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公开(公告)号：CN111276636B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010097487.5
申请日：2020-02-17
申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
摘要： 本申请提供一种有机发光二极管显示器及其制造方法，通过形成覆盖栅极的无机绝缘层，且在无机绝缘层上形成有机绝缘层以起到平坦化作用，避免后续形成的金属层由于陡坡而在刻蚀时出现金属残留的问题，有机绝缘层对应栅极的位置设置有凹槽，用于与栅极形成电容器的金属构件形成于凹槽中且对应栅极设置，栅极和金属构件之间的间距减小，使得栅极和金属构件组成的电容器的电容较大。
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公开(公告)号：CN111029374A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911150565.7
申请日：2019-11-21
申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
摘要： 本发明提供一种有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)显示面板及其制造方法。OLED显示面板包括无机层、第一有机层、金属走线、第二有机层。无机层包括第一表面及第二表面，第一表面具有走线狭缝。第一有机层及金属走线位于走线狭缝中。第二有机层设置于第一表面上。其中，金属走线远离第一有机层的表面与第一表面共平面。
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公开(公告)号：CN110828478A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911034151.8
申请日：2019-10-29
申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种TFT阵列基板其显示面板。其中所述TFT阵列基板包括衬底层，所述衬底层上设置有缓冲层，所述缓冲层上依次设置有源层(Active)、第一栅极绝缘层(GI1)、第一栅极层(GE1)、层间介质层(ILD)以及源漏极层(SD)。所述第一栅极绝缘层包括SiNx层，所述第一栅极层包括AL金属层。本发明提供了一种TFT阵列基板，其具有较为良好的自身弯折性能。
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公开(公告)号：CN110571248A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910752501.8
申请日：2019-08-15
申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
发明人： 陈诚
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 本发明公开一种阵列基板及其制造方法。所述阵列基板包含一显示区及一绕线区，其中所述阵列基板包含一衬底基板、一有源层、一第一绝缘层、一第一金属层、一第二绝缘层、一第二金属层、一第三绝缘层、一第三金属层、一平坦层、一图案化无机层及一像素定义层。所述第一金属层包含至少一第一走线图案；所述第二金属层包含至少一第二走线图案；所述第三金属层包含至少一第三走线图案；及所述图案化无机层设于所述绕线区内的所述平坦层上且具有一底切结构。本发明的阵列基板及其制造方法可减少所述绕线区形成的边界的宽度。
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公开(公告)号：CN110265409A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910534688.4
申请日：2019-06-20
申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种TFT阵列基板，其定义有显示区、换线区和弯折区，其中所述换线区连接所述显示区和弯折区。其包括衬底功能层和设置于其上的金属层。所述衬底功能层包括衬底层和设置于所述衬底层上的缓冲层、有源层和第一绝缘层，其中所述金属层在所述显示区包括间隔设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。其中所述第一金属层、第二金属层和第三金属层均采用同样的金属材料构成，其中所述金属材料包括金属铝材料或是铝合金材料。本发明的一个方面是提供一种TFT阵列基板，其上设置的金属层采用电阻低的材料构成从而提升了其电导率，且采用的金属构成材料的耐弯折性能同样良好。
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公开(公告)号：CN114023262B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202111409334.0
申请日：2021-11-25
申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
IPC分类号： G09G3/3225 , G09G3/3258
摘要： 本申请提出了一种像素驱动电路及显示面板，该像素驱动电路包括发光器件、驱动单元、补偿单元、复位单元、自举电容、电容复位单元以及数据写入单元，补偿单元包括并联设置的至少两个晶体管，至少两个晶体管中与驱动晶体管的栅极连接的晶体管的有源层包括氧化物半导体，本申请通过有源层包括氧化物半导体的晶体管所具有的低截止态漏电流的特性抑制在低频工作条件下驱动管栅极漏电，能够实现低频显示，降低显示功耗。
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公开(公告)号：CN113808532B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110981828.X
申请日：2021-08-25
申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
IPC分类号： G09G3/3208 , G09G3/3233 , H01L27/15 , H01L27/32
摘要： 本申请公开了一种像素电路及显示面板，该像素电路包括第二布线、第一发光控制单元、驱动单元以及补偿单元，通过第一发光控制单元的控制端与补偿单元的控制端共用第二布线，可以节省像素电路的布线数量，进而提高了显示分辨率；同时，驱动单元的控制端仅配置了补偿单元，减少了驱动单元的控制端的漏电路径。
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公开(公告)号：CN112029097B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010875020.9
申请日：2020-08-27
申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
摘要： 本申请提供一种聚酰亚胺薄膜的制造方法以及由该制造方法制造的聚酰亚胺薄膜。该制造方法包括以下步骤：使卟吩镍(II)溶于三氟乙酸中与硝化剂发生硝化反应，生成二硝基卟吩镍(II)；使所述二硝基卟吩镍(II)与肼盐反应生成二氨基卟吩镍(II)；使所述二氨基卟吩镍(II)与含卤素的二酸酐聚合形成聚酰亚胺前体；以及使所述聚酰亚胺前体发生分子内缩合形成聚酰亚胺薄膜。
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公开(公告)号：CN110707126B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201910823391.X
申请日：2019-09-02
申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
发明人： 陈诚
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 本发明公开一种阵列基板及其制造方法。所述阵列基板包含一显示区及一绕线区，其中所述阵列基板包含一衬底基板、一有源层、一第一绝缘层、一第一金属层、一第二绝缘层、一第二金属层、一第三绝缘层、一第三金属层一图案化平坦层、一像素定义层及一支撑层。所述第一金属层包含至少一第一走线图案，设于所述绕线区内的所述第一绝缘层上；所述第二金属层包含至少一第二走线图案，设于所述绕线区内的所述第二绝缘层上；所述第三金属层包含至少一第三走线图案，设于所述绕线区内的所述第三绝缘层上及所述绕线区内的所述像素定义层与所述支撑层共同具有至少一底切结构。本发明的阵列基板及其制造方法可减少所述绕线区形成的边界(border)的宽度。
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公开(公告)号：CN111276636A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010097487.5
申请日：2020-02-17
申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
摘要： 本申请提供一种有机发光二极管显示器及其制造方法，通过形成覆盖栅极的无机绝缘层，且在无机绝缘层上形成有机绝缘层以起到平坦化作用，避免后续形成的金属层由于陡坡而在刻蚀时出现金属残留的问题，有机绝缘层对应栅极的位置设置有凹槽，用于与栅极形成电容器的金属构件形成于凹槽中且对应栅极设置，栅极和金属构件之间的间距减小，使得栅极和金属构件组成的电容器的电容较大。
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