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公开(公告)号：CN117976771A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410162250.9
申请日：2024-02-05
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/072
Abstract: 本发明公开了一种低温CsPbI2Br钙钛矿薄膜的制备及其碳电极光伏电池，属于新能源技术领域。本发明通过在CsPbI2Br钙钛矿薄膜表面旋涂包含MABr和CsBr的表面处理溶液进行表面处理，实现低温退火条件下的稳定性以及光电转换效率的提升。同时本发明使用低温碳浆料替代昂贵的空穴传输层HTM以及金属电极，既避免了长时间放置金属电极与钙钛矿层相互渗透也大大缩减了实验成本。此外，本发明制备的钙钛矿电池成本低、稳定性显著提高，在湿度25％‑35％的空气中存放21天后仍能保持初始效率的81％，光电效率可达11.04％。
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公开(公告)号：CN117174742A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310947189.4
申请日：2023-07-31
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L29/41 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/417 , H10B41/30
Abstract: 本发明公开一种环形浮栅器件，涉及半导体技术领域。所述环形浮栅器件包括：衬底、源极、漏极和多个纳米线结构；纳米线结构包括：纳米线沟道以及由内向外依次包裹在纳米线沟道外的隧穿介质层、浮栅层、栅氧化层和栅电极层，纳米线沟道的两端均延伸出隧穿介质层、浮栅层、栅氧化层和栅电极层，并分别与源极和漏极相接触；源极和漏极均设置在衬底上，且两极不接触；各纳米线结构由下向上依次设置在两极之间。本发明可以提高浮栅器件的可靠性，解决在沟道内掺杂难以实现与传统常规器件一样均匀的问题，并且也可以解决在源漏施加偏压后两个电极间的平行电场自上而下慢慢减弱，沟道电子注入的难度逐渐增加的问题。
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公开(公告)号：CN113066927B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110170101.3
申请日：2021-02-03
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转换层；阻变层；顶电极；转换层为钛掺杂的氧化铌。本申请的器件，转换层为钛掺杂的氧化铌，基于该材料制得的选通管有操作电压十分稳定、抗高脉冲电流等优点；阻变层采用氮化硅薄膜，由于氮化物的存在使得氧空位移动受到限制，使得氧空位更为可控。本申请采用掺钛氧化铌作为选通管功能层和氮化硅薄膜作为阻变层，使制得的1S1R器件具有稳定的SET电压、RESET电压、负极性阈值电压和正极性保持电压等相关操作电压，明显的存储窗口和选通比(非线性值)，在直流耐受性测试中表现出较强的稳定性，因此能够有效地减小漏电流，有一定的抗串扰能力。
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公开(公告)号：CN113130744A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110395190.1
申请日：2021-04-13
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的选通器件及其制备方法，该选通器件包括底电极；转变层，位于底电极一侧表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为m，0.1％≤m＜1.5％。本发明的基于铝掺杂氧化铌的选通器件，转变层为铝掺杂氧化铌薄膜，通过铝掺杂提升了氧化铌高阻态的势垒，增加高阻态电阻，相比传统的转换层为氧化铌的选通管具有更高的选通比。
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公开(公告)号：CN104091888A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410340552.7
申请日：2014-07-17
Applicant: 湖北大学
CPC classification number: H01L51/4233 , H01L51/0032 , H01L51/4226 , Y02E10/549 , H01L51/0003 , H01L51/422
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法。所述钙钛矿型太阳能电池由FTO玻璃基底、三明治结构TiO2/ZnO/TiO2致密层、TiO2介孔/钙钛矿结构材料活性吸光层、spiro-OMeTAD空穴传输层与金电极组成。与现有技术相比，三明治结构TiO2/ZnO/TiO2致密层结合了TiO2和ZnO二者的优缺点，使本发明的钙钛矿型太阳能电池的填充因子提高到70％，光电转换效率达到12.6％。本发明制备钙钛矿型太阳能电池设备简易，制备工艺简单，易于控制，成本较低，具有非常良好的工业应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113130744B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110395190.1
申请日：2021-04-13
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的选通器件及其制备方法，该选通器件包括底电极；转变层，位于底电极一侧表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为m，0.1％≤m＜1.5％。本发明的基于铝掺杂氧化铌的选通器件，转变层为铝掺杂氧化铌薄膜，通过铝掺杂提升了氧化铌高阻态的势垒，增加高阻态电阻，相比传统的转换层为氧化铌的选通管具有更高的选通比。
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公开(公告)号：CN113113538A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110395182.7
申请日：2021-04-13
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的抗串扰阻变器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转变层，位于底电极表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为1.5～5％。本发明的抗串扰阻变器件，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，通过高浓度铝掺杂提升抗串扰阻变器件的稳定性，铝原子可以起到固定五氧化二铌区域导电丝的作用，极大增加抗串扰阻变器件的耐受性；相比传统的1S1R器件，可减少集成中的光刻及刻蚀步骤，降低工艺复杂度，节约成本；相比纯氧化铌阻变器件，本申请的的抗串扰阻变器件，耐受性有极大提升，并且抗串扰阻变器件的阈值电压和电阻稳定性均有提升。
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公开(公告)号：CN112952088A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110212580.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳布生长的金属掺杂碳酸锰电极材料及其制备方法和应用，属于水系锌离子电池阴极储能材料技术领域。本发明以碳布为基底，将碳布预处理后置于配有适当比例的金属盐、锰盐和尿素的反应釜内胆的混合溶液中，并将碳布用聚四氟乙烯板固定，最后将反应釜装置放入干燥箱中进行水热反应，其中：反应温度设置为100～180℃，反应时间设置为16～24h，反应完成后清洗干净并干燥即可。本发明的金属掺杂碳酸锰后，形貌发生改变，在提高结构的稳定性同时，增大了反应过程的表面积，也提升了其能量密度。此外，本发明制备的电极材料在电池充放电过程中对进入阴极材料内部嵌入脱嵌的锌离子的静电作用力减少，电导率增大，提升了电池的电化学性能。
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公开(公告)号：CN112885869A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110150113.X
申请日：2021-02-03
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于金属性插层的1S1R器件及其制备方法，该器件其包括：底电极、转换层、金属性插层、阻变层和顶电极；其中，金属性插层的材料为Ti薄膜、ITO薄膜和TiN薄膜中的一种。本申请的1S1R器件，通过在1S1R器件中引入金属性插层，金属性插层作为中间电极连接两功能层，更重要地是使得选通管单元和阻变存储器单元的氧空位在工作过程中互相不干扰，保证了两个单元的独立正常工作，增强了其稳定性，与现有技术相比，具有稳定的直流耐受性、十分稳定的SET电压、RESET电压、阈值电压和保持电压等相关电压，较为明显的存储窗口和选通比，能够有效地减小漏电流，抗串扰能力强。
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公开(公告)号：CN108389971A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810195305.0
申请日：2018-03-09
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明涉及一种大面积金红石相SnO2薄膜的低温制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明的大面积SnO2薄膜是将干净的FTO放入浓度为0.02M～0.7M的四氯化锡溶液中，用70℃水浴2h后，再在70～200℃条件下退火1h制得。本发明方法操作简单，成本低，副产品少，对环境污染小，且制得的SnO2薄膜均匀致密，结晶性、增透性、导电性均较好。将本发明制得的SnO2薄膜应用于SnO2平面钙钛矿太阳能电池中的电子传输层，可明显提升电池的短路电流，电池的光电转换效率可以达到10％以上，因此，本发明制得的大面积金红石相SnO2薄膜具有良好的应用前景，可有效应用于平面钙钛矿太阳能电池中。
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