公开(公告)号：CN110563048B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201910899704.X

申请日：2019-09-23

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨锋 ,  刘芬 ,  林延凌 ,  季凤岐

IPC: C01G49/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种高分子辅助外延生长BiFeO3多铁性薄膜的方法，包括：配制前驱体溶液，在(100)SrTiO3或(100)Nb:SrTiO3衬底上，采用层层退火工艺制备薄膜，每层薄膜制备时的温度为70‑90℃，甩膜时的湿度为11‑20%。本发明方法实施很方便，原料化学计量比可精确控制，对实验设备要求不高，成本低，所得薄膜外延程度高，具有较大的室温电极化强度、较低的室温漏电流密度，结构致密、均匀，在局部小区域来看具有单晶的性能，具有优良的介电、电学和磁学性能，适合研制高密度的非挥发性存储器件以及其他磁电耦合器件。

公开(公告)号：CN110690321B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201910899143.3

申请日：2019-09-23

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨锋 ,  刘芬 ,  林延凌 ,  季凤岐 ,  岳炳臣

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  C23C14/58 ,  C23C14/28 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开了一种全氧化物铁电光电二极管及其制备方法，其包括基底，所述基底上覆有LSMO层，所述LSMO层上覆有BFCO层，所述BFCO层上覆有ITO层。其中，所述LSMO层为外延生长的La0.7Sr0.3MnO3薄膜，所述BFCO层为外延生长的BiFe0.7Co0.3O3‑δ薄膜。本发明利用铁电极化与电极之间肖特基结区势垒的耦合作用，促进器件中光生电子空穴对的分离和高效收集，增强了光电流响应和铁电极化对二极管电流的调制性，兼具了铁电性和半导性的优点，具有大的光电流响应，且具有很好的极化可调性。

公开(公告)号：CN110634974A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910899163.0

申请日：2019-09-23

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨锋 ,  刘芬 ,  林延凌 ,  季凤岐 ,  岳炳臣

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  C01G49/00

Abstract: 本发明公开了一种三明治结构全氧化物无铅铁电光伏器件及其制备方法，该光伏器件包括基底，所述基底上覆有BFO层，所述BFO层上覆有ITO层；所述BFO层为外延生长的BiFeO3-δ薄膜。本发明巧妙地利用氧空位掺杂增加铁电层的吸光效率，利用上下电极功函差引起的内建电势协同铁电退极化场，有效地促进了光生电子空穴对的分离，提高了器件的光电转换性能。