一种叠层蒸发源装置

    公开(公告)号:CN110408891A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910705565.2

    申请日:2019-07-31

    Inventor: 李青霄 张心会

    Abstract: 本发明提供了一种叠层蒸发源装置,第一冷却盒和第二冷却盒之间安置硒蒸发层,第二冷却盒上方安置金属蒸发层,所述硒蒸发层的硒蒸气管道贯穿第二冷却盒和金属蒸发层,本发明能够采用精准释放硒蒸汽质量束流提高原料利用率、硒分子团高温裂解为硒原子释放硒活性,提高膜厚均匀性,简化蒸发源装置结构、降低设备维护成本,兼容柔性和刚性基底蒸镀沉积,以此实现Cu、In、Ga、Se四种元素在薄膜的纵向和横向上的分布均匀性,充分释放硒活性、兼容柔性和刚性基底生长优质铜铟镓硒薄膜。本发明结构简单,降低能耗,易于维护,减少腔室脏污,降低腔室维护成本,缩短生产周期,进而提高效益。

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