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公开(公告)号：CN1889274A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200610019781.4
申请日：2006-08-01
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种硅纳米线同质pn结二极管及其制备方法，该硅纳米线同质pn结二极管的pn结是用硼扩散工艺在n型导电硅片上扩散形成p型导电层，形成平面同质pn结，再用无电极金属电化学沉积法自组装形成的纳米结构为模板，在该平面pn结硅片上刻蚀形成纳米线，制备出的硅纳米线同质pn结。此pn结二极管制备方法的突出特点是：制备纳米线所需温度接近室温、设备简单、成本低廉、可大面积快速制备、工艺参数较易控制。所制备出的硅纳米线pn结阵列的正向开启电流密度和反向饱和电流密度相对于平面pn结均有所增大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100424892C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200610019782.9
申请日：2006-08-01
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种基于硅纳米线的异质pn结二极管及其制备方法，该二极管的特殊之处是其pn结是在以垂直定向生长的p-型硅纳米线阵列中沉积n型宽带隙氧化物而成的p-硅纳米线/n-宽带隙氧化物异质pn结。该二极管的制备方法为：先用无电极金属电化学沉积法在p型硅片上电化学刻蚀形成p型硅纳米线，再以形成的垂直排列的p型硅纳米线阵列为模板沉积n型宽带隙氧化物，最后在p型硅背面和n型氧化锌表面分别溅射金属电极，通过后退火合金化形成欧姆接触电极。此方法所制备的p-Si/n-宽带隙氧化物异质pn结二极管充分利用了纳米结构所具有的大的比表面积，增加了载流子复合几率，具有较低的正向开启电压和大的正向电流密度。
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公开(公告)号：CN103414213A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310351561.1
申请日：2013-08-13
Applicant: 中国能源建设集团广东省电力设计研究院 , 武汉大学
CPC classification number: Y02E40/76 , Y04S10/54 , Y04S10/545
Abstract: 本发明公开一种海岛型微电网的电源优化配置方法，首先将微电网中涉及的每个电源作为一个粒子，将各种类型电源的数目xi作为一组粒子，建立粒子群；获取每组粒子在规划期初始的建设费用在规划期内所发出的电量Eti，所产生的燃料费用Oti以及运行维护费用Mti；然后判断是否满足设定的约束条件，满足则当前目标函数来计算粒子群的适应度；不满足，则采用罚函数来调整当前粒子群的适应度，根据计算粒子群的适应度选出最优粒子组；选出最优粒子组后，直至达到设定的迭代次数后输出最优解得到海岛型微电网的电源优化配置。采用粒子群的算法求解最优选型的电源配置容量，降低了微电网在全生命周期内的投资费用，提高了微电网的稳定性。
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公开(公告)号：CN103414181A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310182441.3
申请日：2013-05-16
Applicant: 中国能源建设集团广东省电力设计研究院 , 武汉大学
CPC classification number: Y02E10/563 , Y02E10/763
Abstract: 本发明公开一种微电网系统设计方法，包括设计微电网接入配电网方案、设计微电网网络结构方案和设计微电网中分布式电源方案；微电网接入配电网设计方案：首先确定是孤网模式还是并网模式；然后根据微电网容量大小确定接入配电网的电压等级及接入位置；设计微电网网络结构方案：根据不同用户的负荷等级选择其供电方式为双重电源供电还是单电源供电；设计微电网中分布式电源方案：选择分布式电源的类型，优先选用风力发电、光伏发电等可再生能源发电形式，并配以相应的储能设备；选择分布式电源的容量。本发明为微电网系统建设提供了依据。本发明是根据用户实际需求而设计的微电网系统，实用性强，且降低了微电网系统的建设成本。
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公开(公告)号：CN1889275A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200610019782.9
申请日：2006-08-01
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种基于硅纳米线的异质pn结二极管及其制备方法，该二极管的特殊之处是其pn结是在以垂直定向生长的p－型硅纳米线阵列中沉积n型宽带隙氧化物而成的p－硅纳米线/n－宽带隙氧化物异质pn结。该二极管的制备方法为：先用无电极金属电化学沉积法在p型硅片上电化学刻蚀形成p型硅纳米线，再以形成的垂直排列的p型硅纳米线阵列为模板沉积n型宽带隙氧化物，最后在p型硅背面和n型氧化锌表面分别溅射金属电极，通过后退火合金化形成欧姆接触电极。此方法所制备的p－Si/n－宽带隙氧化物异质pn结二极管充分利用了纳米结构所具有的大的比表面积，增加了载流子复合几率，具有较低的正向开启电压和大的正向电流密度。
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公开(公告)号：CN213918489U
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202022777216.2
申请日：2020-11-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本实用新型涉及一种PICC导管裁剪器，包括壳体，所述壳体下端开口，上端开孔，开孔内插入有按压手柄；所述壳体下部设有导管固定夹具，所述导管固定夹具包括半圆形托板和半圆形压板，所述半圆形托板固定在壳体上，所述半圆形压板为活动件，位于半圆形托板正上方，所述半圆形压板中部开设有切刀孔；所述壳体内部设有下压切刀机构，所述下压切刀机构包括刀座和安装在刀座下方的切刀，所述切刀正对所述切刀孔，所述刀座上端与按压手柄连接；所述刀座与壳体之间上下滑动连接，所述刀座与半圆形压板之间弹性连接。本实用新型可将导管固定后单利刃切管，保证导管尖端切面光滑且端面垂直度高；护理人员可单手操作，使用方便，一次开模成本低。
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