一种自保温叠合楼板及其施工方法

    公开(公告)号:CN111980256B

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202010824311.5

    申请日:2020-08-17

    Abstract: 本发明公开了一种自保温叠合楼板及施工方法,包括预制底板层,预制底板层上方依次设有夹心保温层和现浇混凝土层;所述预制底板层和现浇混凝土层之间设有低导热性的抗剪键。施工方法包括以下具体步骤:1)绑扎预制钢筋骨架和钢筋桁架,并在预制钢筋骨架上安装抗剪键,浇筑混凝土,固化后得到预制底板层;2)在预制底板层上方铺设夹心保温层,钢筋桁架位于夹心保温层内,抗剪键上端露出夹心保温层;3)将铺设完夹心保温层的预制混凝土运至现场吊装就位;4)在抗剪键上端绑扎现浇钢筋骨架,浇筑混凝土,得到现浇混凝土层;5)进行板底的抹灰和板面的面层施工。本发明既能够保证保温层不易被破坏、提升用户使用感受,又能够提高保温效果。

    一种预制钢筋混凝土剪力墙及施工方法

    公开(公告)号:CN111424850A

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN202010401215.X

    申请日:2020-05-13

    Abstract: 本发明公开了一种预制钢筋混凝土剪力墙及施工方法,包括混凝土墙体,混凝土墙体一侧设有边缘构件,混凝土墙体另一侧设有水平凸出纵筋,混凝土墙体的两侧设有竖向凸出纵筋;所述边缘构件的两端设有钢梁连接件。施工方法为:将同一层的预制钢筋混凝土剪力墙吊装至指定位置;对水平连接区内进行捆扎箍筋和纵筋,得到下层剪力墙框架;吊装上一层的两块预制钢筋混凝土剪力墙;第四步、在竖向连接区内设置暗梁钢筋和暗梁纵筋;将上下相邻的钢梁连接件进行连接固定;并在暗柱纵筋之间设置纵筋连接器,在箍筋孔内穿插箍筋;搭设混凝土浇筑模板,混凝土浇筑、成型,得到本层墙体。本发明同时具有造价成本低、连接方便和良好的防火性能。

    一种装配式钢筋混凝土结构柱及连接节点

    公开(公告)号:CN111364679A

    公开(公告)日:2020-07-03

    申请号:CN202010299964.6

    申请日:2020-04-16

    Abstract: 本发明公开了一种装配式钢筋混凝土结构柱及连接节点,装配式钢筋混凝土结构柱包括混凝土柱(1),混凝土柱(1)内设有轴向的贯通孔(2);所述混凝土柱(1)上下两端均设有连接组件;所述连接组件包括封板(3),封板(3)上设有一组连接板(4)。装配式钢筋混凝土结构柱的连接节点包括位于上下相邻的装配式钢筋混凝土结构柱之间的节点混凝土(7),节点混凝土(7)内设有纵筋连接器(701),纵筋连接器(701)的外侧设有分段箍筋(702);相邻的装配式钢筋混凝土结构柱之间还设有竖向连接件(703)。本发明具有能够同时兼顾安装方便、成本低和防火性能好的特点。

    一种由之型折板连接的钢筋混凝土叠合板及制备方法

    公开(公告)号:CN111119390A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN202010058828.8

    申请日:2020-01-19

    Abstract: 本发明公开了一种由之型折板连接的钢筋混凝土叠合板及制备方法,包括叠合板底板(3),叠合板底板(3)上方设有混凝土现浇层(4);所述叠合板底板(3)包括预制底板(1),预制底板(1)内设有之型折板(2);所述之型折板(2)的上部位于预制底板(1)的上方;制备方法包括以下步骤:第一步、制备得到叠合板底板;第二步、将叠合板底板吊装至指定位置,将预埋管道穿过凹槽进行铺设;第三步、浇筑现浇混凝土层;将现浇混凝土层内的钢筋层固定在叠合板底板的上方,然后浇筑混凝土,得到现浇混凝土层;第四步、对现浇混凝土层进行养护,得到钢筋混凝土叠合板成品。本发明具有制造方便、造价较低和现场施工方便的特点。

    具有拉伸应变的硅基锗薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN103794694B

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201410026810.4

    申请日:2014-01-21

    Applicant: 浙江大学

    Inventor: 叶辉 夏亮 张诗雨

    Abstract: 本发明公开了一种采用外延技术在硅衬底上生长具有大拉伸应变Ge的方法,在Si衬底上外延生长Ge薄膜作为基底,继而生长成分渐变式InxGa1-xAs缓冲层,以增加顶层结构的晶格常数,接着在此结构上生长高质量Ge膜,得到具有大拉伸应变的Ge薄膜。本发明在硅衬底上生长Ge缓冲层和InxGa1-xAs缓冲层使得缓冲层顶层结构的晶格常数略大于Ge薄膜层的晶格常数,从而在硅衬底上制备得到具有拉伸应变的硅基锗薄膜,该硅基锗薄膜的拉伸应变可以达到2.0%,能够使Ge薄膜应变层转变为直接带隙半导体材料,大大增强其自发辐射效率,有利于光电子的应用,且基于硅衬底,可充分利用发展已很成熟的硅集成工艺,工艺简单、进一步降低制作成本。

    硅基激光器及其制备方法
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104701729A

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:CN201310662428.8

    申请日:2013-12-09

    Inventor: 叶辉 夏亮 杨迎春

    Abstract: 本发明提供了一种硅基激光器及其制备方法,涉及半导体技术领域,能够输出足够大功率的光,常温下也能够提供足够强度的光,且工艺简单、应用广泛。包括硅基板层,所述硅基板层之上依次设有发光层及透明导电氧化物层,所述发光层包括量子点层,其中,所述量子点层在外界光照射条件下产生光波;在所述外界光照射条件下,在所述透明导电氧化物层与空气界面上产生表面等离子体共振;在所述外界光照射条件下,在所述透明导电氧化物层与所述发光层界面上产生等离子体共振。本发明适用于通信波段的硅基集成光源。

    一种纳米柱阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN104370269A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201410647763.5

    申请日:2014-11-14

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种纳米柱阵列的制备方法,包括如下步骤:(1)在衬底上依次形成导电薄膜、SiO2薄膜、多孔氧化铝薄膜;(2)在多孔氧化铝薄膜的孔洞中填充金属;(3)去除多孔氧化铝薄膜,然后以金属作为保护膜除去无保护膜覆盖的导电薄膜和SiO2薄膜;(4)除去有保护膜覆盖的SiO2薄膜使保护膜与导电薄膜脱离,即在衬底上形成纳米柱阵列。本发明的利用多孔氧化铝薄膜的多孔结构,制备金属掩膜,进而能够一次制备包含多个纳米柱的阵列,能够一次性制备阵列,大大降低了制备时长,且制备工艺简单,成本低廉,有利于投入商业化生产。

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