一种在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法

    公开(公告)号:CN101898801B

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN201010224556.0

    申请日:2010-07-09

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及一种在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法,该方法以金属钴为基体,在室温下将基体浸入pH值呈碱性的溶液中;然后将一定量的氧化剂分散到该溶液中,使金属钴基体与氧化剂在溶液条件下进行反应,数分钟至数十分钟后,经洗涤剂洗涤、干燥,即可在金属钴表面得到高纯度六边形氢氧化钴片,直径0.2-1.5μm,厚度10-200nm。本发明所得氢氧化钴片纯度高,粒度可控,与金属基体结合牢固,可直接作为锂离子电池氧化钴负极的原料,不需添加任何粘结剂和导电剂,工艺条件简单易控,生产周期短,适合工业化大生产。

    一种氢氧化镍-二氧化钛基光致储能方法及其装置

    公开(公告)号:CN101465216B

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN200910095412.7

    申请日:2009-01-12

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种氢氧化镍-二氧化钛基光致储能方法及其装置。在碱性溶液中,放置有在ITO基底的导电面上依次制备有TiO2多孔膜,再在TiO2多孔膜上沉积Ni(OH)2膜的双膜工作电极,在双膜电极的一侧放置有Pt对电极构成,两个电极用导线连接。在紫外光hv辐射下,利用两个电极的电位差,推动电子从外电路转移到Pt对电极,与氧化性的物质反应而消耗掉,可以减少了电子和空穴的复合,提高空穴将Ni(II)氧化为Ni(III)氧化效率,从而提高装置的氧化能的储存效率。

    一种氢氧化镍-二氧化钛基光致储能方法及其装置

    公开(公告)号:CN101465216A

    公开(公告)日:2009-06-24

    申请号:CN200910095412.7

    申请日:2009-01-12

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种氢氧化镍-二氧化钛基光致储能方法及其装置。在碱性溶液中,放置有在ITO基底的导电面上依次制备有TiO2多孔膜,再在TiO2多孔膜上沉积Ni(OH)2膜的双膜工作电极,在双膜电极的一侧放置有Pt对电极构成,两个电极用导线连接。在紫外光hv辐射下,利用两个电极的电位差,推动电子从外电路转移到Pt对电极,与氧化性的物质反应而消耗掉,可以减少了电子和空穴的复合,提高空穴将Ni(II)氧化为Ni(III)氧化效率,从而提高装置的氧化能的储存效率。

    一种修复脱矿牙本质的方法

    公开(公告)号:CN103027845A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201310005177.6

    申请日:2013-01-06

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及一种修复脱矿牙本质的方法。现有修复脱矿牙本质的方法是采用两种牙本质非胶原蛋白类似物,借助于波特兰水门汀缓释体系来实现的,但是这种方法装置过于复杂,达到全层矿化所需的时间需4个月之久。本发明方法先用简便易得的聚丙烯酸作为调节剂,以钙离子和磷离子作为原料,合成15-20nm尺寸具有流动性的无定形磷酸钙颗粒;然后于7天之内再矿化脱矿的牙本质,恢复了脱矿牙本质天然的等级结构,而再矿化后的牙本质的力学性能也达到了与天然牙本质相当的水平。本发明与现有再矿化技术相比,在达到同样恢复等级结构和力学性能的基础上,装置简单,耗时短,更为有效的解决了再矿化脱矿牙本质这一问题。

    一种氢氧化镍膜电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN101710616B

    公开(公告)日:2012-05-02

    申请号:CN200910154560.1

    申请日:2009-11-12

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种氢氧化镍膜电极及其制备方法,可用于二次电池和电化学超级电容器等方面,属于电化学能源技术领域。本发明氢氧化镍膜电极包括金属基体,在所述金属基体上沉积有多孔状镍层,在镍层的孔内沉积有氢氧化镍。与现有技术相比,本发明的优点是:氢氧化镍膜电极完全采用电化学方法制备,操作简单、条件温和、易于控制;通过此方法得到的氢氧化镍膜电极,在较高的放电电流条件下,可以获得较高的比容量和较好的循环性能。

    一种在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法

    公开(公告)号:CN101898801A

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN201010224556.0

    申请日:2010-07-09

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明涉及一种在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法,该方法以金属钴为基体,在室温下将基体浸入pH值呈碱性的溶液中;然后将一定量的氧化剂分散到该溶液中,使金属钴基体与氧化剂在溶液条件下进行反应,数分钟至数十分钟后,经洗涤剂洗涤、干燥,即可在金属钴表面得到高纯度六边形氢氧化钴片,直径0.2-1.5μm,厚度10-200nm。本发明所得氢氧化钴片纯度高,粒度可控,与金属基体结合牢固,可直接作为锂离子电池氧化钴负极的原料,不需添加任何粘结剂和导电剂,工艺条件简单易控,生产周期短,适合工业化大生产。

    电沉积-水热法制备锂离子电池锡负极材料的方法

    公开(公告)号:CN101478038B

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN200810164180.1

    申请日:2008-12-29

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种电沉积-水热法制备锂离子电池锡负极材料的方法。在铜基体上电沉积金属锡,然后对锡电极进行水热处理,水热处理液为含肼或含次亚磷酸钠或含硼氢化钠等强还原剂的溶液;用去离子水对处理后的样品进行洗涤,在80-120℃干燥,得到锡电极。本发明具有操作简单、条件温和、易于控制等优点。,易于工业化生产。通过水热处理后,金属锡电极的可逆容量得到明显提高,而且表现出良好的循环性能,50个循环后,可逆容量基本保持不变。

    电沉积-水热法制备锂离子电池锡负极材料的方法

    公开(公告)号:CN101478038A

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200810164180.1

    申请日:2008-12-29

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种电沉积-水热法制备锂离子电池锡负极材料的方法。在铜基体上电沉积金属锡,然后对锡电极进行水热处理,水热处理液为含肼或含次亚磷酸钠或含硼氢化钠等强还原剂的溶液;用去离子水对处理后的样品进行洗涤,在80-120℃干燥,得到锡电极。本发明具有操作简单、条件温和、易于控制等优点。易于工业化生产。通过水热处理后,金属锡电极的可逆容量得到明显提高,而且表现出良好的循环性能,50个循环后,可逆容量基本保持不变。

    一种纳米铜颗粒原位修饰的微米级多孔硅复合结构材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN110993899A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201910973405.6

    申请日:2019-10-14

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种纳米铜颗粒修饰的微米级多孔硅复合结构材料及其制备方法,该材料是由纳米级铜颗粒嵌入多孔硅骨架结构内部以及表面修饰形成的微米级球型结构。其合成首先是一步法碱性还原/刻蚀商业化硅铝合金形成锌颗粒修饰的微米级多孔硅结构,在此基础上通过化学置换铜纳米颗粒,然后进行热处理和二次酸刻蚀处理得到纳米级铜颗粒修饰的微米级多孔硅复合材料。该方法区别于目前常见的酸性化学刻蚀方法,特别是利用铝组分在碱性环境中较高的还原性进行同步还原/刻蚀,具有较高的普适性和高效性,能够在短时间内完成大规模制备生产,所用原料价格低廉,经济环保,原子利用率较高,并且较好的提升硅材料的导电性和锂电性能,具有极为广泛的应用前景和商业化价值。

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