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公开(公告)号:CN116032240A
公开(公告)日:2023-04-28
申请号:CN202211677918.0
申请日:2022-12-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种基于声子晶体提升品质因数的薄膜体声波谐振器,抑制现有薄膜体声波谐振器因加工中产生的材料C轴取向不一致导致的横向伪模式,将谐振器的纵向振动限制在上下电极覆盖部分的压电薄膜,提升谐振器品质因数。本发明基于FBAR的空气隙结构,在传统的上电极‑压电薄膜‑下电极的三明治结构中引入声子晶体作为侧边声波抑制结构,使得FBAR中横向传播的伪模态被抑制,减少了杂波。本发明设计的声子晶体的具体单元结构为:1.环绕传统多边形上下电极的电极群,从而减小电极区域的能量泄露;2.贯穿压电薄膜的图案化孔洞,从而将声波能量约束上下电极覆盖的压电薄膜区域内,即解决横向伪模态的声波传输,从而显著提升品质因数。
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公开(公告)号:CN114859465A
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202210429303.X
申请日:2022-04-22
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于MEMS光电器件技术领域,公开了一种可调谐的压电式光环谐振腔,包括压电悬臂梁组件、光学波导组件,光学波导组件位于压电悬臂梁组件的上方,光学波导组件包括微环谐振腔和耦合器,压电悬臂梁组件在电信号的作用下产生振动,微环谐振腔基于振动产生应变并改变其谐振频率。本发明解决了现有技术中微环谐振腔难以实现多频率工作且无法调谐的问题。本发明利用压电效应,通过电信号作用使压电悬臂梁组件产生振动,进而使微环谐振腔产生应变并改变其谐振频率,本发明具有较大的频响范围与可调谐性,本发明结构集成度较高,灵敏度优良,成本较低。
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公开(公告)号:CN118392337A
公开(公告)日:2024-07-26
申请号:CN202410441405.2
申请日:2024-04-12
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种高速旋转轴温度测量方法及测量系统,所述测量方法包括,在高速旋转轴上安装兰姆波谐振器,并获取兰姆波谐振器的谐振频率与温度的关系;在高速旋转轴工作时,获取所述兰姆波谐振器的谐振频率;根据所述兰姆波谐振器的谐振频率与温度的关系以及获取的谐振频率,得到高速旋转轴的温度。本发明将高速旋转轴工作温度转换为兰姆波谐振器压电层的应变使兰姆波谐振器产生频偏,通过测频偏,进而得到被测的高速旋转轴工作温度。本发明用于检测高速旋转轴工作温度的方法具有简便、灵敏度高的优点。
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公开(公告)号:CN116996039A
公开(公告)日:2023-11-03
申请号:CN202310879729.X
申请日:2023-07-17
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种环形体声波谐振器及其制备方法,包括衬底、压电堆叠结构、质量负载结构、连接线结构和焊盘结构。衬底上开有空腔;压电堆叠结构为中心镂空的环形结构,从下向上依次包括底电极、压电层和顶电极,压电堆叠结构悬于空腔之上,且不与空腔的侧壁相接;连接线结构,为弯曲的蛇形;焊盘结构,连接于衬底上,压电堆叠结构通过连接线结构与焊盘结构连接。本发明由于压电堆叠结构为环形,中部镂空,可以直接从镂空处刻蚀空腔,不需要先刻蚀空腔释放孔,效率更高,能降低空腔释放不彻底影响谐振器性能的概率。连接线结构为蛇形,可以在不同方向上弯曲、拉伸、扭曲,使谐振器可延展性增强、灵敏度更高。
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公开(公告)号:CN114839397B
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202210344926.7
申请日:2022-03-31
Applicant: 武汉大学
Abstract: 一种基于微环谐振腔的MOEMS三轴加速度传感器及其制备方法,涉及微光机电系统(MOEMS)中的惯性器件领域。该传感器包括含有空腔(20)的基底(10),空腔(20)上表面为一层薄膜(30);薄膜(30)下方附着有一个质量块(40);顶层刻蚀有相互耦合的两组直波导(60)和四个微环谐振腔(50),其中四个微环谐振腔(50)均位于空腔(20)上方的薄膜(30)上;直波导(60)则位于基底(10)上,每个直波导(60)具有一个入射端和两个出射端,每一个微环谐振腔(50)分别与一个出射端相耦合。该加速度计通过检测各个微环谐振腔谐振峰的改变来测量三个不同方向的加速度分量。
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公开(公告)号:CN115290234A
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202210947512.3
申请日:2022-08-09
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请公开了光波导及微波光子测量和空气隙型结构的压力传感系统。该光波导位于硅基底上,所述光波导包括依次叠置的SiO2层、PMMA层和NOA层。光波导采用NOA‑PMMA‑SiO2结构,具有成本低、易于制造的优点。硅基底采用空气隙型结构,能避免膜层塌陷现象,保持较高机械强度。这种传感器具有灵敏度高、抗干扰能力强、自身无需电源、防爆、成本低和可靠性高等优点。
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