公开(公告)号：CN103970963A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410222091.3

申请日：2014-05-23

Applicant: 清华大学

Inventor： 宋亦旭 ,  阮聪 ,  孙晓民 ,  杨宏军

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明涉及蒙特卡洛和元胞自动机融合的刻蚀、沉积过程仿真方法，属于微电子加工技术领域，该方法包括：对仿真区域进行模型表示；在与模型表面距离为Dis的空白元胞所在一侧的曲面上，按照均匀分布的方式随机生成数量为Nn的中性粒子，粒子停留在生成的位置，然后将这些中性粒子和模型表面下深度小于Dep的所有粒子单独抽出，作为一个新模型按照蒙特卡洛方法进行演化处理，演化结束后再将新模型重新导入原体系之中；然后再从模型顶部向下入射数量为Ni的离子，对每一个离子的处理按照元胞方法进行；然后再从模型顶部向下入射数量为Ni的离子，对每一个离子的处理按照元胞方法进行；本发明既大幅度地减少了模型表示所需的内存空间，又保证了仿真过程的计算效率。

公开(公告)号：CN102930143A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210385043.7

申请日：2012-10-11

Applicant: 清华大学

Inventor： 宋亦旭 ,  郑树琳 ,  孙晓民 ,  杨宏军

IPC: G06F19/00

Abstract: 本发明涉及一种面向三维元胞模型刻蚀工艺中确定粒子入射角度的方法，属于微电子加工中刻蚀过程模拟领域；该方法首先根据刻蚀粒子的入射方向选择两个与入射面垂直的切平面；然后分别在两个切平面上选取入射点周围的表面元胞，将其位置坐标作为数据采样点采用二维曲线拟合方法进行拟合计算，进而求得入射点在两个坐标轴方向上的切向量；最后对这两个切向量采用向量叉积求得入射点的表面法向量，从而获得刻蚀粒子的入射角度。本发明将一个三维曲面拟合问题转化为两个二维曲线拟合进行求解，减少了对多元方程组的求解，降低了计算复杂度，同时避免了对多项式曲面拟合中病态方程组的处理；计算准确度和运算速度都有较大的提高。