公开(公告)号：CN107315160B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201710302914.7

申请日：2017-05-03

Applicant: 浙江大学

Inventor： 周成伟 ,  樊星 ,  史治国 ,  陈积明

IPC: G01S3/14

Abstract: 本发明公开了一种基于内插虚拟阵列信号原子范数最小化的互质阵列波达方向估计方法，主要解决现有技术中虚拟阵列的非均匀性所导致的信息损失问题。其实现步骤是：接收端架构互质阵列；利用互质阵列接收入射信号并建模；计算互质阵列接收信号所对应的等价虚拟信号；构造内插虚拟阵列并建模；构造内插虚拟阵列的多采样快拍信号及其采样协方差矩阵；构造投影矩阵并定义与该投影矩阵相关的投影运算；设计基于内插虚拟阵列信号原子范数最小化的优化问题并求解；根据重建的内插虚拟阵列协方差矩阵进行波达方向估计。本发明提高了波达方向估计的自由度及分辨率，可用于无源定位和目标探测。

公开(公告)号：CN102263243B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110167445.5

申请日：2011-06-21

Applicant: 浙江大学

Inventor： 杜宁 ,  樊星 ,  吴平 ,  杨德仁

IPC: H01M4/1395 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种阵列化镍硅纳米线及镍硅-硅核壳纳米线的制备方法，包括：将用于锂离子电池负极基体的金属衬底用盐酸和乙醇分别清洗后干燥备用；通过热丝化学气相沉积装置在清洗过的金属衬底表面生长得到阵列化镍硅纳米线；进一步在得到的阵列化镍硅纳米线的表面通过射频溅射的方法沉积一层厚度可控的硅，得到阵列化镍硅-硅核壳纳米线。金属衬底和生长在金属衬底上的阵列化纳米线材料构成锂离子电池负极。本发明制备方法简单可控，制得的纳米线材料可用于锂离子电池负极并期待获得优异的性能。