后的热电转换材料的芯片剥离的工序。

    电磁波吸收构件
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119096712A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202380039240.X

    申请日:2023-08-24

    Abstract: 本发明提供一种电磁波吸收构件(10),其具备以电磁波吸收层(20)、隔离层(30)、反射层(40)的顺序进行层叠的电磁波吸收层(20)、隔离层(30)及反射层(40),隔离层(30)的相对介电常数为5以上,隔离层(30)的熔点为150℃以上。

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