公开(公告)号：CN111137838A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201911323266.9

申请日：2019-12-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 周斌 ,  侯波 ,  邢博文 ,  张嵘 ,  魏琦

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种MEMS容栅式角位移传感器及其制造方法，其包括机械外壳、敏感结构和处理ASIC电路；所述机械外壳采用凹槽型结构，位于凹槽边缘处设置有阶梯状结构，用于嵌设所述敏感结构，所述敏感结构的背部设置有所述处理ASIC电路及对外连接的接口，在所述机械外壳的凹槽底部设置有用于连线通孔；所述敏感结构包括转子和定子；所述转子设置在所述定子的上部，且所述转子与所述定子敏感面正对，并具有距离。本发明实现微传感器的高度集成，同时达到低功耗小体积的目的。

公开(公告)号：CN110143565A

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201910374176.6

申请日：2019-05-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 周斌 ,  张嵘 ,  邢博文 ,  魏琦

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种用于MEMS器件的封装应力隔离微结构。所述封装应力隔离微结构包括上极板和下极板；由下至上，MEMS器件包括基底层、走线层和结构层；上极板采用与基底层相同的材料制成；下极板采用与封装MEMS器件的封装管壳膨胀系数相近的材料制成；上极板与下极板通过锚点柱相连接。与现有技术相比，本发明具备如下优点：(1)通过保证材料与MEMS器件基底一致的方式完全消除粘接面上热膨胀系数失配带来的热应力；(2)微结构采用刻蚀、键合等常规MEMS工艺，加工方式简单，可大批量生产；(3)可适用各种基底的MEMS器件，实用性强。

公开(公告)号：CN109387191A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201811136651.8

申请日：2018-09-28

Applicant: 清华大学

Inventor： 周斌 ,  张嵘 ,  邢博文

IPC: G01C19/5762

Abstract: 本发明涉及一种高温度适应性MEMS平面谐振陀螺结构，其特征在于，其包含基板层和位于基板层上方的结构层，结构层包括质量块，支撑结构层的锚定支撑柱，以及连接锚定支撑柱与质量块的支撑架；该陀螺采用梳齿状排布的电极结构，且驱动模式和检测模式下敏感质量块的运动为平面运动。本发明中，陀螺不动梳齿的键合点沿驱动方向呈一字排列在质量块对称线上；连接所述锚定点柱与所述质量块之间的所述支撑架上设置孔槽作为应力隔离结构，以隔离锚点键合应力；同时在陀螺信号走线采用相互屏蔽、合理短接的方式，减小机电耦合带来的影响。本发明在提升陀螺变温环境下性能具有很高的应用价值。