一种非接触式超导带材载流能力测量装置

    公开(公告)号:CN101833027B

    公开(公告)日:2011-11-09

    申请号:CN201010163715.0

    申请日:2010-04-29

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明属于超导电工学领域,特别涉及一种非接触式超导带材载流能力测量装置。本发明基于单磁路法的电流传输性能连续测量方法,探测磁路垂直固定在基座上,探测磁路的铁芯、样品狭缝、测量狭缝和励磁线圈构成闭合探测磁路。在液氮低温条件下,励磁线圈通电在样品狭缝和测量狭缝处产生一个固定磁场,将样品通过样品狭缝,样品内感生环形电流,在测量狭缝测量环形电流反向驱动探测磁路产生的磁感应强度的变化反映带材的电流载流能力。本发明的单磁路装置与双磁路装置具有同样的高速和重复性好的优点,还可以测量带材在不同外加磁场下,不同磁场穿透情况的带材载流性能,特别适合连续测量超长超导带材载流能力。

    非接触式超导带材临界电流测量装置

    公开(公告)号:CN101788594B

    公开(公告)日:2011-11-09

    申请号:CN201010033688.5

    申请日:2010-01-08

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明属于超导电工学领域,特别涉及一种非接触式超导带材临界电流测量装置。励磁磁路和探测磁路平行固定在基座上,励磁磁路的磁化狭缝中心点与探测磁路的样品狭缝中心点等高度,励磁磁路铁芯和磁化狭缝构成闭合励磁磁路,探测磁路铁芯、样品狭缝和测量狭缝构成闭合探测磁路。基于磁路法的临界电流非接触式测量方法,在液氮低温条件下,先将样品在励磁磁路磁化狭缝磁化感生环形电流,再将样品置于探测磁路样品狭缝,在探测磁路测量狭缝探测环形电流驱动探测磁路产生的磁感应强度,用测得磁感应强度与标准样品对比再反算样品临界电流。本发明解决了现有技术要求样品与探头精确定位的缺点,测量效率高,特别适合连续测量超长超导带材临界电流。

    一种非接触式超导带材载流能力测量装置

    公开(公告)号:CN101833027A

    公开(公告)日:2010-09-15

    申请号:CN201010163715.0

    申请日:2010-04-29

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明属于超导电工学领域,特别涉及一种非接触式超导带材载流能力测量装置。本发明基于单磁路法的电流传输性能连续测量方法,探测磁路垂直固定在基座上,探测磁路的铁芯、样品狭缝、测量狭缝和励磁线圈构成闭合探测磁路。在液氮低温条件下,励磁线圈通电在样品狭缝和测量狭缝处产生一个固定磁场,将样品通过样品狭缝,样品内感生环形电流,在测量狭缝测量环形电流反向驱动探测磁路产生的磁感应强度的变化反映带材的电流载流能力。本发明的单磁路装置与双磁路装置具有同样的高速和重复性好的优点,还可以测量带材在不同外加磁场下,不同磁场穿透情况的带材载流性能,特别适合连续测量超长超导带材载流能力。

    一种提高Bi-2223带材临界电流密度的方法

    公开(公告)号:CN100386825C

    公开(公告)日:2008-05-07

    申请号:CN200610081162.8

    申请日:2006-05-23

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 阿木 韩征和 顾晨

    CPC classification number: Y02E40/64

    Abstract: 本发明公开了属于高温超导材料领域的一种提高Bi-2223带材临界电流的方法。具体是先将带材选定区域的绝缘漆用较细的砂纸仔细打磨掉,并把带材表面清洗干净;选用直流稳压电源作为电镀电源,电源输出电压3V进行电镀,通过改变电镀时间改变复合导线表面镀层厚度,得到表面有电镀铁磁体材料的Bi-2223带材,因此有效控制交流损耗。可以实际应用于Bi系高温超导带材的大规模生产。

    一种开放式全频段调节的磁场屏蔽装置及其磁场屏蔽方法

    公开(公告)号:CN108401409B

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201810059339.7

    申请日:2018-01-22

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 顾晨

    Abstract: 本发明公开了属于电磁兼容技术领域的涉及一种开放式全频段调节的磁场屏蔽装置,该磁场屏蔽装置由磁场探测线圈、磁场检测线圈、驱动电路,磁场调节线圈和相应配套的样品台构成;磁场探测线圈负责监测环境磁场变化,经过驱动电路功率放大后驱动磁场调节线圈对外磁场进行抵消,其中磁场探测线圈放在正上方,样品台置于磁场调节线圈中心,磁场检测线圈和磁场检测探头连接,并放在样品台面上,驱动电路放在磁场调节线圈外侧,被屏蔽磁场在驱动电路上方。本发明提供的全频段调节的磁场屏蔽装置更有利于工程实践。

    一种开放式全频段调节的磁场屏蔽装置

    公开(公告)号:CN108401409A

    公开(公告)日:2018-08-14

    申请号:CN201810059339.7

    申请日:2018-01-22

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 顾晨

    Abstract: 本发明公开了属于电磁兼容技术领域的涉及一种开放式全频段调节的磁场屏蔽装置,该磁场屏蔽装置由磁场探测线圈、磁场检测线圈、驱动电路,磁场调节线圈和相应配套的样品台构成;磁场探测线圈负责监测环境磁场变化,经过驱动电路功率放大后驱动磁场调节线圈对外磁场进行抵消,其中磁场探测线圈放在正上方,样品台置于磁场调节线圈中心,磁场检测线圈和磁场检测探头连接,并放在样品台面上,驱动电路放在磁场调节线圈外侧,被屏蔽磁场在驱动电路上方。本发明提供的全频段调节的磁场屏蔽装置更有利于工程实践。

    高温超导线圈和高温超导线圈的制作方法

    公开(公告)号:CN106373772B

    公开(公告)日:2018-06-22

    申请号:CN201610878171.3

    申请日:2016-10-08

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种高温超导线圈和高温超导线圈的制作方法,所述制作方法包括以下步骤:S1:提供超导线并将所述超导线绕设在绕线架上形成线圈;S2:对所述线圈进行真空浸蜡处理,以使所述线圈的匝与匝之间的间隙内填充石蜡;S3:采用环氧树脂胶对所述线圈进行封装处理。根据本发明实施例的高温超导线圈的制作方法,使封装形成的线圈不仅具有较好的导热效果和较高的机械强度,而且避免了低温下环氧树脂胶的收缩对超导线造成局部破坏而引起线圈的性能衰退,性能保持性好,线圈的超导性和强度等性能较好。

    一种快速测量超导薄膜平均临界电流的方法

    公开(公告)号:CN107144802A

    公开(公告)日:2017-09-08

    申请号:CN201710325985.9

    申请日:2017-05-10

    CPC classification number: G01R33/1246

    Abstract: 快速测量超导薄膜平均临界电流的方法:测量待测超导薄膜样品的几何尺寸;将待测样品冷却至超导态并进行励磁;采用磁场测量装置扫描测量待测样品几何中心区域磁感应强度B;根据B的最大值确定待测样品的几何中心点坐标;将磁场测量装置固定于几何中心点的正上方或正下方一高度h处以测量待测样品在磁场测量装置固定处产生的磁感应强度Bc;对一平均临界电流Ic已知的超导薄膜对照样品执行前述的全部步骤得到该对照样品的Bc值;根据超导薄膜的Bc与h、Ic和几何尺寸之间的关系式,基于测量得到的对照样品的所述几何尺寸、Bc值和已知的Ic值,得到h的值,再将h的值及测量得到的待测样品的几何尺寸和Bc值代入关系式,得到待测样品的Ic值。

    基于闭合超导线圈组的磁场屏蔽系统及磁场屏蔽设备

    公开(公告)号:CN104349654A

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:CN201310318686.4

    申请日:2013-07-26

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种磁场屏蔽系统,包括两个第一级超导线圈及两个第二级超导线圈围绕一中心对称轴共轴设置,所述第一级超导线圈的尺寸不同于所述第二级超导线圈的尺寸,其中一第一级超导线圈与一第二级超导线圈构成一第一线圈组,另一个第一级超导线圈与另一第二级超导线圈构成一第二线圈组,所述第一线圈组与第二线圈组绝缘且镜像对称设置,每一线圈组中所述第一级超导线圈与所述第二级超导线圈串联形成一闭合回路。本发明进一步提供一种磁场屏蔽设备。本发明所述磁场屏蔽系统工艺实现路线简单,有利于工程实践。

    基于闭合超导线圈组的磁场屏蔽系统及磁场屏蔽设备

    公开(公告)号:CN104349653A

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:CN201310318660.X

    申请日:2013-07-26

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种基于闭合超导线圈组的磁场屏蔽系统,包括一第一级超导线圈以及第二级超导线圈围绕同一中心对称轴共轴且共面设置,所述第一级超导线圈与第二级超导线圈串联形成一闭合回路,所述第二级超导线圈内部形成一匀场区以屏蔽外部磁场。本发明进一步提供一种磁场屏蔽设备。本发明所述磁场屏蔽系统工艺实现路线简单,有利于工程实践。

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