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公开(公告)号：CN110372691B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201810331230.4
申请日：2018-04-13
Applicant: 江苏三月科技股份有限公司
IPC: C07D471/04 , C07D491/052 , C07D487/04 , C07D471/14 , C07D491/147 , C07D495/14 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明公开了一种以氧杂蒽酮为核心的化合物、其制备方法及其在OLED上的应用，该化合物含有氧杂蒽酮结构，且五元环支链结构上至少有一个N；母核和支链形成D‑A结构，具有小的△Est，有利于能量的反隙间蹿越，具有深的HOMO能级和高电子迁移率，适合作为空穴阻挡材料或电子传输材料应用；本发明含有空穴基团的结构，可平衡材料的电子和空穴，使得材料可作为偏电子型发光层主体材料使用；另外，本发明化合物基团刚性较强，具有分子间不易结晶、不易聚集、具有良好成膜性的特点。作为有机电致发光功能层材料应用于OLED器件后，器件的电流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同时，对于器件寿命提升非常明显。
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公开(公告)号：CN110323360B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910213669.1
申请日：2019-03-20
Applicant: 江苏三月科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其应用，包括阴极反射电极层与ITO阳极层，所述阴极反射电极层与ITO阳极层之间具有至少一层有机薄膜层，所述有机薄膜层中含有以三氨基苯为核心的化合物；所述三氨基苯为核心的化合物结构如通式(1)所示：，本发明化合物以均苯为核心，具有较高的玻璃化温度和分子热稳定性，合适的HOMO和LUMO能级，较高Eg，通过器件结构优化，可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命。
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公开(公告)号：CN120058725A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510090760.4
申请日：2025-01-21
Applicant: 江苏三月科技股份有限公司
IPC: C07D493/10 , C07D495/10 , H10K50/18 , H10K85/60
Abstract: 本发明公开了一种含氮杂苯结构的化合物及其有机电致发光器件，属于半导体材料技术领域。本发明所述含氮杂苯结构的化合物的结构如通式(1‑1)所示，该化合物具良好的稳定性，同时拥有良好的空穴阻挡能力，本发明化合物作为有机电致发光器件的材料使用时，器件效率和器件寿命均得到显著改善。
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公开(公告)号：CN113563316B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202010352120.3
申请日：2020-04-28
Applicant: 江苏三月科技股份有限公司
IPC: C07D405/12 , C07D307/91 , H10K85/60 , H10K50/18 , H10K50/15 , H10K59/35
Abstract: 本发明涉及一种芳香族胺类衍生物及其应用，属于半导体技术领域，本发明提供化合物的结构如通式(I)所示：#imgabs0#本发明还公开了上述化合物的应用。本发明提供的化合物具有较强的空穴传输能力，在恰当的HOMO能级下，提升了空穴注入和传输性能；在合适的LUMO能级下，又起到了电子阻挡的作用，提升激子在发光层中的复合效率；作为OLED发光器件的发光功能层材料使用时，搭配本发明范围内的支链可有效提高激子利用率和辐射效率。
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公开(公告)号：CN117777170A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311230835.1
申请日：2023-09-22
Applicant: 江苏三月科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种含硼有机化合物及其应用，属于半导体技术领域，本发明提供化合物的结构如通式(1)所示：#imgabs0#本发明的化合物具有窄半峰宽，作为OLED发光器件的发光层材料中的掺杂材料使用时，器件的电流效率得到显著提升，同时发光色纯度和器件寿命也得到了较大的改善，本发明含硼化合物作为发光层掺杂材料使器件具有良好的光电性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116969928A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310732676.9
申请日：2023-06-20
Applicant: 江苏三月科技股份有限公司
IPC: C07D405/10 , C07D409/10 , H10K85/60 , H10K50/18 , H10K50/17
Abstract: 本发明公开了一种含氮杂环结构的化合物及其在有机电致发光器件上的应用，属于半导体材料技术领域。本发明所述化合物的结构如通式(1)所示，该化合物具良好的稳定性和电子耐受能力，同时拥有良好的电子注入和空穴阻挡能力，本发明化合物作为有机电致发光器件的材料使用时，器件的驱动电压和器件寿命均得到显著改善。
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公开(公告)号：CN114621252A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011439121.8
申请日：2020-12-11
Applicant: 江苏三月科技股份有限公司
IPC: C07D498/04 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54 , H01L27/32
Abstract: 本发明涉及一种含三嗪和氮杂环的有机化合物及其应用，属于半导体技术领域，本发明提供化合物的结构如通式(I)所示：本发明的化合物具有较高的辐射跃迁速率和激发态稳定性，本发明化合物应用于OLED器件后，可有效提升器件的发光效率及使用寿命。
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公开(公告)号：CN110294735B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201810246907.4
申请日：2018-03-23
Applicant: 江苏三月科技股份有限公司
IPC: C07D333/76 , C07C13/567 , C07C13/72 , C07D213/16 , C07D217/02 , C07D209/86 , C07D307/36 , C07D333/08 , C07C15/30 , C07D307/91 , C07C15/28 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种以蒽和菲为核心的化合物及其在有机电致发光器件上的应用，该化合物以蒽为核心，其结构通式如下式所示，具有分子间不易结晶、不易聚集、具有良好成膜性的特点。本发明化合物作为有机电致发光器件的材料使用时，器件的电流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同时，对于器件寿命提升非常明显。
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公开(公告)号：CN119859126A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202311365933.6
申请日：2023-10-20
Applicant: 江苏三月科技股份有限公司
IPC: C07D251/24 , C07D401/04 , C07D405/10 , C07D401/10 , C07D403/10 , C07D239/26 , H10K50/16 , H10K50/18 , H10K85/60
Abstract: 本发明公开了一种含氮杂苯结构的化合物及其有机电致发光器件，属于半导体材料技术领域。本发明所述化合物的结构如通式(1)所示，本发明将氮杂苯和螺环烷芴基通过特定结构进行桥连，使得该化合物具有良好的空穴阻挡能力，本发明化合物作为有机电致发光器件的材料使用时，器件效率和器件寿命均得到显著改善。
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公开(公告)号：CN119751369A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411907403.4
申请日：2024-05-22
Applicant: 江苏三月科技股份有限公司
IPC: C07D251/24 , H10K85/60 , H10K50/16 , H10K59/10
Abstract: 本发明公开了一种含萘和三嗪结构的化合物及有机电致发光器件和显示元件，属于半导体材料技术领域。本发明所述化合物的结构如通式(1)所示：#imgabs0#本发明所述含萘和三嗪结构的化合物应用于有机电致发光器件。本发明化合物基于萘和三嗪结构，三嗪和三嗪基团通过特定的芳基桥连基团连接，形成的苯基取代的萘基或萘基取代的苯基或联苯基架构桥连特征，该类化合物具有良好电子耐受性和稳定性，并且具有良好的电子注入和传输能力。因此，其作为OLED功能层的电子传输材料使用时，可有效降低器件驱动电压，提升OLED器件的光电性能和器件寿命。
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