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公开(公告)号：CN119069177A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202310635912.5
申请日：2023-05-31
Applicant: 浙江正泰电器股份有限公司
IPC: H01B13/00
Abstract: 本申请公开了一种复合导体的制备方法，涉及导体材料领域。该制备方法包括：提供第一导电层和第二导电层，第一导电层包括第一水平部及偏离第一水平部的第一偏离部，第二导电层包括第二水平部及偏离第二水平部的第二偏离部；在第一导电层的第一表面上沉积第一石墨烯层；将第一导电层和第二导电层叠层设置，使第一水平部与第二水平部对应，第一偏离部与第二偏离部对应，进行压合，以得到复合导体。该复合导体在压合的过程中，第一偏离部会对第二偏离部进行挤压，第二偏离部会发生延伸产生形变，形变力对石墨烯层产生剪切剥离作用，防止石墨烯层出现团聚，同时对已经团聚的石墨烯再次机械剥离，促进石墨烯分散，从而提高复合导体的导电性。
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公开(公告)号：CN118854282A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410889178.X
申请日：2024-07-03
Applicant: 浙江正泰电器股份有限公司
IPC: C23C28/00 , C23C16/26 , C23C16/02 , C25D3/38 , C25D3/40 , C25D5/10 , C25D15/00 , C25D5/48 , C25D5/00 , H01B1/04 , H01B1/02 , H01H1/021
Abstract: 本申请涉及一种金属基体表面沉积石墨烯层的方法、金属石墨烯复合导体及其应用，方法包括：S1，在金属基体表面制备第一混合层，在第一混合层的表面制备第二混合层，金属基体包括第一金属，第一混合层和第二混合层均包括第一金属和第一金属的氧化物，第二混合层的第一金属氧化物含量高于第一混合层；S2，将金属基体升温并通入含碳气体，以还原第一金属的氧化物，并气相沉积石墨烯层。通过氧化铜含量不同的第一混合层和第二混合层配合，调整氧的释放速率，使得氧的释放速率相对均匀，并延长氧的释放时间，实现氧释放伴随整个气相沉积过程的作用，有利于在气相沉积过程中更好地改善金属表面，形成大晶格、取向性较好的石墨烯层。
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公开(公告)号：CN117410013A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311718425.1
申请日：2023-12-14
Applicant: 浙江正泰电器股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种石墨烯导体及石墨烯导体的制备方法，石墨烯导体包括：金属基材，形成沿第一方向延伸的限定空间；第一石墨烯层，设置在金属基材的表面，且至少覆盖限定空间的内壁；多个第一金属导体层，设置在限定空间内；多个第二石墨烯层，设置在限定空间内；其中，多个第一金属导体层与多个第二石墨烯层沿第一方向依次交叉层叠，多个第二石墨烯层均与第一石墨烯层相连以形成立体网状结构。本申请技术方案中，金属基材及若干的第一金属导体层与石墨烯形成的立体网状结构相互包络，提高了金属材料与高含量的石墨烯的结合紧密性，并且石墨烯的密度高、分布均匀、连续性好。
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公开(公告)号：CN117393234A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311687648.6
申请日：2023-12-11
Applicant: 上海新池能源科技有限公司 , 浙江正泰电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种复合导体及其制备方法、导电元件，涉及导体技术领域。复合导体的制备方法包括：提供导电浆料，导电浆料中包括金属粉体和试剂，试剂包括树脂和极性化合物；对导电浆料施加电场，得到复合导体前驱体；对复合导体前驱体进行石墨烯层包覆，得到复合导体预制体；对复合导体预制体进行热压处理，得到复合导体。本申请提供的复合导体的制备方法，金属粉体在电场作用下按照较佳导电方向的位置分布，石墨烯与金属粉体紧密接触，使得复合导体的导电性能得到显著提高，石墨烯可进一步提升导体的硬度和抗熔焊性能。
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公开(公告)号：CN116682597A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310969548.6
申请日：2023-08-03
Applicant: 浙江正泰电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种金属‑石墨烯复合导体及其制备方法和应用，所述金属‑石墨烯复合导体包括外金属管、以及设置在所述外金属管内的m个金属管和n个石墨烯管，其中，m为大于等于1的任意整数，n为大于等于1的任意整数，m=n或者n‑m=1；所述m个金属管和所述n个石墨烯管以石墨烯管‑金属管‑石墨烯管这种相互交替的形式叠套设置在所述外金属管内；所述外金属管套设在其中一石墨烯管上，且所述外金属管的内管壁与该石墨烯管的外管壁贴合连接。本申请所述的金属‑石墨烯复合导体可以在金属‑石墨烯复合导体中形成大尺寸且均匀化分布的嵌设在金属基体中的石墨烯层，形成由石墨烯层独立导电的高导电模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119495472A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202311049990.3
申请日：2023-08-18
Applicant: 上海新池能源科技有限公司 , 浙江正泰电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种复合导体及其制备方法、制备装置，涉及导体技术领域。复合导体的制备方法包括：提供导体，导体包括多个导电金属和结合在多个导电金属表面的多个石墨烯包覆层；在导体的表面浇注金属熔体，金属熔体至少连接一个导电金属，形成第一导电层；在第一导电层的表面制备第一石墨烯沉积层，形成第一导体，得到复合导体。本申请提供的复合导体的制备方法，可提高复合导体中的石墨烯连续性，增加石墨烯在复合导体中的含量，促进石墨烯在复合导体中均匀分布，有利于石墨烯充分发挥提升复合导体性能的作用，提高复合导体的导电性和导热性，采用浇注金属熔体的方式，可减少后续挤压工艺对石墨烯均匀有序且连续分布结构的破坏，成本低、操作简单。
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公开(公告)号：CN118957712A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411452734.3
申请日：2024-10-17
Applicant: 浙江正泰电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种电镀装置及电镀方法，涉及电镀技术领域。电镀装置包括电镀槽，电镀槽内设有电镀液，电镀液中包括金属盐和石墨烯；阳极和阴极，阳极和阴极位于电镀液中，且沿第一方向相对设置；以及第一线圈，第一线圈位于电镀液中，第一线圈通电时，产生的第一磁场的方向平行于第一方向。本申请提供的电镀装置，可实现对石墨烯附近的电镀液局部搅拌，促进石墨烯在电镀液中均匀分布，提高石墨烯在电镀液中的分散稳定性；设置的第一线圈适应性广，对多种金属盐的电镀液均适用，适配性较高；且第一线圈的结构简单、化学成分简单，成本低廉，可反复多次利用，有利于降本增效。
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公开(公告)号：CN118737566A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410888142.X
申请日：2024-07-03
Applicant: 浙江正泰电器股份有限公司
IPC: H01B13/00 , C25D15/00 , C25D7/00 , C25D7/06 , C25D3/56 , H01B1/04 , H01B1/02 , H01B5/00 , H01B7/00 , H01R13/03
Abstract: 本申请公开一种复合导体及其制备方法和应用、镀层和复合基体。所述复合导体的制备方法包括：将氧化石墨烯、镍的化合物和溶剂混合，然后加入碱，热处理，得到氧化石墨烯‑氧化镍复合物；将金属氧化物、配位剂、氧化石墨烯‑氧化镍复合物混合，在第一温度下加热，得到金属氧化物‑氧化石墨烯‑氧化镍复合物；将金属氧化物‑氧化石墨烯‑氧化镍复合物与基础镀液混合，得到镀液；采用所述镀液在金属基体上电镀形成镀层，得到复合基体；将所述复合基体至于沉积室中，在第二温度下向所述沉积室中通入碳源，使镀层转化为包括第二金属、第三金属、镍和第一石墨烯的过渡层，并在所述过渡层的表面形成石墨烯层，得到复合导体。本申请的复合导体具有较高的电导率。
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公开(公告)号：CN118629714A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410892862.3
申请日：2024-07-03
Applicant: 浙江正泰电器股份有限公司
Abstract: 本申请涉及导体材料技术领域，具体涉及一种金属石墨烯复合材料及其制备方法、应用和石墨烯前驱体。制备方法包括：以氧化石墨烯‑氧化镍复合物作为石墨烯前驱体；将铜粉与氧化石墨烯‑氧化镍复合物在表面活性剂作用下混合，并在第一温度下加热，得到包覆有氧化石墨烯‑氧化镍复合物的铜粉；将包覆有氧化石墨烯‑氧化镍复合物的铜粉置于惰性气体氛围中，通入氢气并在第二温度下加热包覆有氧化石墨烯‑氧化镍复合物的铜粉，然后降温得到包覆有石墨烯层的铜粉，石墨烯层分布有多个连接铜粉的镍铜碳共熔结构。本申请提供的技术方案能够提高石墨烯层抵抗外力的能力，提高金属石墨烯复合材料中石墨烯层的结构完整性，进而提高复合材料的导电性。
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公开(公告)号：CN117943536A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202211289898.X
申请日：2022-10-20
Applicant: 浙江正泰电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种铜‑石墨烯复合材料的制备方法与电触头，所述制备方法包括如下步骤：步骤S1：将石墨烯量子点与球形铜粉加入水中，经超声分散得到分散液；步骤S2：对所述分散液进行搅拌操作得到搅拌混合液，所述搅拌操作包括多个连续进行的搅拌程序，任一所述搅拌程序包括依次进行的第一阶段与第二阶段，第一阶段的搅拌速度大于所述第二阶段的搅拌速度，且在相邻的两所述搅拌程序中，前一所述搅拌程序第二阶段的搅拌速度小于后一所述搅拌程序第一阶段的搅拌速度；步骤S3：将所述搅拌混合液过滤得到固态颗粒；步骤S4：将所述固态颗粒烧结得到所述铜‑石墨烯复合材料，通过该方法制备而得的铜‑石墨烯复合材料具有较优的导电性能。
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