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公开(公告)号：CN109145511B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201811135670.9
申请日：2018-09-28
Applicant: 珠海一微半导体股份有限公司
Inventor： 蔡晓銮
IPC: G06F30/392 , G06F30/394
Abstract: 本发明公开一种MOS管的栅极的交互式打孔方法，利用EDA工具下的程序接口语言，构建一个配置交互式界面窗口的MOS管的栅极的交互式打孔函数。通过配置实现所述交互式打孔函数所在的脚本文件自动加载流程。在任意版图中执行所述脚本文件后，选定的一个或多个MOS管的输出指令信号，通过一个界面触发信号生成所述交互式界面窗口，实现对不同类型MOS管的多晶硅栅的打孔方向进行设置，并在界面功能控件信号的触发作用下，将所有选中的MOS管的多晶硅栅都按设置的方向进行了打孔操作。相对于现有技术，真正做到一个触发信号解决所有MOS管的多晶硅栅引出信号线的人工操作重复繁琐的问题。
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