集成电路装置和制造该集成电路装置的方法

    公开(公告)号:CN119136539A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202410752047.7

    申请日:2024-06-12

    Abstract: 公开了一种集成电路装置和一种制造集成电路装置的方法。该集成电路装置包括:衬底,其具有存储器单元区域和在存储器单元区域周围延伸的外围电路区域;单元晶体管,其位于存储器单元区域中;以及外围电路晶体管,其位于外围电路区域中。该装置还包括:电容器结构,其包括单元晶体管上的下电极、下电极的表面上的电介质层、电介质层上的上材料层、以及上材料层上的金属板层;层间绝缘层,其在存储器单元区域中位于金属板层上并且在外围电路区域中位于外围电路晶体管上;以及蚀刻停止图案,其在存储器单元区域和外围电路区域的边界部分处位于层间绝缘层中。蚀刻停止图案与金属板层的侧壁横向间隔开并且竖直地延伸。

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