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公开(公告)号：CN109060904A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810688980.7
申请日：2018-06-28
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种基于介孔花状氧化锡复合材料的光电化学N端前脑钠肽传感器的制备方法及应用，属于光电化学传感器领域。通过水热法合成的新颖的花状SnO2，其介孔结构使其具备更好的存储空间，更大的比表面积和较高的表面活性有利于尺寸较小的纳米粒子在其表面生长，用氮掺杂的碳量子点NCQDs来敏化SnO2，增强其可见光吸收，再原位生长Bi2S3纳米粒子，得到光电活性显著提高的介孔花状氧化锡复合材料SnO2/NCQDs/Bi2S3，通过层层自组装方法，将N端前脑钠肽抗体、牛血清白蛋白和N端前脑钠肽抗原组装到SnO2/NCQDs/Bi2S3复合材料上，利用SnO2/NCQDs/Bi2S3优异的光电活性以及N端前脑钠肽抗原抗体之间的特异性结合，实现对N端前脑钠肽的超灵敏检测，这对N端前脑钠肽的分析检测具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN108845015A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810687088.7
申请日：2018-06-28
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种基于三氧化钨复合材料的光电化学黄曲霉毒素B1传感器的制备方法及应用，属于光电化学传感器领域。利用湿化学法在氟掺杂的氧化锡FTO衬底上合成矩形的WO3纳米片，再通过化学浴沉积法将结构独特的TiO2纳米刺紧密的结合在WO3纳米片上，WO3和TiO2的能带结构和晶格结构间的双重匹配，增强了WO3的光电响应和稳定性。再采用原位生长法结合上p型窄禁带半导体Ag2O纳米颗粒，得到光电活性显著提高的三氧化钨复合材料WO3/TiO2/Ag2O，该材料在谷胱甘肽存在的条件下，显示出优异的可见光活性。通过层层自组装方法，将黄曲霉毒素B1抗体、牛血清白蛋白和黄曲霉毒素B1抗原组装到WO3/TiO2/Ag2O复合材料上，利用WO3/TiO2/Ag2O优异的光电活性以及黄曲霉毒素B1抗原抗体之间的特异性结合，实现对黄曲霉毒素B1的超灵敏检测，这对黄曲霉毒素B1的分析检测具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN108845015B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201810687088.7
申请日：2018-06-28
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种基于三氧化钨复合材料的光电化学黄曲霉毒素B1传感器的制备方法及应用，属于光电化学传感器领域。利用湿化学法在氟掺杂的氧化锡FTO衬底上合成矩形的WO3纳米片，再通过化学浴沉积法将结构独特的TiO2纳米刺紧密的结合在WO3纳米片上，WO3和TiO2的能带结构和晶格结构间的双重匹配，增强了WO3的光电响应和稳定性。再采用原位生长法结合上p型窄禁带半导体Ag2O纳米颗粒，得到光电活性显著提高的三氧化钨复合材料WO3/TiO2/Ag2O，该材料在谷胱甘肽存在的条件下，显示出优异的可见光活性。通过层层自组装方法，将黄曲霉毒素B1抗体、牛血清白蛋白和黄曲霉毒素B1抗原组装到WO3/TiO2/Ag2O复合材料上，利用WO3/TiO2/Ag2O优异的光电活性以及黄曲霉毒素B1抗原抗体之间的特异性结合，实现对黄曲霉毒素B1的超灵敏检测，这对黄曲霉毒素B1的分析检测具有重要的意义。
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