公开(公告)号：CN115518420A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211480530.1

申请日：2022-11-24

Applicant: 湖南大学

Inventor： 吴振军 ,  瞿双林 ,  解修强 ,  杨文 ,  黄中原

IPC: B01D21/02 ,  B01F35/21 ,  B01D21/28 ,  B01D21/34 ,  B01F27/192 ,  B01F27/90

Abstract: 本发明公开了一种用于尾砂浓缩与填料制备的一体化智能装置及其应用，包括一级浓密罐和配料筒，所述一级浓密罐和配料筒之间设置有二级浓密罐，所述二级浓密罐包括罐体和设置于罐体内的挡料板，所述罐体呈倒锥状，所述挡料板上设置有浊度计，多层所述挡料板将罐体进行分层，各层设置有出料口，所述出料口内设置有阀泵，所述罐体内设置有搅拌机构。本发明开发的倒锥形浓缩罐，上小下宽，内部设置倾斜环形挡料板结构，可将一级浓密罐排出的底流进一步借助重力，并通过倒锥弱化反向扩散与倾斜环形板抑制颗粒上浮协同作用，实现深度浓缩，可为后续实现高浓度充填输送稳定的低含水底流料。解决了现有矿尾砂浓密效果差、填料生产成本高的问题。

公开(公告)号：CN110416065A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910688508.8

申请日：2019-07-29

Applicant: 湖南大学

Inventor： 李梓维 ,  李方 ,  杨文 ,  梁德琅 ,  潘安练

IPC: H01L21/02 ,  C01G39/06 ,  C01B19/04

Abstract: 本发明涉及一种二硫化钼/二硒化钨垂直异质结的制备方法。方法包括：采用在二氧化硅/硅基底上用化学气相沉积的方法先制备出二硫化钼薄层，然后再次运用化学气相沉积的方法直接在上述基底上沉积二硒化钨薄层，并在NaI的辅助下，在600-700℃的生长温度下实现所述两种材料构成的垂直异质结。本发明二硫化钼/二硒化钨垂直异质结材料的制备方法工艺简单，原料中添加低熔点盐并结合成熟的基础工艺，能够避免底层过渡金属二硫化物(TMDCs)的原子替换、热分解、合金化等不利因素，实现高质量、原子级陡峭界面二维异质结的生长。本发明提出了一种新的生长机制，能更加深入理解TMDCs垂直异质结在成核和动力学方面的生长过程，为基础研究和潜在的器件应用定义了一个多功能的材料平台。