钛氧化合物热电陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113735577A

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202110902617.2

    申请日:2021-08-06

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种钛氧化合物热电陶瓷材料及其制备方法,该方法包括:(1)将Ti3AlC2块体夹持在电极上,以含有铵盐的水溶液为电解液进行电解,以便得到悬浊液;(2)将所述悬浊液进行氧化处理,固液分离后获取沉淀,对沉淀进行洗涤和干燥,以便得到干燥材料;(3)将所述干燥材料研磨后进行放电等离子烧结,以便得到钛氧化合物热电陶瓷材料。该方法实现了对MAX刻蚀废料的有效利用,并且制备得到具有很低的热导和较好的热电性能的钛氧化合物热电陶瓷材料,在废热发电和电热制冷等领域具有潜在的应用价值。此外,该方法工艺简单,成本低,操作过程灵活,产率高,可适用于钛氧化合物热电陶瓷材料的批量化生产,进而实现工程化应用。

    花状氧化银/碳酸氧铋异质结及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113559902A

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202110786992.5

    申请日:2021-07-09

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种花状Ag2O/Bi2O2CO3异质结及其制备方法和应用。其中制备方法包括:将Ag2CO3和花状的Bi2O2CO3混合均匀,在氮气气氛下煅烧,冷却,得到花状Ag2O/Bi2O2CO3异质结。本发明所述异质结的光生载流子分离和迁移效率高,具有很好的光吸收性能,所述异质结能够实现气相苯系物的高效光催化净化,本发明具有制备简单、环境友好、能耗低、成本廉的优点。

    光热热电催化剂信号检测系统和方法、及催化反应设备

    公开(公告)号:CN112782075A

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN202011594839.4

    申请日:2020-12-29

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种光热热电催化剂信号检测系统和方法、及催化反应设备。系统包括:反应器,包括支撑部和封在其上盖体,盖体纵切面为几字形,顶部设光照玻璃窗口,侧壁设进、出气口,支撑部为封闭腔体,上表面设凹槽,腔体的内部设有降温装置,用于对凹槽底部进行降温;光源和/或加热装置,所述光源位于所述反应器外部,所述加热装置位于所述反应器内部;检测装置,用于检测催化剂的电和热信号,包括位于反应器内的检测元件。本发明可实现光照和/或加热条件下催化剂电和热信号在线检测,系统与其他检测仪器连用可测试光热热电催化剂在众多反应中的应用性能,如测试一定封闭体积内或流动条件下的催化剂催化二氧化碳的性能。

    一种聚合物纳米复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108866819A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201710317660.6

    申请日:2017-05-08

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种聚合物纳米复合材料及其制备方法。该方法包括如下步骤:(1)采用静电纺丝法制备纳米填料和聚合物基体的复合无纺布;构成所述复合无纺布的复合纤维以所述聚合物基体为主体纤维骨架,所述纳米填料分散在所述主体纤维中;(2)对所述复合无纺布进行热压,即可得到所述聚合物纳米复合材料。相对于一般的制膜工艺,本发明方法不仅更加简单高效,而且制备出的复合材料具有更好的均匀性和均一性。本发明复合材料可以实现复合材料内部填料材料粒分散均匀,表面平整,内部致密无气孔,厚度均一且大范围内精细可控,同时具有优异的介电性能以及很高的性能稳定性,有望在电介质材料方面得到广泛的应用。

    一种带有二氧化钛纳米棒阵列的电介质薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN107056087A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201710262368.9

    申请日:2017-04-20

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种带有二氧化钛纳米棒阵列的电介质薄膜的制备方法,属于电介质材料技术领域。电容器的电介质材料为TiO2纳米棒阵列与PVDF‑HFP的复合物。该方法首先用水热法在FTO基片上制备出TiO2纳米棒阵列,用多巴胺盐酸盐进行表面处理后,将PVDF‑HFP和DMF的溶液旋涂于阵列表面并在真空干燥箱内烘干。将复合薄膜进行热处理及淬火后,去除部分薄膜使FTO露出,作为底电极,再在复合薄膜表面镀上铜电极,即可完成该电介质电容器的制备。本发明制备的电介质电容器击穿场强可达3.7‑5.1MV/cm,室温储能密度可达10.7‑17.5J/cm3,并具有80‑86%的超高储能效率,且合成过程低成本、易加工,是一种有希望作为嵌入式电容器、静电储能元器件等应用的器件。

    一种利用电场写入数据的四态磁存储单元

    公开(公告)号:CN104851973B

    公开(公告)日:2017-07-14

    申请号:CN201410056622.6

    申请日:2014-02-19

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种利用电场写入数据的四态磁存储单元。其包括:第一电极层;铁电氧化物层,所述铁电氧化物层形成于所述第一电极层上;第二电极层,所述第二电极层形成于所述铁电氧化物层上;磁性记录层,所述磁记录层形成于所述第二电极层上,所述磁性记录层的平面具有4重对称性,用于进行磁性记录,所述铁电氧化物层与磁性记录层之间具有磁电效应的耦合作用;以及保护层,所述保护层设置于所述磁性记录层上,以保护所述磁性记录层。与现有技术相比,本发明对磁性记录层的形状各向异性与排列做了优化,使得磁性记录层的磁化强度在外加电压的作用下的翻转方向可以被控制,磁化强度的四种状态都可以通过外加电压进行写入,从而实现4进制数据存储。

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